公共文化服务平台

高速沉积本征微晶硅的优化及其在太阳电池中的应用被引量：4: 2009年; 采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术高速(沉积速率约为1.2nm/s)沉积了一系列不同厚度的本征微晶硅薄膜,并通过Raman谱和XRD谱的测试,研究了高速沉积时本征微晶硅薄膜的微结构演变特性及其对电池性能的影响.针对其微结构特性及高速沉积本身存在的离子轰击作用强的特点,提出了在沉积微晶硅薄膜过程中采用功率梯度的方法,达到有效地控制薄膜微结构变化的目的,并在一定功率梯度范围内降低了电子温度,提高了薄膜质量,从而使电池效率明显提高.最后在沉积速率为1.2nm/s时,制备得到光电转换效率为9.36%的单结微晶硅太阳电池,将其应用到叠层电池中制备得到效率为11.14%的非晶硅/微晶硅叠层电池.; 韩晓艳侯国付魏长春张晓丹戴志华李贵君孙建陈新亮张德坤薛俊明赵颖耿新华; 关键词：微晶硅薄膜

锐钛矿相TiO_2纳米管的制备及其染料敏化太阳电池被引量：14: 2008年; 以商用金红石相TiO2粉末为原料,通过在碱性溶液中150℃水热48 h的方法合成TiO2纳米管.采用SEM,TEM,XRD分析手段对TiO2纳米管的形貌和结构演变进行了表征.制成的TiO2纳米管与TritonX-100,乙酰丙酮混合后,通过丝网印刷的方法涂敷到ITO导电玻璃衬底上,并且在450℃下烧结30 min后得到可应用于染料敏化太阳电池的多孔光阳极.将此光阳极浸泡于N719染料敏化后,与镀铂对电极组装电池,两者之间灌入液态电解质,电池的有效面积为0.28 cm2.在标准氙灯模拟器下(AM1.5,100 mW/cm2)测试了电池的J-V特性,得到2.17%的光电转换效率.; 张苑赵颖蔡宁熊绍珍; 关键词：TIO2纳米管染料敏化太阳电池水热法

大面积VHF-PECVD用多点馈入平行板电极馈入点优化的数值研究被引量：5: 2008年; 本文采用二维准平面电路模型,对大面积甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)用多点馈入平行板电极馈入点的优化进行了数值研究,讨论了不同的多点馈入模式对平行板电极间真空电势分布均匀性的影响。研究结果表明:对于给定激发频率和尺度的大面积平行板电极,功率馈入连接点位置分布和数量成为影响电极间电势分布均匀性的两个重要可控参量,通过优化功率馈入连接点数量和连接点位置分布,可以抑制电势驻波效应及功率馈入点对数奇点效应,很大程度上有效地改善了电极间电势分布的均匀性。本文数值计算结果在一定程度上为VHF-PECVD技术用平行板电极实现大面积薄膜均匀沉积的系统设计提供了理论指导。; 葛洪张晓丹岳强张发荣赵影赵颖

高速沉积高效微晶硅太阳电池的研究: 微晶硅太阳电池是硅基薄膜太阳电池的新一代技术。如何提高微晶硅太阳电池的沉积速率是降低其制造成本的关键技术。本文研究了提高微晶硅薄膜沉积速率的方法,并研究了在高速沉积条件下影响微晶硅薄膜质量、进而影响电池性能的关键因素,提...; 耿新华侯国付张晓丹韩晓艳郭群超高艳涛薛俊明魏长春孙建陈新亮张德坤赵颖; 文献传递

P-μc-Si_(1-x)Ge_x:H thin film by VHF-PECVD被引量：1: 2008年; In this paper, a series of boron doped microcrystalline hydrogenated silicon-germanium （p-μc-Si1-xGex：H） was deposited by very high frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition （VHF-PECVD） from SiH4 and GeF4 mixtures. The effect of GeF4 concentration on films＇ composition, structure and electrical properties was studied. The results show that with the increase of GeF4 concentration, the Ge fraction x increases. The dark conductivity and crystalline volume fraction increase first, and then decrease. When the GC is 4%, p-μc-Si1-xGex：H material with high conductivity, low activation energy （σ= 1.68 S/cm, E8=0.047 eV）, high crystalline volume fraction （60%） and with an average transmission coefficient over the long wave region reaching 0.9 at the thickness of 72 nm was achieved. The experimental results were discussed in detail.; SHANG Ze-ren ZHANG Jian-jun ZHANG Li-ping HU Zeng-xin XUE Jun-ming ZHAO Ying GENG Xin-hua; 关键词：VHF-PECVD 化学纤维光半导体

电子束反应蒸发技术生长Mo掺杂In_2O_3薄膜被引量：5: 2010年; 利用电子束反应蒸发技术,调制衬底温度200～350℃,详细研究了Mo掺杂In2O3(IMO,In2O3:Mo)薄膜的微观结构以及光电性能的变化。随着衬底温度增加,原子力显微镜(AFM)与扫描电子显微镜(SEM)图像均证明IMO薄膜表面趋于粗糙,透过率和Hall测试表明其光学和电学性能逐渐提高。在衬底温度为350℃时,获得薄膜最小电阻率为2.1×10-4Ωcm,载流子迁移率为34.2cm2/Vs,其可见光区及近红外区的平均透过率为78%。衬底温度为200℃时,薄膜表现为黑褐色,经分析X射线光电子能谱(XPS)结果认为与薄膜中钼的低价氧化有关,提高衬底温度可改善薄膜氧化状态。; 韩东港陈新亮孙建赵颖耿新华; 关键词：衬底温度

单室沉积p-i--n电池工艺中磷污染问题研究: 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）技术,研究了单室沉积下腔室磷污染的表现特征。由测试结果发现:单室沉积n层后随即沉积p层或者i层微晶硅,残余的磷将降低微晶p层材料的暗电导,而对本征微晶i层材料,磷会...; 孙福河张晓丹许盛之王光红岳强魏长春孙建耿新华熊绍珍赵颖; 关键词：磷污染微晶硅; 文献传递

USP法制备p型Zn1-xMgxO薄膜的初步研究: 利用超声雾化热分解技术(USP),在eagle2000衬底上采用用N-Al共掺法获得了p型ZnMgO薄膜,在Al掺入比例为0.05时获得了最优的p型ZnMgO薄膜,其电学特性为电阻率为18.43Ω.cm、迁移率是0.36...; 边楠张晓丹张霞孙福和杨瑞霞赵颖; 文献传递

射频高压耗尽PECVD技术制备高效率硅薄膜电池的研究: 本文综合报道了南开大学采用高压耗尽RF-PECVD制备高效率微晶硅电池时几个关键问题的研究结果,主要包括器件质量级本征微晶硅材料工艺窗口的确定及其结构和光电性能表征;孵化层的形成机理以及减小孵化层的有效方法;梯度氢稀释法...; 侯国付薛俊明袁育杰任慧志张德坤孙建郭群超陈新亮赵颖耿新华; 文献传递

单室沉积高效非晶硅/微晶硅叠层太阳电池的研究被引量：5: 2010年; 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,在前期单室沉积的微晶硅薄膜太阳电池和非晶硅/微晶硅叠层太阳电池研究的基础上,通过对微晶硅底电池本征层硅烷浓度的优化,获得了初始效率达到11.02%(电池面积1.0cm2)的非晶硅/微晶硅叠层太阳电池.同时,100cm2的非晶硅/微晶硅叠层太阳电池的组件效率也达到了9.04%.; 张晓丹郑新霞王光红许盛之岳强林泉魏长春孙建张德坤熊绍珍耿新华赵颖; 关键词：甚高频

渝B2-20050021-1　渝公网安备 50019002500403号　违法和不良信息举报中心　互联网出版许可证　新出网证(渝)字10号

国家重点基础研究发展计划(2006CB202602)