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Optimization and degradation of rubrene/C_(70) heterojunction solar cells被引量：3: 2012年; Small molecule organic solar cells （OSCs） with the structure of indium tin oxide （1TO）/molybdenum trioxide （MOO3）（5 nm）/rubrene （x nm）/fullerene （C70）（y nm）/2, 9-dimethyl-4, 7-diphenyl-1, 10-phenanthroline （BCP）（6 nm）/aluminum （A1）（150 nm） are fabricated. The thickness of active layer for the devices is investigated in details. The results show that the optimum thicknesses of rubrene layer and C70 layer are 30 nm and 25 nm, respectively. The degradation of the device is also investigated. The result indicates that the open-circuit voltage （Voo） does not change, while the short-circuit current density （Jsc）, fill factor （FF） and power conversion efficiency （PCE） decrease continuously with time. The degradation can be attributed to the oxygen in ambient diffusing and infiltrating into the active materials and reacting with C70 in cells, which can result in the increase of interfacial series resistance.; 陈子国刘彭义侯林涛麦文杰吴冰; 关键词：HETEROJUNCTIONS TIN

用ZnS薄膜作为空穴缓冲层的高效率有机发光二极管(英文)被引量：2: 2008年; 用磁控溅射方法制备的ZnS薄膜作为有机发光器件(OLEDs)的空穴缓冲层,使典型结构的OLEDs(ITO/TPD/Alq/LiF/Al)的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5 nm时,器件的亮度增加了2倍多;当ZnS缓冲层厚度为5、10nm时,器件的发光电流效率增加40%。研究结果表明ZnS薄膜是一种好的缓冲层材料,它能够提高器件的发光效率,改善器件的稳定性。; 张靖磊仲飞刘彭义; 关键词：有机发光二极管 ZNS薄膜空穴缓冲层电流效率

磷光染料掺杂有机分子发光的能量转移研究: 2008年; 用稳态光谱和时间分辨的超快光谱研究了不同浓度磷光染料PtOEP掺杂有机小分子Alq薄膜的发光特性和能量转移.据PtOEP的吸收光谱与Alq的荧光光谱,用F rster理论估算出Alq:PtOEP掺杂体系的能量转移临界半径及其转移效率.稳态荧光光谱显示,在Alq:PtOEP掺杂薄膜中,随着掺杂浓度的升高,PtOEP的发光强度增强,Alq的发光强度逐渐减弱,两者间的能量转移效率与理论计算结果一致.利用时间分辨光谱研究了Alq:PtOEP掺杂薄膜体系的能量转移动力学过程,观察到Alq:PtOEP掺杂薄膜的荧光寿命随着掺杂浓度的升高逐渐变短.结果表明在Alq:PtOEP掺杂薄膜中,存在从Alq到PtOEP有效地能量转移.; 武春红刘彭义侯林涛李艳武; 关键词：时间分辨光谱

倒置异质结有机太阳能电池的电子传输层被引量：4: 2010年; 制备了结构为ITO/BCP或Alq3(x=0,2,6,10,20,40 nm)/C60(50 nm)/Rubrene(50 nm)/MoO3(5nm)/Al(130 nm)的倒置异质结有机太阳能电池,其中BCP或Alq3作电子传输层。实验结果表明:当BCP或Alq3≤6 nm时,器件性能随电子传输层厚度的变化不大;当BCP或Alq3≥10 nm时,随电子传输层厚度的增加,含Alq3器件的性能衰减很快,含BCP器件的性能衰减相对较慢,且其开路电压保持不变。分析表明:当电子传输层较薄时,粗糙的ITO使电子较容易从C60注入到ITO;当电子传输层较厚时,BCP/C60之间的能带弯曲使二者之间几乎不存在势垒,含BCP器件性能较差主要源于BCP较差的电子迁移率,而含Alq3器件性能较差主要源于Alq3/C60之间的势垒。; 吴冰刘彭义李艳武侯林涛; 关键词：有机太阳能电池 C60

利用Rubrene/C_(70)异质结提高有机太阳能电池的性能被引量：7: 2011年; 用C70、C60作为受体,Rubrene、CuPc作为给体,制备了4种异质结有机太阳能电池(OSCs)。实验结果表明,C70代替C60作为受体的OSCs短路电流Jsc显著增加;Rubrene代替CuPc作为给体的OSCs的开路电压Voc大幅度提高。制备的Rubrene/C70异质结OSCs的Voc、Jsc、填充因子FF和能量转换效率η分别为0.82V、2.454mA/cm2、50.5%和0.747%,比CuPc/C60OSCs的Voc、Jsc、FF和η分别提高了127.8%、7.2%、53.9%和275.4%。; 陈子国刘彭义吴冰张永哲; 关键词：短路电流开路电压能量转换效率

阴极蒸镀和隔离层对有机发光二极管性能的影响被引量：7: 2010年; 制备了简单结构的有机发光二极管(OLED)ITO/NPB/Alq3/Al/Ag。实验结果表明,快速蒸镀法制备的Ag阴极越厚,器件性能越差,而慢速蒸镀200nmAg阴极时器件性能也较差。在Alq3与Al阴极之间插入BCP/C60/LiF隔离层后,即使快速蒸镀法制备的Ag厚达280nm,器件的最大电流密度、最大亮度和最大电流效率仍分别高达248.6mA/cm2、5380.7cd/m2和3.52cd/A。隔离层不仅保护NPB和Alq3基本不被玻璃化,还很好地与Alq3和Al阴极匹配,大大提高了器件性能。; 李艳武刘彭义侯林涛吴冰; 关键词：隔离层玻璃化温度

ZnS作为空穴缓冲层的新型有机发光二极管被引量：11: 2006年; 采用磁控溅射方法在ITO表面沉积了不同厚度的ZnS超薄膜作为有机发光二极管(OLEDs)的缓冲层,使典型结构(ITO/TPD/Alq3/Al)的OLEDs的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5nm时,器件电流密度提高了近2倍,亮度提高了2倍;当ZnS缓冲层厚度为10nm时,器件发光的电流效率提高18%,器件的性能得到改善。宽禁带的ZnS缓冲层对空穴从阳极到有机功能层的注入有阻碍作用,促进器件载流子平衡,提高了器件发光效率,改善了器件性能。; 仲飞叶勤刘彭义翟琳吴敬张靖垒; 关键词：有机发光二极管空穴缓冲层电流效率

Nb_2O_5空穴注入层的引入对OLEDs性能的影响被引量：2: 2008年; 在有机发光二极管典型的层状结构中,引入磁控溅射制备Nb2O5超薄膜作空穴注入层,制备了结构为ITO/Nb2O5/TPD/Alq3/Al的器件。Nb2O5层的引入,降低了空穴注入势垒,增强了空穴注入,同时有效阻挡了ITO中In向有机层的扩散,减少了发光猝灭中心的形成,提高了器件的亮度和效率。研究了不同厚度Nb2O5层对器件光电性能的影响,发现:当引入Nb2O5层厚度为2nm时,亮度提高了近2倍,效率由3.5cd/A增加到了7.8cd/A,较好地改善了器件的性能,并且性能优于含有CuPc常规注入层的器件。; 张靖磊刘彭义侯林涛武春红周茉; 关键词：有机发光二极管空穴注入层

有机/聚合物顶发射发光器件被引量：2: 2007年; 有机/聚合物顶发射发光器件可以解决传统底发射发光器件的一系列不足。高性能顶发射发光器件的实现,首先必须优化器件结构,其次对电子注入材料和空穴注入材料提出更高的要求。本文从提高顶发射器件中电子注入和空穴注入方法入手,综述了国内外有机/聚合物顶发射电致发光器件的发展历史、研究现状、最新进展及以后的发展方向。; 侯林涛黄飞曹镛刘彭义; 关键词：电致发光

Rubrene/C60结有机太阳能电池的阳极改性及偏压处理研究: 制备了结构为ITO/Rubrene(x nm)/C(45 nm)/Alq(6 nm)/Al(150 nm)的有机太阳能电池,并研究了阳极修饰层(VO和MoO)及加3 V偏压对器件性能的影响。实验结果显示,在无阳极修饰层的...; 吴冰刘彭义李艳武常鹏; 关键词：有机太阳能电池; 文献传递

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