2024年8月19日
星期一
|
欢迎来到维普•公共文化服务平台
登录
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
国家科技重大专项(2011ZX02507-001-003)
作品数:
1
被引量:2
H指数:1
相关作者:
吴鹏
周再发
潘江涌
更多>>
相关机构:
东南大学
更多>>
发文基金:
教育部“新世纪优秀人才支持计划”
国家科技重大专项
更多>>
相关领域:
电子电信
更多>>
相关作品
相关人物
相关机构
相关资助
相关领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
1篇
中文期刊文章
领域
1篇
电子电信
主题
1篇
电子束光刻
1篇
显影
1篇
邻近效应校正
1篇
光刻
1篇
CARLO模...
1篇
MONTE
1篇
MONTE_...
机构
1篇
东南大学
作者
1篇
潘江涌
1篇
周再发
1篇
吴鹏
传媒
1篇
微纳电子技术
年份
1篇
2012
共
1
条 记 录,以下是 1-1
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
低能电子束光刻过程的Monte Carlo模拟分析研究
被引量:2
2012年
对低能电子在光刻胶和衬底中的复杂散射过程进行分析和物理建模,采用Monte Carlo方法进行模拟研究。利用Browning拟合公式来解决Mott弹性散射截面计算速度慢的问题,采用D.C.Joy和S.Luo修正的Bethe能量损耗公式计算低能电子在固体中的能量损耗。通过跟踪电子的散射轨迹、计算电子的能量沉积密度、结合显影阈值模型,模拟出了电子束光刻的三维显影轮廓图。据此研究了入射电子束能量、剂量、光刻胶厚度、衬底材料、衬底和光刻胶形貌等不同条件下电子束曝光邻近效应的影响。此外,还将具有高斯分布特征的低能电子束入射产生的沉积能量密度进行移动处理,模拟一个以"T"字型为代表的较为复杂图形的电子束曝光过程,通过三维显影轮廓模拟图比较直观地显示了邻近效应的影响,并演示了采用电子束曝光剂量补偿的方法实现邻近效应校正的效果。
吴鹏
潘江涌
周再发
关键词:
电子束光刻
MONTE
CARLO模拟
邻近效应校正
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张