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国家高技术研究发展计划(2011AA01040)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：董庆陈浩马亚楠林殷茵更多>>
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇漏电
  • 1篇漏电流
  • 1篇SRAM

机构

  • 1篇复旦大学

作者

  • 1篇林殷茵
  • 1篇马亚楠
  • 1篇陈浩
  • 1篇董庆

传媒

  • 1篇复旦学报（自...

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
先进逻辑工艺下SRAM漏电流测试
2013年
对于65nm及以下的先进逻辑工艺,SRAM的漏电流功耗占据了保持状态下功耗的一半以上,成为降低功耗的主要瓶颈之一.精确测量漏电流成为优化工艺从而降低功耗的先决条件.在保持SRAM原有版图环境不变的情况下,通过对SRAM施加不同激励,将栅漏电流、结漏电流和衬底漏电流这3种漏电流有效地区分出来.通过大量的测试,得到在不同温度下SRAM漏电流的相应数据结果用以分析,并对漏电流在整片晶圆内的系统波动和局部随机波动进行了讨论.
陈浩董庆马亚楠林殷茵
关键词：漏电流SRAM
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