国家自然科学基金(11174237)
- 作品数：5 被引量：7H指数：2
- 相关作者：王红艳高思敏陈元正马存良王辉更多>>
- 相关机构：西南交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金四川省应用基础研究计划项目中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：理学电气工程医药卫生一般工业技术更多>>
- 氨基甲酸乙酯吸附在Ag20团簇上的拉曼散射增强机理研究
- <正>采用M06-2X方法和6-311+g（d,p）基组,计算了致癌物质氨基甲酸乙酯（Ethyl carbamate,简写EC）的常规拉曼光谱,与实验拉曼光谱吻合较好。采用同样的方法和基组（C,H,O,N）//Lanl2...
- 杜俊梅王红艳
- 文献传递
- Al，Fe，Mg掺杂Li2MnSiO4的电子结构和电化学性能的第一性原理研究被引量：3
- 2015年
- 硅酸锰锂作为锂离子电池正极材料因具有高的理论电容量而一直备受关注,但其较低的导电率和较差的循环性能阻碍了进一步的发展.采用第一性原理广义梯度近似GGA+U的方法,研究了Al,Fe,Mg掺杂Li2MnSiO4的电子结构、脱嵌锂电压和导电性.研究发现,Al掺杂的Li2Mn0.5Al0.5Si O4结构中载流子的数目增加,电子自旋向上和向下的态密度均穿过费米能级,呈现金属特性,提高了体系的导电率.脱锂LixMnSiO4(x=1,0)结构中,通过计算一次脱锂相结构的形成能得到Al掺杂的一次脱锂结构最稳定,并且Al掺杂的脱锂相结构体积变化小,有利于材料循环性能的提高,同时第一个锂离子脱嵌电压与未掺杂时(4.2 V)相比降低到2.7 V.Fe掺杂降低了Li2MnSiO4的带隙,第一个锂离子脱嵌电压降低到3.7 V.研究表明,Al的掺杂效果优于Fe和Mg,更利于硅酸锰锂电化学性质的提高.
- 嘉明珍王红艳陈元正马存良王辉
- 关键词：第一性原理导电率
- 分子-金属纳米粒子复合体系表面增强拉曼散射(SERS)增强机理
- <正>采用量子力学结合经典电动力学的计算方法,研究了吸附在金属纳米粒子上的生物分子的表面增强拉曼光谱,从物理增强和化学增强两方面阐明了表面增强拉曼光谱的增强机理。
- 王红艳
- 文献传递
- 黄曲霉素B_2分子吸附在银团簇的表面增强拉曼散射机理被引量：1
- 2014年
- 采用密度泛函理论(DFT)B3LYP方法,6-311G(d,p)(C,H,O)/LANL2DZ(Ag)基组,计算了黄曲霉素B2(AFB2)分子吸附在Ag2团簇的表面增强拉曼散射(SERS)光谱和预共振拉曼光谱,并与实验结果比较.结果显示:AFB2分子在基态Ag2团簇表面吸附时,增强因子最大达到102,对应吡喃(pyrane)环C=O伸缩振动,主要是由AFB2分子周围化学环境改变而引起的基态静极化率改变导致的化学增强.不同激发波长下的AFB2分子预共振拉曼光谱的增强强度不同:电荷转移态激发波长为1144和544 nm时拉曼信号增强了102倍,而选择电荷转移预共振波长432和410 nm作为入射光时,其拉曼信号增强了104倍,增强机理为银团簇和黄曲霉素分子之间的电荷转移共振增强.因此通过改变入射光波长,选择电荷转移共振激发波长,更有利于强致癌物AFB2分子的痕量检测.
- 高思敏王红艳林月霞吴颖曦胡军
- 关键词：表面增强拉曼散射光谱
- 密度泛函理论研究黄曲霉素B1的表面增强拉曼散射效应
- 2014年
- 用密度泛函理论B3LYP方法和6—311G（d，p）／Lan12DZ优化得到黄曲霉素B1（AFBI）分子及其复合物AFB1-Ag的稳定结构，并计算了复合物的表面增强拉曼光谱和预共振拉曼光谱．结果表明，AFB1分子的拉曼光谱很大程度依赖于吸附位点以及入射光的激发波长．与分子的常规拉曼光谱相比，复合物表面增强拉曼光谱中C=O伸缩振动模的增强因子约为10^2—10^3，是由于复合物的极化率增强而导致的静态化学增强，并分析了振动模式的振动方向与其拉曼强度的关系．选择复合物最大吸收峰附近激发光266和482nm以及远离共振吸收波长785和1064nm作为入射光，计算得到不同入射光激发下复合物的预共振拉曼光谱．结果表明其增强因子最大达N100量级，主要是由电荷转移产生的共振增强引起的．
- 高思敏王红艳林月霞
- 关键词：黄曲霉素B1密度泛函理论表面增强拉曼散射
- 三角缺口正三角形纳米结构的共振模式
- 2014年
- 设计了一个三角缺口三角形破缺纳米结构,它是从正三角形底边切掉一个三角切片所构成.应用离散偶极子近似方法研究了其消光光谱及表面电场分布.结果发现,该破缺纳米结构的消光光谱中出现了具有Fano共振的线形.分析表明,这个Fano共振线形是由绑定与反绑定混合表面等离激元模式相互作用所致.研究了三角缺口三角形纳米结构的结构参数对Fano共振的影响.
- 张志东高思敏王辉王红艳
- 关键词：消光光谱
- Na^+替位掺杂对Li_2MnSiO_4的电子结构以及Li^+迁移过程的影响被引量：3
- 2016年
- 在锂二次电池中,硅酸锰锂作为正极材料得到广泛研究,但其固有的电子和离子电导率较低,直接影响着电池的功率密度和充放电速率.本文建立了不同浓度的Na^+离子替位掺杂Li^+离子形成的Li_(1-x)Na_xMnSiO_4(X=0,0.125,0.25,0.5)结构,采用第一性原理的方法,研究了掺杂前后硅酸锰锂的电子结构以及Li^+离子的跃迁势垒.发现在Li^+位替代掺杂Na^+,导带底的能级向低能方向发生移动,降低了Li_2MnSiO_4材料的禁带宽度,有利于提升材料的电子导电性能.随着掺杂浓度的升高,禁带宽度逐渐变窄.CI-NEB结果表明,在Li_2MnSiO_4体系中具有两条有效的Li^+离子迁移通道,掺杂Na^+以后扩大了Li^+离子在[100]晶向上的迁移通道,Li^+离子的跃迁势垒由0.64 eV降低为0.48,0.52和0.55 eV.掺杂浓度为x=0.125时,离子迁移效果最佳.研究表明Na^+掺杂有利于提高Li_2MnSiO_4材料的离子和电子电导率.
- 嘉明珍王红艳陈元正马存良
- 关键词：电子结构
