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上海市科学技术委员会资助项目(03DZ11006)

作品数:2 被引量:6H指数:1
相关作者:钱永彪闵嘉华王昆黍桑文斌夏军更多>>
相关机构:上海大学更多>>
发文基金:上海市科学技术委员会资助项目国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金更多>>
相关领域:金属学及工艺核科学技术更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇核科学技术

主题

  • 1篇电子俘获
  • 1篇漏电
  • 1篇漏电流
  • 1篇晶体
  • 1篇CDZNTE
  • 1篇CDZNTE...
  • 1篇表面钝化

机构

  • 2篇上海大学

作者

  • 2篇桑文斌
  • 2篇王昆黍
  • 2篇闵嘉华
  • 2篇钱永彪
  • 1篇腾建勇
  • 1篇张奇
  • 1篇樊建荣
  • 1篇秦凯丰
  • 1篇刘洪涛
  • 1篇詹峰
  • 1篇夏军

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2005
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
CdZnTe材料的表面钝化新工艺被引量:5
2005年
研究了一种新的钝化CdZnTe(CZT)器件表面的工艺,即先采用KOH KCl溶液对CZT表面进行处理,再用NH4F/H2O2溶液对其进行表面氧化的二步法钝化工艺.并借助俄歇电子能谱(AES)、微电流测试仪等手段对其表面钝化层的质量进行了鉴别,同时与KOH KCl和NH4F/H2O2两种工艺进行了比较.AES能谱分析表明,采用二步法工艺钝化,既可获得化学计量比较好的CZT表面,又可在表面形成一层起保护作用的氧化层.I V特性曲线显示,两步法钝化后CZT器件的漏电流与KOH KCl和NH4F/H2O2钝化相比都有一定程度的下降.说明文中提出的新工艺在CZT器件制备方面具有良好的应用前景.
王昆黍桑文斌闵嘉华腾建勇张奇夏军钱永彪
关键词:CDZNTE晶体表面钝化漏电流
CdZnTe共面栅探测器的电子俘获修正方法被引量:1
2006年
采用有限元方法模拟共面栅探测器的权重势分布,通过计算器件的电荷感应效率(CIE)以及感应信号,研究了CdZnTe共面栅器件的电子俘获修正技术,结果表明采用调整两组栅极输出信号的相对增益G的方法,可以有效地修正由于电子俘获造成的器件响应在深度上的不均匀;通过将次外条收集栅和非收集栅分别加宽一倍可以使两组栅电极的权重势分布在器件宽度上具有良好的均匀性,在此基础上采用调整增益G值来修正电子俘获,可使CdZnTe共面栅器件在深度和宽度方向上均得到均匀的响应特性。
闵嘉华桑文斌钱永彪王昆黍刘洪涛詹峰秦凯丰樊建荣
关键词:电子俘获
共1页<1>
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