国家重点基础研究发展计划(G1998061412)
- 作品数：6 被引量：31H指数：3
- 相关作者：陈正豪谈国太杨国桢周岳亮吕惠宾更多>>
- 相关机构：中国科学院北京师范大学清华大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划中国博士后科学基金北京市优秀人才培养资助更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 激光分子束外延制备高质量的YBCO超导薄膜被引量：5
- 2001年
- 利用活化气体做氧源 ,使生长气压比普通脉冲激光沉积方法 (PLD)低 2～ 3个数量级 ,用激光分子束外延在SrTiO3 ( 1 0 0 )衬底上制备出临界转变温度Tc0 =85～ 87K ,临界电流密度Jc≥ 1× 1 0 6A/cm2 的高质量YBCO超导薄膜 .原子力显微镜 (AFM)测得表面无明显颗粒 ,均方根粗糙度约为 7.8nm .在这种薄膜基础上制备的Joseph son量子干涉器件 (DC SQUID)
- 陈凡吕惠宾赵彤王荣平周岳亮陈正豪杨国桢
- 关键词：YBCO超导薄膜激光分子束外延高温超导材料超导临界温度
- LaMn_(1-x)Te_xO_(3+δ)的反常磁输运现象分析
- 2009年
- 通过固体反应法制备出了Mn位Te掺杂氧化物:LaMn1-xTexO3+δ.X光电子能谱测量结果表明Te离子在样品中具有Te4+价态,Mn3+离子因受富氧及Te4+替换影响而部分转变成Mn2+和Mn4+,以致LaMn1-xTexO3系列样品中同时存在Mn2+,Mn3+,Mn4+三种价态,当Mn3+在样品中的含量远大于Mn2+及Mn4+两者含量和时,样品则具有绝缘态特征,但当Mn3+含量与Mn2+及Mn4+两者含量和相当时,样品则随温度的升高而产生了金属-绝缘态相变.对于这种反常的磁输运现象,用双交换(DE)机制进行了的分析和讨论.
- 谈国太陈正豪
- 关键词：庞磁电阻效应磁输运
- La_(1-x)Te_xMnO_3晶格结构的X射线粉末衍射分析被引量：5
- 2007年
- 通过X射线粉末衍射数据,用Rietveld精修方法分析了Te部分替换LaMnO3中La后,其晶格参数及其结构对称性所发生的变化.结果表明:Te掺杂LaMnO3系列样品具有R3C的晶格结构对称性,其MnO6八面体晶格还产生了伸张畸变,畸变程度随Te掺杂量的增加而增大.此外根据Mn—O—Mn键角、eg电子能带的带宽、A位离子平均半径及A位离子尺寸失配度等的变化特点,推测Te掺杂LaMnO3样品除居里温度等相变物理量将随x增加而非线性变化外,还可能产生自旋玻璃态、相分离等宏观现象.
- 谈国太陈正豪
- 关键词：庞磁电阻效应X射线衍射RIETVELD精修
- 钙钛矿氧化物薄膜和异质结的外延生长与物性研究被引量：1
- 2004年
- 用激光分子束外延,原子尺度控制的外延生长出多种钙钛矿氧化物薄膜和异质结。原子力显微镜和高分辨透射电镜测量结果表明,薄膜与异质结的表面和界面均达到原子尺度的光滑。制备出在可见光波段透过率大于85％的导电氧化物薄膜;物性研究结果表明,随着含氧量的不同, BaTiO3薄膜具有绝缘体、半导体和导体的不同特性。BaTiO3/SrTiO3超晶格的光学非线性效应比BaTiO3体材增大23倍。首次在La0.9Sr0.1MnO3/srNb0.01Ti0.99O3(LSMO/SNTO)异质结上,观测到全氧化物p—n结电流和电压的磁调制与正磁电阻效应。在255K条件下,当外加磁场分别为5和1000 Oe时, LSMO/SNTO p-n结的磁电阻变化率R/R0达到: .46.7％和83.4％;在外加磁场为3T时,在100 K条件下,在LSMO/SNTO多层p-n异质结上观测515％的正磁电阻变化率。
- 杨国桢
- 关键词：薄膜光学钙钛矿氧化物异质结激光分子束外延
- 钙钛矿锰氧化物La_(1-x)Te_xMnO_3(x=0.04,0.1)的两类磁电阻现象被引量：18
- 2005年
- La1 -xTexMnO3(x=0 0 4 ,0 1)是一种具有钙钛矿结构的电子掺杂型锰氧化物 .实验结果表明 :在这种锰氧化物中同时存在庞磁阻 (CMR)效应和低场磁电阻 (LFMR)效应 .在整个实验温度范围 ( 5— 30 0K) ,LFMR随温度升高而发生了如下变化 :出现—消失—出现 ,在LFMR消失的温区又恰好能观察到明显的CMR .对其原因给予了解释 .
- 谈国太陈正豪章晓中
- 关键词：磁电阻CMR锰氧化物钙钛矿结构温度升高
- 钙钛矿氧化物La0.9Sr0.1MnO3/SrNb0.01Ti0.99O3巨磁电阻p-n结被引量：3
- 2003年
- 用激光分子束外延成功地制备出钙钛矿氧化物La0.9Sr0.1MnO3/SrNb0.01Ti0.99O3 p-n结, 首次观测到钙钛矿结构氧化物p-n结电流的磁调制和巨磁电阻效应. 其巨磁电阻特性与掺杂的镧锰氧化物是非常不同的, 当温度为300, 200和150 K时, p-n结具有正磁电阻特性; 当温度为100 K时, 在低磁场条件下, p-n结呈现正磁电阻特性, 随着磁场强度的增加, p-n结变为负磁电阻特性. p-n结的磁电阻变化率△R/R0(△R = RH -R0, R0是外磁场为0时p-n结的电阻, RH是外磁场强度为H时p-n结的电阻) 在300 K条件下, 当磁场强度为0.1和5 T时, 达到8%和13%; 在200 K条件下, 当磁场强度为5 T时, 达到41%; 在150 K条件下, 当磁场强度为1 T时, 达到40%; 在100 K条件下, 当磁场强度为0.13和5 T时, 达到10%和-60%.
- 吕惠宾戴守愚陈正豪颜雷周岳亮杨国桢
- 关键词：钙钛矿氧化物P-N结巨磁电阻激光分子束外延磁调制
