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国家自然科学基金(5087214)

作品数：1 被引量：4H指数：1
相关作者：贾海强马紫光王小丽徐培强陈耀更多>>
相关机构：中国科学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇金属有机物
  • 1篇金属有机物化...
  • 1篇高分辨X射线...
  • 1篇SIN
  • 1篇SINX
  • 1篇GAN
  • 1篇MOCVD

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇陈弘
  • 1篇江洋
  • 1篇陈耀
  • 1篇徐培强
  • 1篇王小丽
  • 1篇马紫光
  • 1篇贾海强

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
SiN_x插入层的生长位置对GaN外延薄膜性质的影响(英文)被引量：4
2011年
系统研究了纳米量级的多孔SiNx插入层生长位置对高质量GaN外延薄膜性质的影响。高分辨X射线衍射测量结果表明:SiNx插入层生长在GaN粗糙层上能够得到最好的晶体质量。利用测量结果分别计算出了螺位错和刃位错的密度。此外,GaN薄膜的光学、电学性质分别用Raman散射能谱、低温光致发光能谱和霍尔测量的方法进行了表征。实验发现:SiNx插入层的生长位置对GaN薄膜的应变大小基本没有影响;但插入层的位置改变了薄膜中的本征载流子浓度。
马紫光王文新王小丽陈耀徐培强江洋贾海强陈弘
关键词：GANSINX高分辨X射线衍射
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