教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-08-0380)
- 作品数：8 被引量：4H指数：1
- 相关作者：汪渊安竹陈顺礼刘望张伟更多>>
- 相关机构：四川大学四川理工学院西安交通大学更多>>
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- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 梯度α-Ta(N)/TaN双层阻挡层的制备及性能表征被引量：1
- 2012年
- 提出了一种梯度氮化法制备出低阻、高稳定性的α-Ta(N)/TaN双层Cu扩散阻挡层。该方法有效地避免了异质元素的引入和高N含量导致的高电阻率。用四点探针(FPP)、X射线衍射(XRD)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)进行薄膜电性能和结构的表征。分析结果表明,梯度氮化工艺能调控金属Ta膜的相结构和金属Ta中的N原子浓度,从而获得低阻α-Ta(N)/TaN双层Cu扩散阻挡层结构。600高温老化退火的实验结果进一步证明此结构具有高的热稳定性。
- 刘春海罗宏金永中宋忠孝陈顺礼汪渊安竹刘明
- 关键词：扩散阻挡层电阻率微结构
- 界面对ZrN/TaN纳米多层膜固氦性能的影响
- 2013年
- 采用射频磁控溅射方法,在混合气氛下制备了ZrN/TaN多层膜.利用X射线衍射、慢正电子束分析、增强质子背散射、扫描电子显微镜,分别对ZrN/TaN多层膜中相结构、氦相关缺陷、氦含量、截面形貌等进行了分析.结果表明,调制周期为30 nm的ZrN/TaN多层膜在600°C退火后,氦的保持率仍能达到45.6%.在适当的调制周期下,ZrN/TaN多层膜能够耐氦损伤并且其界面具有一定的固氦性能.
- 王飞刘望邓爱红朱敬军安竹汪渊
- 关键词：ZRNTAN纳米多层膜固氦
- 氦对铜钨纳米多层膜界面稳定性的影响被引量：1
- 2012年
- 采用射频磁控溅射方法,分别在纯Ar和Ar,He混合气氛下制备了多个不同调制周期的Cu/W纳米多层膜.利用增强质子背散射(EPBS)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)分别对Cu/W多层膜中He含量、截面形貌和相结构进行了分析.结果表明:多层膜的界面稳定性是耐氦损伤的前提和保证.在适当的调制周期下,纳米多层膜能有抑制氦泡成核及长大的能力.
- 刘望邬琦琦陈顺礼朱敬军安竹汪渊
- 关键词：纳米多层膜
- 纳米晶Li_4Ti_5O_(12)薄膜射频磁控溅射合成与表征
- 2014年
- 采用射频磁控溅射并结合超高真空热处理工艺在不锈钢基底上制备出了纳米晶Li4Ti5O12薄膜.利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)考察退火温度对薄膜结构、形貌的影响.并通过恒流充放电技术初步考察薄膜的电化学性能.研究结果表明,在550℃-750℃退火温度下制备了具有明显择优取向的纳米晶Li4Ti5O12薄膜.其中650℃退火Li4Ti5O12薄膜结晶最完善,具备一定的充放电性能,有明显的充放电平台,比容量达到60μAh cm-2μm-1,可进一步研究作为薄膜锂电池阳极材料.
- 王一航汪渊
- 关键词：LI4TI5O12纳米晶薄膜磁控溅射薄膜锂电池
- 梯度α-Ta(N)/TaN扩散阻挡层的微结构与热稳性定
- 2012年
- 本文提出了一种梯度氮化法制备出低阻、高稳定性的α-Ta(N)/TaN双层Cu扩散阻挡层,该方法有效地避免了异质元素的引入和高N含量导致的高电阻率.用四点探针(FPP)、X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)进行薄膜电性能和微结构的表征.分析结果表明,梯度氮化工艺能调控金属Ta膜的相结构,从而获得低阻α-Ta(N)/TaN双层Cu扩散阻挡层结构.高温老化退火的实验结果进一步证明此结构具有高的热稳定性,失效温度高达800℃.
- 刘春海尹旭安竹宋忠孝汪渊
- 关键词：扩散阻挡层电阻率微结构
- 常温低氮氩比下(002)择优取向氮化铝薄膜的制备
- 2011年
- 常温下采用反应射频磁控溅射方法在玻璃基底上制备出(002)单一择优取向柱状结构的氮化铝薄膜,通过XRD分析发现溅射功率为80W、溅射气压为0.20 Pa、氮气与氩气比为5%时,氮化铝(002)晶体衍射峰最强,通过FESEM表面及截面分析表明在此条件下得到的氮化铝薄膜表面较平整、致密性较好.
- 孙化冬彭冬香张伟张立东刘望汪渊
- 关键词：AIN薄膜射频反应磁控溅射沉积速率
- 纳米晶钨膜的沉积工艺研究及微结构表征被引量：1
- 2015年
- 采用射频测控溅射方法,在Ar/He混合气氛下制备了纳米晶钨膜;利用增强质子背散射、慢正电子束分析和X射线衍射分析分别对钨膜中钨原子沉积情况、空位型缺陷分布及微结构进行了分析.结果表明:纳米晶钨膜具有完好的体心立方晶体结构,沿(110)方向生长;微量的氦掺入有助于钨原子沉积,同时也有利于制备均匀性和热稳定性较好的厚钨膜.
- 王玲邓爱红汪渊王康王一航王飞安竹
- 关键词：金属材料磁控溅射
- Cu/Sn比率对Cu_2SnSe_3薄膜若干物理性质的影响被引量：1
- 2012年
- 利用射频(RF)磁控溅射在玻璃基片上共溅射沉积Cu-Sn预制膜。采用固态硒化法,制备Cu/Sn化学计量比在1.87～2.22之间的Cu2SnSe3薄膜。研究了Cu/Sn比率对Cu2SnSe3薄膜的晶体结构、微结构、光学性能以及电学性能的影响。X射线衍射(XRD)结果表明,所制备的Cu2SnSe3薄膜为立方晶体结构,具有(111)择优取向;贫铜的Cu2SnSe3薄膜光学带隙Eg随着Cu/Sn比率增大而增大;富铜的Cu2SnSe3薄膜光学带隙Eg随着Cu/Sn比率增大而不变。薄膜电阻率为1.67～4.62mΩ.cm。
- 张伟陈顺礼汪渊
- 关键词：物理性质
