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国家自然科学基金(60977022)

作品数:10 被引量:19H指数:2
相关作者:罗毅韩彦军李洪涛孙长征白一鸣更多>>
相关机构:清华大学厦门市三安光电科技有限公司更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 4篇理学
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇氮化镓
  • 2篇集成封装
  • 2篇二极管
  • 2篇发光
  • 2篇发光二极管
  • 2篇封装
  • 2篇COB
  • 2篇INGAN
  • 1篇氮化镓薄膜
  • 1篇氮化镓基发光...
  • 1篇烟囱效应
  • 1篇引流
  • 1篇英文
  • 1篇散热
  • 1篇散热设计
  • 1篇声表面波
  • 1篇蒙特卡罗
  • 1篇蒙特卡罗方法
  • 1篇膜厚
  • 1篇精确控制

机构

  • 7篇清华大学
  • 1篇厦门市三安光...

作者

  • 7篇罗毅
  • 5篇韩彦军
  • 3篇李洪涛
  • 2篇汪莱
  • 2篇孙长征
  • 1篇熊兵
  • 1篇袁贺
  • 1篇郝智彪
  • 1篇徐建明
  • 1篇赵维
  • 1篇李水清
  • 1篇赵湘楠
  • 1篇冯泽心
  • 1篇司徒文畅
  • 1篇张国旺
  • 1篇白一鸣

传媒

  • 2篇半导体光电
  • 2篇Chines...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇光学精密工程
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇压电与声光
  • 1篇Chines...

年份

  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 6篇2011
  • 2篇2010
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Study on the saturation characteristics of high-speed uni-traveling-carrier photodiodes based on field screening analysis被引量:2
2011年
A back-illuminated mesa-structure InGaAs/InP charge-compensated uni-traveling-carrier (UTC) photodi- ode (PD) is fabricated, and its saturation characteristics are investigated. The responsivity of the 40-μm- diameter PD is as high as 0.83 A/W, and the direct current (DC) saturation current is up to 275 mA. The 1-dB compression point at the 3-dB cutoff frequency of 9 GHz is measured to be 100 mA, corresponding to an output radio frequency (RF) power of up to 20.1 dBm. According to the calculated electric field distributions in the depleted region under both DC and alternating current (AC) conditions, the saturation of the UTC-PD is cansed hv cnmnlete field screening at high optical iniectinn levels
石拓熊兵孙长征罗毅
Effects of InGaN barriers with low indium content on internal quantum efficiency of blue InGaN multiple quantum wells被引量:1
2010年
Blue In0.2Ga0.8N multiple quantum wells (MQWs) with InxGa1-xN (x = 0.01 - 0.04) barriers are grown by metal organic vapour phase epitaxy. The internal quantum efficiencies (IQEs) of these MQWs are studied in a way of temperature-dependent photoluminescenee spectra. Furthermore, a 2-channel Arrhenius model is used to analyse the nonradiative recombination centres (NRCs). It is found that by adopting the InGaN barrier beneath the lowest well, it is possible to reduce the strain hence the NRCs in InGaN MQWs. By optimizing the thickness and the indium content of the InGaN barriers, the IQEs of InGaN/InGaN MQWs can be increased by about 2.5 times compared with conventional InGaN/GaN MQWs. On the other hand, the incorporation of indium atoms into the intermediate barriers between adjacent wells does not improve IQE obviously. In addition, the indium content of the intermediate barriers should match with that of the lowest barrier to avoid relaxation.
汪莱王嘉星赵维邹翔罗毅
氮化镓基发光二极管结构中粗化p型氮化镓层的新型生长方法
2011年
提出了一种新型p型氮化镓粗化外延生长方法,这种生长方法的本质特征是利用低温生长的p型氮化镓作为粗化层的"晶籽"层,然后在这一层的基础上高温快速生长p型氮化镓,使粗化程度得到放大.经实际制作尺寸为12mil×10mil的蓝光发光二极管器件并进行验证测试,与未进行p型氮化镓粗化的结果相比,通过这种方法粗化的发光二极管光通量可提升45%;结果同时表明,该方法有效解决了低温生长p型氮化镓带来的漏电流大,及预通镁源带来的前置电压高的问题.
李水清汪莱韩彦军罗毅邓和清丘建生张洁
关键词:粗化氮化镓发光二极管
InGaN量子点的MOVPE生长
本文采用MOVPE技术生长了InGaN量子点并进行了评测。其中,紫外量子点利用了交替通断源的方法而绿光量子点利用了生长中断的方法。
赵维汪莱郝智彪罗毅
文献传递
基于烟囱效应的集成封装半导体照明光源散热结构优化设计被引量:4
2013年
针对基于集成封装发光二级管(COB LED)的半导体照明光源,研究了引流孔的形状、尺寸和位置等对基于烟囱效应的散热器的散热特性的影响。CFD仿真模拟表明,对于50W热功率的COB LED散热结构,在导热板上形成两个面积为15cm2、以光源中心对称的矩形引流孔,可在保持COB LED最高温度小于52℃的条件下,将基于烟囱效应的散热器的重量进一步降低15%。实验结果与模拟结果基本一致。
张国旺韩彦军罗毅李洪涛
关键词:COB散热设计烟囱效应
集成封装发光二极管光提取效率的计算及优化被引量:7
2014年
基于蒙特卡罗方法模拟、计算并分析了芯片类型、大小、间距、数量以及布局对GaN基发光二极管(LED)集成封装器件COB(Chip On Board)能效的影响。计算结果表明:在芯片间距小于200μm且芯片尺寸或布局等参数相同的条件下,正装LED COB的能效最低,其次为倒装LED COB,垂直结构芯片的能效最大。当芯片间距大于200μm,3种LED COB的能效趋向饱和。芯片尺寸增加或数量减少可使正装和倒装芯片COB的能效上升,而垂直结构COB的能效基本保持不变。加入图形衬底可提高同样尺寸或布局的正装芯片COB封装器件的能效,但使倒装芯片COB的能效恶化。分析表明:芯片的侧面出光量占整个芯片出光量的比值以及相邻芯片材料的吸收对3种类型COB封装器件的能效有决定性影响。文中还针对正装芯片COB设计了新型菱形芯片布局,与常规正方形芯片布局的COB相比,其能效提高了6.2%。
白一鸣罗毅韩彦军李洪涛
关键词:发光二极管集成封装光提取效率蒙特卡罗方法
蓝宝石衬底上氮化镓薄膜的声表面波特性研究(英文)
2014年
研究了蓝宝石上非掺杂GaN,p型GaN和p-GaN/n-GaN 3种薄膜材料的声表面波特性。在p型GaN薄膜中观测到中心频率分别为255MHz和460MHz的Rayleigh模和Sezawa模,插入损耗为-42dB。研究了退火工艺的影响。在N2中800K温度下退火,Rayleigh模和Sezawa模的旁带抑制比分别提高了5.5dB和10.2dB。结果表明具有高阻、足够厚度和高表面质量的GaN薄膜在射频单片集成滤波器领域具有广阔的应用前景。
赵湘楠韩彦军孙长征罗毅
关键词:氮化镓薄膜声表面波
Response time improvement of AlGaN photoconductive detectors by adjusting crystal-nuclei coalescence process in metal organic vapor phase epitaxy被引量:2
2011年
AlGaN photoconductive ultraviolet detectors are fabricated to study their time response characteristics. Persistent photoconductivity, a deterring factor for the detector response time, is found to be strongly related to the grain boundary density in AlGaN epilayers. By improving the crystal-nuclei coalescence process in metal organic vapor phase epitaxy, the grain-boundary density can be reduced, resulting in an-order-of-magnitude decrease in response time.
汪莱郝智彪韩彦军罗毅王兰喜陈学康
关键词:ALGANPHOTOCONDUCTIVITY
自由表面光学系统对白光LED色温角分布的影响被引量:2
2011年
基于非成像光学设计的自由表面光学系统,对提高以LED为核心的固态半导体照明的性能起着至关重要的作用。文章提出了简化模型模拟一次封装白光LED光源的色温角分布特性,并研究了自由表面光学系统对该色温角分布特性的影响。仿真与实验结果都表明,自由表面光学系统可以明显改善白光LED光源的色温角分布不均匀特性。
司徒文畅韩彦军冯泽心李洪涛罗毅
关键词:LED
基于反射光谱的单层抗反射膜的非在位膜厚精确控制被引量:1
2010年
提出一种基于反射光谱分析的非在位膜厚控制技术,首先利用椭圆偏振光谱仪确定波长300~1 700 nm范围内的薄膜折射率,由此确定对应于特定波长(如1 550 nm)的最佳抗反射(AR)镀膜沉积条件。然后计算最佳AR镀膜厚度所对应的反射谱,得到相应的CIE标准色谱坐标。通过对比实测镀膜颜色和计算得到的最佳颜色,可以实现小尺寸器件端面上AR镀膜厚度的优化控制。利用这一方法,由等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备的SiNx单层AR镀膜,获得了4.4×10-4的反射率。
徐建明熊兵袁贺孙长征罗毅
关键词:反射光谱
共2页<12>
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