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MoO3和SiO2掺杂对Ce0.8ND0.2O1.9固体电解质结构和导电性能的影响被引量：2: 2011年; 采用溶胶-凝胶法合成高纯(<50 mg·kg-1 SiO2)Ce0.8Nd0.2O1.9(NDC)和SiO2含量为500 mg·kg-1的Ce0.8Nd0.2O1.9(NDCSi)体系,将1mol%MoO3分别加入到NDC和NDCSi体系,比较研究MoO3掺杂对体系微观结构和电性能的影响。通过X射线衍射(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)对材料进行表征,交流阻抗(AC)分析仪测试材料的电阻。结果表明:MoO3和SiO2的加入均没有破坏体系的立方莹石结构;MoO3掺杂能提高NDC和NDCSi陶瓷材料的致密度,提高其晶界电导率和总电导率;MoO3掺入NDC体系具有烧结助剂的作用,掺入NDCSi体系既具有烧结助剂的作用,又具有晶界改善剂的作用。; 赵桂春周德凤杨梅夏燕杰孟健; 关键词：烧结助剂电导率

MoO_3/V_2O_5异质结构材料的静电纺丝法制备及光催化性能被引量：4: 2014年; 以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、四水合钼酸铵[(NH4)6Mo7O24·4H2O]和偏钒酸铵(NH4VO3)为原料,利用静电纺丝技术结合溶胶-凝胶法制备了在可见光区具有高光催化活性的MoO3/V2O5异质结构半导体光催化剂.采用X射线衍射光谱(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、X射线光电子能谱(XPS)和紫外-可见(UV-Vis)漫反射光谱等测试手段对材料进行了表征.以光降解亚甲基蓝(MB)为模型反应,考察了MoO3/V2O5异质结构材料的光催化性能.结果表明,n(Mo)/n(V)>1∶8时均能形成MoO3/V2O5异质结构且带隙明显宽于V2O5,可有效地实现光生电子和空穴的分离,增强体系的量子效率,促进光催化活性的提高,其中n(Mo)/n(V)=1∶6时光催化活性最高(达到97.24%),并分析和探讨了光催化机理.; 揣宏媛周德凤朱晓飞杨国程李朝辉; 关键词：光催化剂静电纺丝法

MgO或Fe_2O_3掺杂Ce_(0.8)Nd_(0.2)O_(1.9)固体电解质的结构和电性能被引量：6: 2012年; 采用溶胶-凝胶法合成SiO2含量为0.05%(w,质量分数)的Ce0.8Nd0.2O1.9(NDC)粉体(NDCSi).分别将0-2.0%(x,摩尔分数)的MgO或FeO1.5添加到NDCSi粉体中,经10MPa压片后于1300°C烧结6h.采用X射线衍射(XRD)、拉曼(Raman)光谱和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)对样品进行结构表征.采用交流(AC)阻抗谱测试样品导电性能.结果表明:所有样品均呈现单一立方萤石结构.MgO或Fe2O3掺杂于NDCSi体系,均可提高材料的致密度,降低烧结温度,提高材料的晶界电导率和总电导率.掺杂MgO或Fe2O3样品的相对密度(>93%)高于NDC或NDCSi(约86%),有效促进了样品致密化.掺杂Fe2O3或MgO的样品(NDCSi+0N.D5FCeSOi样1.5或品总ND电C导Si率+2(.10.M1×g1O0)-具3S有·c最m高-1)电的导5.7率和,525.60倍°C.M时g总O电或导Fe率2O分3掺别杂是于6.N3D×C10S-i3样或品2.对9×晶10界-3电S·导c率m-的1,是影响比晶粒电导率更明显.MgO或Fe2O3掺杂于NDCSi均具有烧结助剂和晶界清除剂的双重作用,但清除杂质SiO2的机制不同.; 刘建伟周德凤杨梅罗飞孟健; 关键词：固体电解质烧结助剂

TiO_2/LaFeO_3微纳米纤维的可控制备及光催化性能被引量：20: 2014年; 利用静电纺丝技术及水热合成法制备了TiO2/LaFeO3异质结构.采用场发射扫描电子显微镜(FESEM),X射线衍射(XRD),傅里叶变换红外(FTIR)光谱和紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis)等手段对TiO2/LaFeO3微纳米纤维的结构和表面形态进行表征.通过亚甲基蓝(MB)光降解反应研究了其光催化性能.结果表明,不完全碳化TiO2纤维表面的缺陷位点是LaFeO3纳米粒子的有利生长点.TiO2/LaFeO3异质结材料的带隙明显窄于TiO2,光催化活性得到提高;经140 min紫外光照射后,TiO2/LaFeO3异质结催化剂对MB的降解率为65.34%,分析和探讨了其光催化机理.; 刘阳季宏伟周德凤朱晓飞李朝辉; 关键词：TIO2 LAFEO3 静电纺丝法水热合成法光催化性能

静电纺丝法制备V_2O_5微纳米棒及光催化性能被引量：3: 2013年; 以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和偏钒酸铵(NH4VO3)为原料,利用静电纺丝技术结合溶胶过程制备PVP/NH4VO3纤维,对纤维缓慢控温处理制备V2O5微纳米棒。采用热重-差热分析(TG-DTA)、X射线衍射光谱(XRD)、傅立叶红外光谱(FT-IR)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、X射线光电子能谱(XPS)和紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis)技术手段对V2O5微纳米棒的结构和表面形态进行表征。以亚甲基蓝(MB)的光降解为模型反应,研究V2O5微纳米棒的光催化性能。结果表明:热处理温度对催化剂表面形态和晶相的生长有明显影响,550℃煅烧的V2O5微纳米棒在可见光区对MB的光降解效率最高,并分析和探讨了可能的光催化机理。; 罗飞周德凤杨国程刘建伟李朝辉孟健; 关键词：静电纺丝法 V2O5 光催化性能

过渡金属氧化物掺杂Ce_(0.8)Nd_(0.2)O_(1.9)固体电解质的结构和电性能被引量：3: 2012年; 采用溶胶凝胶法合成Ce0.8Nd0.2O1.9(NDC)粉体,分别将1%(x,摩尔分数)的过渡金属氧化物(Transitional Metal Oxides,TMOs)MnO2,FeO1.5或CoO添加到NDC粉体中,经10MPa压片后于1 300℃烧结6h。用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)对样品进行结构表征,采用交流阻抗谱(AC)测试样品导电性能。结果表明,MnO2,Fe2O3或CoO对NDC均可有效促进样品的致密化,增加相对致密度和提高NDC的晶粒电导率;1%(x)MnO2或1%(x)CoO的掺杂对NDC的晶界电导率产生有害的影响,掺杂1%(x)FeO1.5对NDC晶界杂质SiO2有一定的清除作用,提高晶界电导率。Fe2O3不仅是一种良好的烧结助剂,而且是一种有效的晶界清除剂。; 周德凤刘建伟杨国程李朝辉罗飞; 关键词：固体电解质氧化铈过渡金属氧化物电导率

MoO_3掺杂对高纯Zr_(0.84)Y_(0.16)O_(1.92)体系结构和电性能的影响: 2012年; 采用溶胶-凝胶法合成高纯(SiO2<50 mg/kg)Zr0.84Y0.16O1.92+x MoO3(0.00≤x≤0.07)固溶体,研究MoO3的掺杂量对Zr0.84Y0.16 O1.92体系结构和电性能的影响。通过X射线衍射(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)对材料进行表征,交流阻抗谱(AC)测试材料的电性能。结果表明,掺入MoO3后,体系仍保持立方莹石型结构;MoO3掺杂于Zr0.84Y0.16O1.92固体电解质的最佳掺量为0.05%;MoO3具有降低体系烧结温度、促进晶粒生长和提高体系致密度的作用,掺入MoO3的Zr0.84Y0.16O1.92体系晶界电导率和总电导率提高。; 王淼李朝辉杨梅周德凤; 关键词：固体电解质烧结助剂电导率

Bi_2WO_6的静电纺丝法制备及其光催化性能被引量：5: 2012年; 以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、钨酸铵[(NH4)10W12O41]和柠檬酸铋铵(C6H13BiN2O7.H2O)为原料,利用静电纺丝技术成功制备了PVP/C6H13BiN2O7.H2O-(NH4)10W12O41(简写为PVP/BiWO)前躯体,对PVP/BiWO缓慢控温处理制得Bi2WO6。采用差热-热重分析(TG-DTA)、X射线粉末衍射(XRD)、傅里叶红外光谱(FTIR)、X-射线光电子能谱(XPS)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、紫外可见漫反射(UV-Vis-NIR/DR)等分析手段研究热处理温度对材料结构的影响,通过罗丹明B(RhB)光降解反应研究其光催化性能。结果表明,可见光照射下,热处理温度600℃时材料的光催化活性最好,并探讨了其光催化机理。; 沈琳周德凤孟健; 关键词：静电纺丝光催化活性

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吉林省科技发展计划基金(20101549)