山东省自然科学基金(Y2002A09)
- 作品数：44 被引量：115H指数：6
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- 相关机构：曲阜师范大学鲁东大学滨州学院更多>>
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- 相关领域：理学电子电信机械工程一般工业技术更多>>
- 铜/多孔铝纳米有序阵列的近红外偏振特性研究被引量：1
- 2006年
- 利用二次阳极氧化法在稀硫酸溶液中制备了不同孔径的多孔铝模板,并用交流电化学沉积的方法在多孔铝中合成了铜纳米线。测量了铜/多孔铝复合膜的透射光谱及偏振光谱。实验结果表明,这种含铜纳米线多孔铝膜微偏振器件在近红外光区有较好的透射率和消光比,且随着铜纳米线直径的增加,样品的透射率下降而其消光比却明显提高。通过分析得出,优化模板参数可制备出高效率的铜/多孔铝微偏振器。这种微偏振器件制备方法简单、效率高、造价低,在光电集成领域有着广泛的应用前景。
- 张立春李清山郑萌萌吴福全吕磊王彩凤齐红霞
- 关键词：多孔铝消光比透射率
- 硫化锌／多孔硅复合体系光致发光特性的研究被引量：3
- 2008年
- 为了研究硫化锌/多孔硅复合体系的光致发光特性,通过电化学阳极氧化法制备了多孔硅样品,然后用脉冲激光沉积的方法在其上沉积硫化锌薄膜,测量了硫化锌/多孔硅复合体系的光致发光谱,并对其进行了详细的理论分析和实验验证。结果表明,在不同的激发波长(340nm,360nm,390nm)下,硫化锌/多孔硅复合体系的光致发光谱不同,硫化锌和多孔硅发光的相对(蓝/红)积分强度比值也不同;硫化锌薄膜的生长温度不同(100℃,250℃,350℃)时,硫化锌/多孔硅复合体系的发光不同,随着生长温度的升高,复合体系的发光谱中,硫化锌的发光增强而多孔硅的发光减弱;衬底多孔硅的制备电流密度不同(3mA/cm2,9mA/cm2,11mA/cm2)时,硫化锌/多孔硅复合体系的发光也有着不同的特点。在适当的多孔硅制备电流密度条件下,把硫化锌的发光与多孔硅的发光叠加,得到了可见光区较宽的光致发光谱带(450nm^700nm),呈现较强的白光发射,这一结果为白光二极管的实现开辟了一条新的捷径。
- 王彩凤李清山
- 关键词：光学器件光致发光脉冲激光沉积硫化锌多孔硅
- C102∶RH6G多孔铝镶嵌膜的发光研究被引量：4
- 2003年
- 将香豆素102(C102)和若丹明6G(RH6G)按一定的比例混合在乙醇溶液中,结果发现其荧光光谱出现了双峰结构,并研究了浓度对荧光光谱的影响。再将C102和RH6G镶嵌在一定条件下制备的多孔铝中,研究了不同浓度对多孔铝发光光谱的影响。实验表明C102∶RH6G多孔铝复合体系有可能是展宽固体可调谐激光器调谐范围的一种新途径。
- 王菲菲李清山王桂珍王晓静
- 关键词：香豆素荧光光谱发光性质
- 生长温度对类金刚石膜结构和发光性质的影响被引量：1
- 2006年
- 使用脉冲激光沉积技术制备了系列无氢类金刚石薄膜，测量了样品的Raman光谱、光吸收光谱和光致发光光谱，研究了薄膜结构和光致发光性质与制备条件的依赖关系。结果表明，这种薄膜是由少量sp^2键和大量sp^3键组成的非晶碳膜。薄膜的光学带隙在1．68～2.46eV，发光在可见光区呈宽带结构。生长温度能够对类金刚石薄膜的结构和发光性质产生较大影响。当生长温度从室温升高至400℃时，sp^2团簇的变大使C原子的有序度增强，从而导致薄膜的光学带隙变窄，发光峰红移且半高宽变小。
- 陈达李清山王璟璟郑学刚
- 关键词：类金刚石薄膜脉冲激光沉积
- 多孔硅后处理对其镶嵌染料光学特性的影响被引量：4
- 2007年
- 对多孔硅进行真空退火处理和暴露大气快速退火处理,将有机染料香豆素102(C102)镶嵌其中,研究镶嵌复合膜发光特性的变化。通过比较多孔硅退火处理前、后傅立叶红外(FT-IR)吸收光谱的变化,从多孔硅与镶嵌染料分子间的能量传递方式角度出发,解释了PS表面态氧化能改善镶嵌复合膜发光特性的原因。实验通过改变多孔硅表面态,提高了复合膜的发光效率和多孔硅基体的透明程度,证明了多孔硅是一种良好的载体,在发展固体激光器方面有一定的应用,同时为实现硅基蓝绿发光开辟一条新的途径。
- 倪梦莹李清山徐金东
- 关键词：多孔硅光致发光
- 多孔硅衬底上ZnS薄膜的PLD制备和表征
- 2011年
- 在电化学阳极氧化法制备的多孔硅（porous silicon，PS）衬底上用脉冲激光沉积法（pulsed laser deposition，PLD）在250℃和350℃下生长ZnS薄膜。XRD图样显示，制备的ZnS薄膜沿β—ZnS（111）方向择优生长，较高的生长温度下，衍射峰强度较大。SEM结果表明，250℃生长的ZnS溥膜表面疏松、不平整，这是由于衬底PS的粗糙结构所致，而350℃生长温度下，尽管薄膜表面出现了一些明显尺寸的晶粒，但总体变得平整致密。室温下的此致发光（PL）谱表明，350℃样品中ZnS的自激活发光强度高于250℃样品，而PS的红光强度低于250℃样品且峰位红移。把ZnS的蓝绿光与PS的红光叠加，在可见光区450～700nm形成了一个较宽的光致发光谱带，ZnS／PS复合体系早现较强的白光发射。
- 王彩凤李清山胡波李卫兵伊厚会
- 关键词：脉冲激光沉积光致发光ZNS多孔硅
- 退火处理对ZnS薄膜的结构和光学性质的影响被引量：3
- 2009年
- 在200℃下利用激光沉积技术分别在玻璃和Si(100)上沉积制备了ZnS薄膜,并在300,400,500℃下退火1h。用X射线衍射(XRD)仪、紫外/可见光/近红外分光光度计、台阶仪和原子力显微镜(AFM)分别对不同衬底上样品的特征进行了观察。结果表明,玻璃上的ZnS薄膜只在28.5°附近存在着(111)方向的高度取向生长。在可见光范围内透射率为60%～90%。计算显示薄膜的光学带隙在3.46～3.53eV之间,其小于体材料带隙的原因在于硫元素的缺失。根据光学带隙判断薄膜是单晶立方结构的β-ZnS。Si(100)上生长的是多晶ZnS薄膜:500℃下退火后,表面也比未退火表面更加平整致密,变化规律与ZnS/glass的类似。说明高温下退火可以有效地促进晶粒的结合并改善薄膜质量。
- 徐言东李清山蒙延峰张霞于业梅李新坤丁旭丽
- 关键词：脉冲激光沉积光学带隙表面形貌
- 模板合成法制备ZnO纳米线的研究被引量：6
- 2006年
- 在草酸和硫酸电解液中分别制备了孔径为40 nm和20 nm左右的多孔氧化铝模板,用直流电化学沉积的方法,在模板孔洞内电解沉积Zn,对其进行高温下的氧化,可得到高度有序的．ZnO纳米线。扫描电子显微镜观察显示,多晶的Zn纳米线均匀地填充到多孔氧化铝六角排布的孔洞里,直径与模板孔径相当．X射线衍射谱测量证实,制备的Zn纳米线和ZnO纳米线均为多晶结构,并且对比了模板孔径对纳米线结构的影响．测量了多孔氧化铝厚膜和Zn／Al2O3组装体的吸收光谱,发现其在红外波段的吸收系数有逐渐降低的趋势．
- 张利宁李清山潘志峰
- 关键词：ZNO纳米线多孔氧化铝模板电沉积
- 脉冲激光沉积法制备ITO薄膜及性质研究被引量：6
- 2007年
- 本文采用脉冲激光沉积法（PLD）制备了ITO导电薄膜，并对其形貌、光学性质和电学性质进行了研究。结果表明，使用PLD方法制备的ITO导电薄膜在可见光区的平均透光率约为80％，方块电阻在100—200Ω／□之间。当衬底温度控制在300℃，氧压控制在1．33Pa时，可以得到具有较高透光率和电导率的ITO导电薄膜。
- 杨亚军李清山刘宪云
- 关键词：脉冲激光沉积ITO薄膜透光率方块电阻
- 脉冲激光沉积法在多孔铝衬底上生长的ZnO薄膜的结构与光学性质被引量：6
- 2006年
- ZnO是一种性质优良很有前途的紫外光电子器件材料,多孔铝是一种良好的模板型衬底,试图将二者结合起来以制备出一种全新的光电功能材料。制备了三种不同孔径多孔铝衬底,采用脉冲激光沉积法,在真空背景下,在多孔铝衬底上生长了氧化锌薄膜。利用扫描电子显微镜、X射线衍射和光致荧光对样品进行了测试和分析。研究表明:利用不同孔径的多孔铝衬底生长的氧化锌薄膜的结构和光学性质差异很大。样品A的光致发光主要是394nm的紫外发射和498nm的蓝绿光发射;样品B的光致发光主要是417nm的紫光发射和466nm蓝光发射;样品C的光致发光主要是415nm的紫光发射和495nm的蓝绿光发射。由于薄膜是富锌的,随着在空气中氧化的进行,光谱发生变化。利用固体能带理论对光谱进行了全面的分析。
- 石明吉李清山张宁赵波李修善
- 关键词：多孔铝ZNO薄膜颗粒尺寸量子限制效应
