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国家自然科学基金(20771032)

作品数:11 被引量:31H指数:4
相关作者:蒋阳仲洪海余大斌苏煌铭丁夏楠更多>>
相关机构:合肥工业大学华中科技大学解放军电子工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域:电子电信化学工程一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 10篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇化学工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇冶金工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 4篇功率因子
  • 2篇制备及性能
  • 2篇热电材料
  • 2篇热电性能
  • 2篇热压
  • 2篇自燃
  • 2篇SEEBEC...
  • 2篇AG
  • 2篇X
  • 2篇PB
  • 1篇等规
  • 1篇电导
  • 1篇电导率
  • 1篇电子封装
  • 1篇性能研究
  • 1篇一步法
  • 1篇一步法合成
  • 1篇陶瓷
  • 1篇热导率
  • 1篇热膨胀

机构

  • 10篇合肥工业大学
  • 4篇华中科技大学
  • 1篇解放军电子工...

作者

  • 8篇蒋阳
  • 5篇仲洪海
  • 5篇余大斌
  • 4篇苏煌铭
  • 3篇石宇
  • 3篇韩领
  • 3篇丁夏楠
  • 2篇秦凯旋
  • 2篇徐斌
  • 2篇汪瑾
  • 2篇盛阳平
  • 2篇杨奔
  • 1篇周正发
  • 1篇程发祥
  • 1篇王莉
  • 1篇宋长伟
  • 1篇蓝新正
  • 1篇李翔鹏
  • 1篇蔚腾飞
  • 1篇陈进

传媒

  • 3篇粉末冶金工业
  • 2篇功能材料
  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇材料导报
  • 1篇稀有金属与硬...
  • 1篇广州化工
  • 1篇金属功能材料

年份

  • 2篇2012
  • 3篇2011
  • 4篇2010
  • 1篇2009
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
自燃法制备N型Bi掺杂LaNiO_3氧化物及其热电性能研究被引量:1
2010年
以柠檬酸为螯合剂,各种硝酸盐为原料,采用简单的自燃法制备了金属Bi掺杂的N型钙钛矿结构的La1-xBixNiO3(x=0、0.025、0.05、0.075、0.1、0.15)热电材料前驱粉。前驱粉经煅烧、球磨、冷压、烧结等工艺获得块体材料。通过X射线衍射和扫描电镜观察等方法对样品的结构与形貌进行了分析表征。在573~1073K内测试了材料的电阻率和Seebeck系数,结果表明,该材料显示了较好的热电性能,掺杂Bi有助于显著降低材料的电阻率,优化材料的热电性能,其中试样La0.9Bi0.1NiO3组分材料在973K时的电阻率ρ=3.9606mΩ.cm,Seebeck系数S=-29.253μV/K,热电转换功率因子值p=2.16×10-5W/(m.K2)。
徐斌蒋阳盛阳平苏煌铭石宇余大斌
关键词:热电性能功率因子
CdS量子点的一步法合成及量子产率被引量:2
2011年
以油酸为配体,十八烯为溶剂,采用一步法合成了CdS量子点,研究了反应温度、反应时间和Cd/S的摩尔比对量子点光谱性能的影响.X射线衍射(XRD)和高分辨透射电镜(HRTEM)测试结果表明,所获得的CdS量子点为立方闪锌矿结构,且尺寸分布均一,结晶度高,其较强的带边发光、尖锐的紫外吸收峰以及狭窄的荧光发射峰进一步表明量子点的单分散性及优异的光学性质.反应温度和Cd/S的摩尔比对CdS量子点的尺寸大小和荧光量子产率均有重要的影响.当n(Cd)/n(S)=3∶1及生长温度为240℃时,得到的CdS量子点单分散性良好且荧光量子产率高达30%.
王莉汪瑾陈艳仲洪海蒋阳
关键词:量子点硫化镉一步法量子产率
纳米颗粒Ag_2Te掺杂p-(Ag_2Te)_x(Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3)_(1-x)的快速热压制备和热电性能表征被引量:4
2011年
通过溶剂热法制备出六方相Bi2Te3纳米粉体,采用真空封管熔炼法得到Sb掺杂的Bi0.5Sb1.5Te3合金。采用溶剂热法合成粒度为40 nm的Ag2Te纳米粉体,并通过高能球磨工艺将其掺入Bi0.5Sb1.5Te3合金,从而得到p-(Ag2Te)x(Bi0.5Sb1.5Te3)1-x合金(x为Ag2Te摩尔分数,x=0,0.025,0.05,0.075)。采用快速热压工艺制备该合金的块体材料,在300~573 K温度范围内研究不同掺杂量对材料的热电性能的影响。研究结果表明,当x=0.075,电导率在300 K时达到900 S/cm,Seebeck系数在573 K时达到206μV/K,功率因子在300K时达到17.6μW/(cm.K2)。
韩领蒋阳蓝新正秦凯旋丁夏楠仲洪海余大斌
关键词:功率因子
自燃法制备Na掺杂Ca_3Co_4O_9及其热电性能的研究
2009年
采用简单的自燃法,以去离子水为溶剂,柠檬酸为螯合剂,硝酸盐为原料制备了金属钠掺杂的(NaxCa1-x)3Co4O9热电材料前驱粉。前驱粉经煅烧、球磨、冷压、烧结等工艺获得块体材料。通过X射线衍射,扫描电镜观察等方法对样品的结构与形貌进行了分析表征。在573~1073K温度区间内,测试了材料的电阻率和Seebeck系数。研究表明,试样(x=0.15)在973K时的电阻率可达ρ=5.899mΩ.cm,Seebeck系数S=185μV/K,热电转换功率因子值p=5.802×10-6W/(m.K2)。
徐斌蒋阳盛阳平苏煌铭
关键词:热电性能功率因子
Mo含量对TiC基金属陶瓷组织和力学性能的影响被引量:8
2011年
采用粉末冶金工艺制备了6组不同Ni、Mo添加量的金属陶瓷材料。通过扫描电镜观察组织结构、断口形貌及裂纹扩展,用三点弯曲法测试抗弯强度,用洛氏硬度计测得试样硬度。试验结果表明,添加Mo后,TiC基金属陶瓷呈现出典型的芯壳结构,组织细化明显。当TiC含量为70%、Ni∶Mo=2∶1时,材料的抗弯强度、硬度与断裂韧性综合力学性能最好,分别为1362 MPa,92.4 HRA,14.8 MPa.m1/2。
秦凯旋蒋阳陈进刘林蔚腾飞吴世强
关键词:MO力学性能
Ag_(0.8)Pb_mSbTe_(m+2)热电材料的快速热压法制备及性能表征
2010年
采用真空封管熔炼法成功制备N型Ag0.8PbmSbTem+2(m=12,14,16,18)合金粉体材料,经过高能球磨使合金粉末粒度达到微米量级。利用快速热压烧结工艺,在673K,压力为20MPa下,烧结30min,制备块体热电材料。研究快速热压和m值的变化对材料的结构和热电性能的影响。当m=16时,在348K材料Seebeck系数达到最大值-634μV/K。当m=18时,在548K功率因子达到最大值7.5×10-4W/(m·K2)。
石宇蒋阳苏煌铭韩领仲洪海余大斌
关键词:热电材料SEEBECK系数
高等规聚3-己基噻吩的合成与研究
2010年
基于GRIM法合成了高等规的聚3-己基噻吩(rr-P3HT),研究了反应中催化剂和格氏试剂用量、反应温度和时间对产物产率的影响。采用GPC、1H-NMR和TGA法对其结构进行表征,结果显示该聚合物具有高度的规整性和良好的热稳定性。通过紫外吸收光谱、荧光发射光谱表征了聚合物的光物理性能,其最大紫外吸收峰和相应的发射峰分别位于455nm和573nm。
宋长伟汪瑾程发祥周正发
关键词:等规紫外热稳定性
In掺杂Ag_(0.8)Pb_(18)SbTe_(20)热电材料的快速热压制备及性能表征被引量:1
2010年
研究了快速热压工艺和In掺杂对Ag0.8Pb18SbTe20基热电材料微结构和热电性能的影响。采用真空封管熔炼法成功制备n型Ag0.8Pb18InxSb1-xTe20(x=0.25,0.5,0.75,1)合金粉末材料,同时结合高能球磨使合金粉末粒度达到微米量级。利用快速热压烧结工艺,在693 K温度、15 MPa压力下烧结30 min,制备块体热电材料。研究结果表明,In对Sb的取代增加了热电材料的电导率,改善了材料的热电性能。当In掺杂量x=1时,材料于623 K的电导率达到最大值239 S/cm;当x=0.5时,材料于623 K的功率因子达到最大值3.1×10-3W/(m.K2)。
石宇蒋阳苏煌铭韩领仲洪海余大斌
关键词:热电材料电导率
掺杂PbTe基热电材料的粉末冶金法制备及其性能研究被引量:9
2012年
通过溶剂热法制备出立方相PbTe纳米粉末,采用真空封管熔炼法得到PbTe基热电材料Ag0.5Pb8-xSnxSb0.5Te10的合金锭。通过高能球磨得到合金粉末,采用粉末冶金快速热压工艺制备该材料的块体材料。研究了不同Pb/Sn比在300~700K范围内对材料热电性能的影响。研究结果表明,当x=4,电导率在300K时达到1 300S/cm,在600K时达到340S/cm。当x=2,Seebeck系数在625K时达到261μV/K的最大值。功率因子达到15.9×10-4 Wm-1 K-2。
丁夏楠蒋阳杨奔仲洪海余大斌
关键词:粉末冶金功率因子SEEBECK系数
Al-50Si合金电子封装材料的热压法制备及性能表征被引量:8
2012年
本文采用热压法制备了一种性能优良的Al-50Si合金电子封装材料。通过比较不同烧结工艺下烧结体的密度,获得了制备该合金的最佳烧结工艺:低温(460℃)压制压力100MPa、烧结温度800℃、烧结时间2h,热等静压工艺参数:温度540℃、压力200MPa,保温保压4h。对在最佳烧结工艺条件下,经过热等静压处理后的材料进行了性能表征,具体性能:相对密度达到99%,抗弯强度223MPa,硬度153HB,热膨胀系数在0~200℃达到9.3×10-6/K,热导率达到142W/(m.K)。
杨奔蒋阳丁夏楠仲洪海李翔鹏
关键词:A1-SI合金热压电子封装热导率热膨胀系数
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