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国家自然科学基金(61290305)

作品数:3 被引量:5H指数:1
相关作者:吴惠桢胡古今朱贺戴宁张兵坡更多>>
相关机构:浙江大学中国科学院国科大杭州高等研究院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇等离激元
  • 1篇低电阻率
  • 1篇电极
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇电阻率
  • 1篇深空
  • 1篇天文
  • 1篇离子注入
  • 1篇高阻
  • 1篇硅基
  • 1篇红外
  • 1篇红外探测
  • 1篇红外探测材料
  • 1篇高剂量
  • 1篇ORBITA...
  • 1篇ROU
  • 1篇SYMMET...
  • 1篇ANOMAL...
  • 1篇表面等离激元

机构

  • 2篇浙江大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇国科大杭州高...

作者

  • 2篇吴惠桢
  • 1篇王淼
  • 1篇张兵坡
  • 1篇戴宁
  • 1篇朱贺
  • 1篇胡古今

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇中国科学:物...
  • 1篇npj Co...

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2015
  • 1篇2014
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
The origin of electronic band structure anomaly in topological crystalline insulator group-Ⅳ tellurides
2015年
Group-Ⅳ tellurides have exhibited exotic band structures.Specifically,despite the fact that Sn sits between Ge and Pb in the same column of the periodic table,cubic SnTe is a topological crystalline insulator with band inversion,but both isovalent GeTe and PbTe are trivial semiconductors with normal band order.By performing first-principles band structure calculations,we unravel the origin of this abnormal behaviour by using symmetry analysis and the atomic orbital energy levels and atomic sizes of these elements.In group-Ⅳ tellurides,the s lone pair band of the group-Ⅳ element is allowed by symmetry to couple with the anion valence p band at the L-point,and such s–p coupling leads to the occurrence of bandgap at the L-point.We find that such s–p coupling is so strong in SnTe that it inverts the band order near the bandgap;however,it is not strong enough in both GeTe and PbTe,so they remain normal semiconductors.The reason for this is the incomplete screening of the core of the relatively tight-binding Ge 4s orbital by its 3d orbitals and the large atomic size and strong relativistic effect in Pb,respectively.Interestingly,we also find that the rhombohedral distortion removes the inversion symmetry and the reduced s–p coupling transforms theα-SnTe back to a normal semiconductor.Our study demonstrates that,in addition to spin–orbital coupling,strain and interface dipole fields,inter-orbital coupling is another effective way to engineer the topological insulators.
Zhen-Yu YeHui-Xiong DengHui-Zhen WuShu-Shen LiSu-Huai WeiJun-Wei Luo
关键词:TOPOLOGICALORBITALSYMMETRY
高剂量As离子注入对高阻Si电学特性的影响被引量:4
2014年
为了实现低电阻率厚度为纳米级的红外探测器电极材料,通过离子注入的方法将高浓度的As掺入高阻单晶硅,并经过快速退火处理,获得了厚度~200 nm、电阻率为10-4?·cm的Si:As电极层.原子力显微镜测试结果表明,离子注入的样品表面依然较平整,表面均方根粗糙度仅为0.5 nm.使用聚焦离子束设备(FIB)制备高分辨透射电镜(HRTEM)样品,高浓度的As掺入虽然会损伤Si晶格、引入大量的缺陷,但是HRTEM观察表明合适的退火工艺能够使得完整晶格得到恢复,而且霍尔效应和扩展电阻的测量分析表明,用离子注入方法制备的Si:As层载流子浓度达到2.5×1020cm-3、电子迁移率高于40 cm2/V·s,具有优异的电学性能,适合用作各种Si基光电器件的背电极.
朱贺张兵坡王淼胡古今戴宁吴惠桢
关键词:离子注入低电阻率
硅基阻挡杂质带红外探测材料与器件研究进展被引量:1
2021年
红外探测在天文物理研究领域具有极其重要的应用前景,由于天文深空探测对象的特殊性,对红外探测器的性能要求十分苛刻.阻挡杂质带(BIB)红外探测器,因其具有响应波段宽、噪声低、灵敏度高以及抗辐射性能好等优点,在过去30年中发展成为国际上天文领域首选的红外探测器.BIB红外探测器的探测波长覆盖中红外到远红外波段,它的推广应用促进人类在天文深空探测领域取得了一系列重大的科学成果.我国在BIB红外探测器的研究起步较晚,近年来也取得了较大进展,但是与国际领先水平相比尚有较大差距.本文主要回顾、评述了过去5年多我国在BIB红外探测器领域的研究进展,对BIB红外探测材料及其相应BIB器件的制备工艺、物性表征和光电响应特性,以及表面等离激元对器件光电响应的调控等做了详尽介绍,为我国BIB红外探测器的发展提供参考和实验依据.
朱家旗朱贺徐翰纶王垚陈岩松刘梦娟吴惠桢
关键词:表面等离激元
共1页<1>
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