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硅基多孔氧化铝薄膜中的裂纹被引量：1: 2000年; 我们利用硫酸阳极氧化硅基铝膜成功地制备了多孔型硅基氧化铝模板。通过HRTEM观察 ,我们发现氧化铝薄膜中主要存在 3种类型的裂纹 :界面裂纹、孔底裂纹和孔壁裂纹。其中界面裂纹呈波浪型 ,其走向平行于硅铝界面 ;而孔底裂纹则基本垂直于硅基表面。由于铝膜中缺陷 (如晶界、位错、空位等 )的影响 ,铝膜腐蚀氧化中体积膨胀具有不均匀性 ,所以局部应力集中并释放是造成这两种裂纹的根本原因。另外 ,裂纹产生使得局域腐蚀面积增大 ,从而造成局域溶液浓度迅速下降 ,这使得局域孔的生长速率变慢。这一效应和应力的共同作用将影响孔的形状并使得有些孔停止生长。我们认为这是孔自组织排列的一个可能机制。值得注意的是孔底裂纹作为原子扩散的通道 ,使得孔底物质和下金属电极层可以穿过氧化铝绝缘层经由扩散而形成的这一金属原子富集区而导通 ,这一结构特征为利用硅基多孔氧化铝模板原位合成高有序度低维纳米量子器件提供了重要保证。; 濮林朱健民吴俊辉邹建平周舜华鲍希茂李齐冯端; 关键词：自组织机制

硅基底电子束蒸发铝膜阳极氧化特性被引量：8: 2000年; 研究了硅衬底上电子束蒸发铝膜 ,在 H2 SO4 水溶液中阳极氧化形成硅衬底多孔氧化铝复合结构的过程 .硅衬底电子束蒸发铝膜的阳极氧化过程主要由多孔氧化铝的生长、氧化铝生长向氧化硅生长的过渡和氧化硅生长三个阶段构成 .硅衬底多孔氧化铝复合结构的透射电子显微镜观察表明 ,在硅衬底上形成了垂直于硅表面的氧化铝纳米孔 ,而孔底可形成 Si O2 层 .有序结构多孔氧化铝的形成不依赖于铝膜的结晶状态 ,而是由阳极氧化过程的自组织作用所决定的 .实验表明将多孔氧化铝制备工艺移植到硅基衬底上直接形成硅基衬底多孔氧化铝复合结构是可行的。; 邹建平吴俊辉朱青濮林朱健民鲍希茂; 关键词：多孔氧化铝阳极氧化电子束蒸发铝膜硅基底

Ge覆盖多孔硅结构的桔绿光发射被引量：3: 2001年; 使用 5 14 .5 nm Ar+激光检测了 Ge覆盖多孔硅结构的光致发光谱 (PL) ,观察到峰位 2 .2 5 e V,半峰宽约 0 .1e V的一个新的桔绿发光峰 .随着覆盖 Ge薄膜的加厚 ,这个桔绿发光峰的峰位保持不变 ,但发光强度显著下降 .实验和分析结果表明 ,该桔绿发光峰源于多孔硅和嵌于其孔中的 Ge纳米晶粒两者界面中的; 唐宁吴兴龙顾沂鲍希茂; 关键词：光致发光光谱分析锗

Au/(SiO_2/Si/SiO_2)纳米双势垒/n^+-Si结构的电致发光研究被引量：1: 2000年; 利用射频磁控溅射方法 ,在n+ Si衬底上淀积SiO2 /Si/SiO2 纳米双势垒单势阱结构 ,其中Si层厚度为 2至 4nm ,间隔为 0 .2nm ,邻近n+ Si衬底的SiO2 层厚度固定为 1.5nm ,另一SiO2 层厚度固定为 3nm .为了对比研究 ,还制备了Si层厚度为零的结构 ,即SiO2 (4.5nm) /n+ Si结构 .在经过 6 0 0℃氮气下退火 30min ,正面蒸上半透明Au膜 ,背面也蒸Au作欧姆接触后 ,所有样品都在反向偏置 (n+ Si的电压高于Au电极的电压 )下发光 ,而在正向偏压下不发光 .在一定的反向偏置下 ,电流和电致发光强度都随Si层厚度的增加而同步振荡 ,位相相同 .所有样品的电致发光谱都可分解为相对高度不等的中心位于 2 .2 6eV(5 5 0nm)和 1.85eV(6 70nm)两个高斯型发光峰 .分析指出该结构电致发光的机制是 :反向偏压下的强电场使Au/ (SiO2 /Si/SiO2 )纳米双势垒 /n+ Si结构发生了雪崩击穿 ,产生大量的电子空穴对 ,它们在纳米SiO2 层中的发光中心 (缺陷或杂质 )上复合而发光 .; 孙永科衡成林王孙涛秦国刚马振昌宗婉华; 关键词：电致发光

高拉曼散射信号增强衬底材料:银分形网络被引量：2: 2007年; 基于扩散限制聚集过程机制合成的大型银分形网络被用作表面增强拉曼散射活性衬底材料。此衬底材料具有很好的拉曼增强特性以及很宽的动态响应范围。其较大的增强因子可归结为高度局域化的等离激元共振。; 沈剑沧; 关键词：表面增强拉曼散射

硅基纳米β-SiC量子点列阵的制备被引量：5: 2002年; 报道了用两步自组装法制备硅基纳米碳化硅量子点列阵. 先将两种硅烷偶联剂均匀有序地偶联到洁净的单晶硅片上,其中一种偶联剂能打破C60上的碳碳双键而使C60通过偶联剂均匀有序地分布在硅片的表面上. 然后用夹心法或覆盖法将样品在900oC的氮气氛中退火20 min,使C60分解成活性碳,与周围的硅原子结合生成碳化硅,碳化硅分子的自组装形成了碳化硅纳米晶粒(量子点),C60在硅表面的有序排列导致了纳米碳化硅量子点列阵形成.; 吴兴龙顾沂鲍希茂; 关键词：自组织生长纳米半导体

掺杂纳米硅薄膜中电子自旋共振研究被引量：2: 2001年; 研究了掺杂纳米硅薄膜 (nc ∶Si∶H)中的电子自旋共振 (ESR)及与之相关的缺陷态 .样品是用等离子体增强化学气相沉积方法制成 ,为两相结构 ,即纳米晶粒镶嵌于非晶本体之中 .对掺磷的nc Si∶H样品 ,测量出其ESR信号的 g值为 1.9990— 1.9991,线宽ΔHpp为 (4 0— 42 )× 10 -4 T ,ESR密度Nss为 10 17cm-3 数量级 .对掺硼的nc Si∶H样品 ,其ESR信号的 g值为 2 .0 0 76— 2 .0 0 78,ΔHpp约为 18× 10 -4 T ,Nss为 10 16cm-3 数量级 .结合有关这种薄膜的微结构及导电等特性分析 ,对上述ESR来源 ,其线宽及密度等进行了解释 .认为掺磷的ESR信号来源于纳米晶粒 /非晶本体界面处高密度缺陷态上的未配对电子 ,而掺硼的ESR信号来源于非晶本体中a; 刘湘娜徐刚毅眭云霞何宇亮鲍希茂; 关键词：纳米硅薄膜微结构电子自旋共振缺陷态掺杂

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