山西省回国留学人员科研经费资助项目(2009-03)
- 作品数：11 被引量：41H指数：4
- 相关作者：梁建赵君芙许并社马淑芳赵国英更多>>
- 相关机构：太原理工大学更多>>
- 发文基金：山西省回国留学人员科研经费资助项目国家自然科学基金山西省高等学校科技开发基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信化学工程更多>>
- CdSe薄膜的制备及性能表征被引量：18
- 2011年
- 室温下,以CdSO4、H2SeO3和Na2SO4为原料,采用二电极体系,利用电化学法在ITO玻璃基底上沉积了CdSe薄膜。采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见-近红外(UV-VIS-NIR)分光光度计、荧光分光光度计(PL)对不同沉积电压下所制备的薄膜的晶体结构、形貌及光学性能进行分析表征。结果表明:所制备的薄膜为立方相CdSe,呈纳米颗粒状,部分粒子表现出不均匀团聚。紫外吸收光谱的吸收峰较体相CdSe有较大的蓝移,且导致禁带宽度发生改变,表现出量子尺寸效应。样品发射光谱表现出荧光现象,且单色性好。适当的沉积电压对CdSe薄膜的形貌和质量起关键作用,同时讨论了其反应机理。
- 黄平李婧梁建赵君芙马淑芳许并社
- 关键词：电化学沉积CDSE薄膜禁带宽度沉积电压
- 金属缓冲层上生长GaN薄膜的结构、发光性能及其生长机理被引量：1
- 2011年
- 为了解决硅衬底与GaN之间的晶格失配和热失配问题,实验尝试采用常压化学气相沉积法(APCVD),分别以金属镓(Ga)和氨气(NH3)为镓源和氮源,在加入Al、Au/Al两种金属缓冲层和不加缓冲层的硅衬底上生长氮化镓(GaN)薄膜。采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、X-ray能谱仪(EDS)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和光致发光能谱(PL)对样品进行了结构、成分、形貌和发光性能分析,结果表明,生成物均为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜,但其形貌和发光性能各异。在加入金属缓冲层后,GaN薄膜的致密度和结晶性能均提高,而且其生长取向随之发生了显著变化,光强度也有所增强。最后,对在不同缓冲层上GaN薄膜的生长机理进行了初步探讨。
- 梁建赵丹赵君芙马淑芳邵桂雪许并社
- 关键词：GAN
- Zn掺杂之字形GaN纳米管的制备及性能表征
- 分别以氧化镓、氧化锌和氨气作为镓源、锌源和氮源,通过化学气相沉积法在喷金的Si（100）衬底上生长Zn掺杂之字形GaN纳米管。以场发射扫描电镜（FESEM）、X-射线衍射仪（XRD）、光致发光仪（PL）等测试方法对其成分...
- 王晓宁梁建赵君芙张华马淑芳许并社
- 关键词：氮化镓纳米管
- 文献传递
- 水热法合成氧化锌纳米棒及其表面改性的研究
- 以ITO导电玻璃作为衬底,采用水热法制备出了氧化锌纳米棒阵列,研究了反应温度、反应时间及反应物浓度等实验条件对其微观结构与表面形貌的影响。利用X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对样品进行了分析测试,结果表明:...
- 安峰贾伟赵君芙张华梁建许并社
- 关键词：水热法氧化锌纳米棒阵列
- 文献传递
- 磷化铟纳米线的溶剂热制备及其表征被引量：4
- 2011年
- 以氯化铟和无毒红磷为主要原料,十六烷基三甲基溴化铵为表面活性剂,采用溶剂热法低温合成磷化铟纳米线,并用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电镜(FESEM)对所制备产物的结构和形貌进行了分析表征;能谱仪(EDS)和荧光分光光度计对所制备产物的成分,含量和发光性质进行了表征。结果表明:采用该方法制备出的磷化铟纳米线长短不同,最小直径为20 nm。在合适的条件下,改变反应温度、增加反应时间或改变碱溶液都可生长出高品质的磷化铟纳米线。
- 梁建赵国英赵君芙张华贾伟
- 关键词：溶剂热磷化铟十六烷基三甲基溴化铵纳米线
- 复合脉冲电沉积制备GaAs薄膜
- 复合脉冲电镀沉积法是近年来新兴的复合材料电沉积技术。本研究以Ga与As2O3为镓源与砷源,铂片为对电极,饱和甘汞电极为参比电极,采用复合脉冲电沉积法在SnO2导电玻璃衬底上制备得到GaAs薄膜。利用高分辨X射线衍射仪（H...
- 刘晶章海霞赵君芙马淑芳梁建许并社
- 关键词：电沉积砷化镓
- 文献传递
- 不同掺杂元素对GaN薄膜影响的研究进展
- GaN是一种宽带隙直接跃迁半导体,具有高热导率,高的热稳定性,高的击穿电压,介电常数小,发光效率高等优势,因此,近年来GaN薄膜的发展非常迅速,GaN在半导体领域有着重要地位,而高质量GaN薄膜的掺杂制备一直是研究者关注...
- 尚林赵君芙张华梁建许并社
- 关键词：GAN薄膜掺杂发光性能
- 文献传递
- 白光LED用红色荧光粉制备与性能的研究进展
- 荧光粉作为白光LED的配套材料,其性能优劣直接影响到白光LED的发光效率、亮度以及显色性等。目前白光LED显色指数偏低,色温偏冷主要是由于荧光粉中缺少红光成分。Eu3+、Sm3+是最常用的红色荧光粉的发光中心,传统红色荧...
- 郭颂刘红利赵君芙张华梁建许并社
- 关键词：白光LED红色荧光粉共掺杂
- 文献传递
- 不同金属催化剂对GaN形貌及其性能影响的研究进展
- GaN纳米材料在蓝光发光二极管等方面显示出了极大的发展潜力,因此低成本、高性能的GaN纳米材料的制备已成为科学研究者倍受关注的热点之一。众多研究发现在制备过程中,采用不同催化剂对生成GaN的形貌及其性能有着显著的影响,筛...
- 朱琳赵君芙张华梁建许并社
- 关键词：金属催化剂GAN纳米材料
- 文献传递
- 采用Al缓冲层在蓝宝石衬底上合成GaN多晶薄膜
- 2011年
- 采用CVD法以金属镓(Ga)和氨气(NH3)为原料,在镀有Al膜的蓝宝石衬底上成功地制备了GaN多晶薄膜。采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射电子扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和光致发光能谱(PL)对样品进行了成分、形貌、表面粗糙度和发光性能分析。结果表明,制备的GaN薄膜为结晶性较好的六方纤锌矿GaN多晶薄膜,用266nm的激光作为激发光源时,光致发光谱中除出现354nm的近带边发射峰外,同时还观察到中心波长位于530nm附近的黄光发光峰及中心波长位于约637nm的红光发光峰。
- 赵君芙赵丹梁建马淑芳许并社
- 关键词：半导体CVD法
