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中央民族大学青年教师科研基金(CUN07A)

作品数：1 被引量：3H指数：1
相关作者：陈少武杨笛余金中陈媛媛更多>>
相关机构：中央民族大学中国科学院更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇热光开关
  • 1篇开关时间
  • 1篇光开关
  • 1篇SOI

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇中央民族大学

作者

  • 1篇陈媛媛
  • 1篇余金中
  • 1篇杨笛
  • 1篇陈少武

传媒

  • 1篇光电子．激光

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
一种新型2×2 SOI热光开关被引量：3
2007年
设计并制作了一种新型的SOI 2×2马赫-曾德(MZ)热光开关。这种光开关采用了深刻蚀结构的配对多模干涉耦合器,同时,为了保证单模传输和调制,在连接波导和调制臂区域采用了浅刻蚀结构。深刻蚀结构增强了多模干涉耦合器对光场的限制,有利于自映像质量的提高,从而减少了自映像损耗和不均衡度,同时也提高了制作容差。基于强限制配对干涉耦合器的新型热光开关,其插入损耗为-11.0 dB,其中包括光纤-波导耦合损耗-4.3 dB,上升和下降开关时间分别为3.5μs和8.8μs。
杨笛余金中陈少武陈媛媛
关键词：热光开关SOI开关时间
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