国家重点基础研究发展计划(G2000068306)
- 作品数：25 被引量：292H指数：11
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- 相关机构：浙江大学杭州电子工业学院堪萨斯州立大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 脉冲激光沉积法室温下ZnO薄膜的制备与表征被引量：4
- 2005年
- 在室温条件下,采用脉冲激光沉积技术在玻璃衬底上生长了ZnO薄膜。对薄膜的XRD分析表明,ZnO薄膜为六方纤锌矿结构并沿c轴取向生长,且(002)衍射峰的半高峰宽仅为0.24°。薄膜沿c轴方向受到一定的张应力为1.7×108N/m2。原子力显微镜分析表明薄膜表面较为平整,平均粗糙度约为6.5 nm,晶粒尺寸约为50 nm。此外,透射光谱分析表明薄膜的禁带宽度为3.25 eV,与ZnO体材料的禁带宽度3.30 eV基本相同。
- 曹亮亮叶志镇张阳朱丽萍张银珠诸葛飞赵炳辉
- 关键词：ZNO薄膜C轴取向室温脉冲激光沉积
- ZnO薄膜的最新研究进展被引量：52
- 2002年
- ZnO是一种新型的Ⅱ～Ⅵ族半导体材料。文章详细介绍了ZnO薄膜在其晶格特性、光学、电学和压电性能等方面的研究 ,特别是ZnO薄膜的紫外受激辐射特性 ,另外 ,对ZnO的p型掺杂和 p n结特性的最新进展也作了探讨。
- 吕建国叶志镇
- 关键词：ZNO薄膜光电性能P型掺杂
- 直流反应磁控溅射Zn_(1-x)Cd)_xO薄膜的研究被引量：4
- 2003年
- 用直流反应磁控溅射法在n Si(111)和玻璃衬底上生长高度择优取向的Zn1-xCdxO合金晶体薄膜 ,最佳生长温度为 45 0℃ (x=0 2 ) .当x≤ 0 6时 ,Zn1-xCdxO薄膜具有纯ZnO的六角结构 ,x =0 8时 ,薄膜是由ZnO六角结构晶体和CdO立方结构晶体组成的混合物 .透射光谱测试表明 ,通过改变合金薄膜中Cd的含量 ,可以调节Zn1-x CdxO薄膜的禁带宽度 .
- 马德伟叶志镇黄靖云赵炳辉
- 关键词：磁控溅射禁带宽度
- SiO_2/Si衬底制备ZnO薄膜及表征被引量：4
- 2005年
- 本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长ZnO外延薄膜。引入高阻非晶SiO2缓冲层,有效地降低了检测过程中单晶衬底对ZnO薄膜的电学性能影响。利用XRD,SEM,Hall和PL对其进行研究。结果表明,在衬底温度为500℃时,生长的ZnO薄膜具有优良的晶体质量,电学性能和发光性能。
- 曹亮亮叶志镇张阳朱丽萍张银珠徐伟中赵炳辉
- 关键词：ZNO薄膜SIO2/SI脉冲激光沉积光致发光
- 雾化热解法制备ZnO薄膜及其光电性能被引量：15
- 2002年
- 采用超声雾化技术 ,以醋酸锌水溶液为源物质 ,在加热的玻璃衬底上生长了ZnO薄膜 ,并研究了衬底温度等因素对薄膜结构及其光、电性能的影响 .结果表明其为六方晶体 (纤锌矿 )结构 ,在适当的条件下 ,可以生长出具有较强c轴取向的ZnO薄膜 ,所得到的ZnO薄膜具有低达 7 6 8× 10 10 cm-3 的载流子浓度 ,这对实现ZnO的p型掺杂具有重要意义 .
- 杨成兴季振国刘坤樊瑞新叶志镇
- 关键词：ZNO薄膜X射线衍射分析电学性能载流子浓度
- 硅基光致发光膜:(Zn_2SiO_4/Si):Tb/Mn的制备被引量：2
- 2004年
- 利用溶胶 凝胶涂膜技术及高温固相反应技术 ,在硅片表面生长了掺铽和锰的两种高效硅基光致发光膜。XRD和吸收光谱分析测试结果表明 ,当固相反应温度高于 85 0℃时 ,在硅片表面形成了晶态的Zn2 SiO4薄膜。荧光光谱实验结果表明这种利用高温固相反应生成的掺铽或掺锰的Zn2 SiO4薄膜的发光强度高 ,余辉为 1 0ms数量级。本方法制备的硅基发光膜热稳定性及化学稳定性好 。
- 赵士超季振国刘坤宋永梁杨永德
- 关键词：硅酸锌固相反应
- 反应磁控溅射ZnO薄膜的高温退火研究被引量：14
- 2002年
- ZnO薄膜是一种新型的II VI族直接能带化合物半导体材料 ,有可能实现短波长的探测器 ,LED和LD等光电子器件。用磁控溅射法在硅衬底上生长ZnO薄膜 ,由于薄膜与衬底之间较大的应力失配 ,以及由于较快的生长速率 ,薄膜中存在较多的Zn间隙原子和O空位 ,在薄膜中存在应力。通过高温退火 ,可以使应力得到弛豫 ,降低O空位和Zn间隙原子的浓度 ,提高薄膜的化学计量比和改善薄膜的结晶质量。本实验用XRD和AFM研究了高温退火对ZnO薄膜的晶体性能和表面的影响。对ZnO薄膜在退火处理后c轴方向的应力性质的转变作了机理上的探讨。
- 陈汉鸿吕建国叶志镇汪雷赵炳辉
- 关键词：反应磁控溅射ZNO薄膜高温退火氧空位氧化锌
- 铝氮共掺制备p型ZnO薄膜的电学性能研究被引量：6
- 2004年
- 本文通过直流反应磁控溅射 ,采用Al+N共掺的方法在N2 O—O2 气氛下制备p型ZnO薄膜。结果表明 ,衬底温度为 5 0 0℃时共掺所得p型ZnO的载流子浓度最高 ,并且比单独掺氮时高近 3个数量级。本文还讨论了生长气氛对薄膜电学性能的影响 ,当衬底温度为 5 0 0℃时 ,在纯N2 O气氛下制备的p型ZnO的空穴浓度最高 ,为 7 5 6× 10 17cm-3 ,同时薄膜的电阻率和载流子的迁移率分别为 94 3Ω·cm和 0 0 9cm2 V-1s-1。
- 张正海叶志镇朱丽萍赵炳辉诸葛飞吕建国
- 关键词：ZNO薄膜掺氮载流子浓度衬底温度直流反应磁控溅射
- MOCVD法制备ZnO同质发光二极管被引量：15
- 2005年
- 在n型ZnO体单晶片上,首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜,制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型器件;在室温下,观察到同质ZnO的LED施加电压后由电注入激发出紫外至绿光波段的光谱.
- 叶志镇徐伟中曾昱嘉江柳赵炳辉朱丽萍吕建国黄靖云汪雷李先杭
- 关键词：ZNOLEDP型掺杂金属有机化学气相沉积
- p型导电掺In的SnO_2薄膜的制备及表征被引量：20
- 2004年
- 采用溶胶 凝胶提拉法成功地制备了p型导电掺In的SnO2 薄膜 .x射线衍射测试结果表明 ,掺In的SnO2 薄膜保持SnO2 的金红石结构 .吸收谱测试结果表明 ,掺In的SnO2 禁带宽度为 3 8eV .霍尔测量结果表明 ,空穴浓度与热处理温度有很大的关系 ,5 2 5℃为最佳热处理的温度 .铟锡原子比在 0 0 5— 0 2 0范围内 ,空穴的浓度与In的含量有直接的关系 。
- 季振国何振杰宋永梁
- 关键词：SNO2薄膜吸收谱提拉法禁带宽度热处理温度
