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国家自然科学基金(6060701660625405)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：周志强郝瑞亭徐应强牛智川任正伟更多>>
相关机构：中国科学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇GASB
  • 1篇INAS/G...
  • 1篇INAS/G...
  • 1篇超晶格
  • 1篇超晶格材料
  • 1篇GAAS

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇任正伟
  • 1篇牛智川
  • 1篇徐应强
  • 1篇郝瑞亭
  • 1篇周志强

传媒

  • 1篇红外与激光工...

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
2～3μmGaAs基InAs/GaSb超晶格材料
2007年
采用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长GaSb体材料,以此GaSb为缓冲层生长了不同InAs厚度的InAs/GaSb超晶格,其10 K光荧光谱峰值波长在2～2.6 μm.高分辨透射电子显微镜观察证实超晶格界面清晰,周期完整.InAs/GaSb超晶格材料的成功生长是制备这类红外探测器件重要的第一步.
郝瑞亭徐应强周志强任正伟牛智川
关键词：GASBINAS/GASB超晶格GAAS分子束外延
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共1页<1>
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