国家自然科学基金(20771070)
- 作品数：5 被引量：1H指数：1
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- 相关机构：陕西师范大学更多>>
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- 相关领域：一般工业技术电气工程更多>>
- PZT/NiCoCu铁氧体磁电复合材料的相结构和电性能被引量：1
- 2009年
- 采用传统固相法合成了0.9{Pb[Zr0.23Ti0.36+0.02(Mg1/2W1/2)+0.39(Ni1/3Nb2/3)]O3}(简称PZT基压电陶瓷)/0.1{Ni0.8Co0.1Cu0.1Fe2O4}(简称NCCF)磁电复合陶瓷材料,研究了该材料在不同烧结温度下的相结构、介电和压电性能.结果表明,该复合材料经不同温度烧结后,仍保持PZT基压电陶瓷和NiCoCu铁氧体的各自相结构,没有新相生成.在1 200℃下烧结时,材料具有较好的综合电性能:d33=317 pC/N,rε=2 593,tanδ=0.017.表明该磁电复合材料可能在高密度信息存储器方面表现出较大的潜在应用.
- 董明远杨祖培晁小练
- 关键词：磁电复合材料压电性能
- 钨青铜Sr_xBa_(1-x)Nb_2O_6陶瓷的制备及介电性能研究
- 2010年
- 以SrCO3、BaCO3和Nb2O5为原料,采用传统固相法制备了SrxBa1-xNb2O6(SBN,x=0.49～0.56)无铅压电陶瓷。研究了SBN陶瓷组分及烧结温度对其相结构、微观形貌和介电性能的影响。结果表明,所有陶瓷组分在1380℃下烧结均可获得钨青铜结构单相。随着x值的增大,陶瓷致密化速度减慢,晶粒生长趋向均匀,介电性能提高,居里温度向低温方向移动。借助居里外斯公式证明了所有陶瓷组分均为典型的弛豫型铁电体。
- 谷睿魏灵灵杨祖培
- 关键词：无铅压电陶瓷弛豫型铁电体介电性能
- 过量钨和铅对PNW-PMN-PZT陶瓷电性能的影响
- 2009年
- 采用传统陶瓷工艺制备了不同WO3和Pb3O4添加量的PNW-PMN-PZT四元系压电陶瓷,用XRD技术分析了陶瓷的相结构,研究了不同WO3和Pb3O4添加量对陶瓷的机械品质因数Qm、机电耦合系数Kp、压电常数d33以及介电损耗tanδ的影响.结果表明,在800℃预烧温度、1 150℃烧结温度下,当WO3量为0.6%、Pb3O4量为0.5%时,陶瓷具有优良的电性能,其主要性能参数为:Kp=0.66,Qm=1 318,d33=430 pC/N,rε=2 229,tanδ=0.006 6,该材料可作为大功率压电变压器的候选材料.
- 皇晓辉张锐杨祖培晁小练
- 关键词：相结构电学性能压电变压器
- 预烧工艺对KNLNT基陶瓷相结构和电性能的影响
- 2010年
- 采用传统固相法制备了(K0.46Na0.50Li0.04)(Nb0.85Ta0.15)O3(KNLNT)无铅压电陶瓷材料,研究了不同预烧温度和不同预烧保温时间对KNLNT基无铅压电陶瓷的相结构、显微结构和电性能的影响.结果表明:当预烧850℃保温9h时,1135℃烧结2h的陶瓷材料各项性能较佳,其电性能参数分别为d33=248pC/N,εr=1130,tanδ=0.019,Kp=0.54,Qm=70,Pr=28.38μC/cm,Ec=14.31kV/cm.
- 马涤非李永强晁小练杨祖培
- 关键词：无铅压电陶瓷压电性能介电性能铁电性能
- Ti含量对CaCu_3Ti_xO_(12)陶瓷介电性能的影响
- 2010年
- 采用传统固相法成功地制备了Ca-Cu3TixO12(x=3.85、3.90、3.95、4.00、4.05)巨介电陶瓷,系统探讨了Ti含量对CaCu3TixO12陶瓷相结构、显微结构和介电性能的影响。通过XRD分析表明,当x<4.00时,CaCu3TixO12出现了第二相(Cu2O);当x≥4.00时,获得了纯相。利用SEM和EDX分析,结果表明,当x<4.00时,陶瓷晶界区域存在大量的富铜相(Cu2O)。阻抗谱分析发现,随着Ti含量的增加,陶瓷的晶粒电阻Rg和晶界电阻Rgb先减小后增加的趋势,当x=4.00时,Rg和Rgb最小。室温介电频谱发现,在40～105Hz频率范围内陶瓷(x=4.00)的介电常数都在5.50×104以上,在1kHz下的介电性能为:εr=6.15×104,tanδ=0.044。
- 熊利蓉晁小练井启红杨祖培
- 关键词：相结构微观结构电学性能
