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国家部委预研基金(9140C0905040706)

作品数：1 被引量：5H指数：1
相关作者：张鹤鸣宣荣喜宋建军胡辉勇张志锋更多>>
相关机构：西安电子科技大学更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电势
  • 1篇电势分布
  • 1篇应变硅
  • 1篇阈值电压
  • 1篇阈值电压模型
  • 1篇反型层
  • 1篇NMOSFE...

机构

  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇张志锋
  • 1篇胡辉勇
  • 1篇宋建军
  • 1篇宣荣喜
  • 1篇张鹤鸣

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
应变Si沟道nMOSFET阈值电压模型被引量：5
2009年
在研究分析弛豫SiGe衬底上的应变Si沟道nMOSFET纵向电势分布的基础上,建立了应变Si nMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器件结构参数进行仿真,获得了阈值电压与SiGe层掺杂浓度和Ge组分的关系、阈值电压偏移量与SiGe层中Ge组分的关系、阈值电压与应变Si层掺杂浓度和厚度的关系.分析结果表明:阈值电压随SiGe层中Ge组分的提高而降低,随着SiGe层的掺杂浓度的提高而增大;阈值电压随应变Si层的掺杂浓度的提高而增大,随应变Si层厚度增大而增大.该模型为应变Si器件阈值电压设计提供了重要参考.
张志锋张鹤鸣胡辉勇宣荣喜宋建军
关键词：应变硅阈值电压电势分布反型层
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