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氢化物气相外延生长的GaN膜中的应力分析被引量：1: 2013年; 对在c面蓝宝石上用氢化物气相外延法(HVPE)生长的六方相纤锌矿结构的GaN膜中的应力进行了分析。高分辨X射线衍射(002)面和(102)面摇摆曲线扫描(半高宽数值分别为317和358角秒)表明生长的GaN膜具有较好的晶体质量。利用高分辨X射线衍射技术准确测量了制备的GaN膜的晶格常数,并计算得到GaN膜中面内双轴应变和面外双轴应变分别为3.37×10-4和-8.52×10-4,等静压应变为-7.61×10-5。拉曼光谱和激光光致发光谱测试表明HVPE-GaN外延膜具有较好的光学特性,利用拉曼光谱的E2模式特征峰和激光光致发光谱中近带边发射峰的频移定量计算了外延膜中的面内双轴压应力和等静压应力。两种方法得到的面内双轴压应力较为相符。; 刘战辉修向前张李骊张荣张雅男苏静谢自力刘斌单云; 关键词：氮化镓氢化物气相外延拉曼光谱应力

GaZnO透明导电层提高绿光LED发光效率: 2016年; 详细研究了分别利用Ga Zn O薄膜和纳米级Ni/Au薄膜作为透明导电层(TCL)的绿光LED芯片的光电性能。利用扫描电子显微镜和透射光谱对Ga Zn O TCL和传统的纳米级Ni/Au TCL进行结构表征,结果表明,Ga Zn O透明导电层表面呈现为高密度、纳米尺度的突起,而纳米级Ni/Au TCL样品表面则较为平整;研究波长范围内,Ga Zn O薄膜具有较高的透射率(大于90%)。对两种LED芯片的光电特性进行测试,结果表明,Ga Zn O作为透明导电层的LED芯片发光均匀,具有较小的正向开启电压、等效串联电阻,发光峰中心波长变化仅有5.6 nm,而发光效率相对于传统的Ni/Au TCL LED提高40%,光电工作特性优异。; 张李骊刘战辉钟霞修向前张荣谢自力; 关键词：发光效率

Unidirectionally aligned diphenylalanine nanotube/ microtube arrays with excellent supercapacitive performance: 2014年; 高温度(150220？？; Jinlei Zhang Xinglong Wu Zhixing Gan Xiaobin Zhu Yamin Jin; 关键词：电容性能微管 MTS

氮气载气流量和系统温度对GaN膜质量的影响: 2013年; 系统研究了HCl的载气、NH3的载气、总N2载气流量以及镓源反应温度和外延生长温度对氢化物气相外延技术在c面蓝宝石上生长的GaN膜晶体质量的影响,并利用高分辨X射线衍射技术,喇曼光谱和光致发光谱对生长的外延膜进行表征。结构表征发现,优化的N2载气流量、镓源反应温度和外延生长温度生长得到的GaN膜具有优良的晶体质量和光电特性。测试结果表明,载气流量的改变影响生长系统中的寄生沉积、GaN膜生长表面过饱和度与Ga和N源气体原子团的气体输运;优化的生长温度可以增强GaN膜的横向外延并促进其二维模式生长,进而有利于生长高质量并具有光滑平面的GaN外延膜。; 刘战辉张李骊李庆芳修向前张荣谢自力; 关键词：生长温度

电化学发光免疫分析方法检测蔬菜中噻虫啉的含量被引量：5: 2014年; 化学农药的广泛使用,不可避免的产生了农药残留问题.蔬菜作为人类食物之一,其农药残留问题尤其重要.本文采用饱和硫酸铵盐析法提纯噻虫啉,并合成了Cd S纳米晶,制备了具有稳定且强电致化学发光的Cd S纳米晶膜,在纳米晶膜上建立了农药残留物噻虫啉含量的电化学发光免疫检测方法.该方法利用具有优良导电性的石墨烯作为抗原标记物,实现了噻虫啉的灵敏检测.标记上石墨烯的噻虫啉与纳米晶膜表面的抗体免疫结合后引起纳米晶膜发光的增强,发光强度的增加随着噻虫啉的含量的增加而增大.发光强度的对数与噻虫啉浓度的对数在0.1~10 pg·m L-1范围内呈线性关系（R=0.99）.在S/N比为3时,检测限为0.1 pg·m L-1.利用该方法检测实际蔬菜样品中的农药残留量,取得了令人满意的结果.鉴于石墨烯良好的可修饰性,其作为标记物在其他免疫反应、DNA杂化分析中具有十分广阔的前景.; 单云张红琳彭智敏; 关键词：噻虫啉电致化学发光石墨烯农药残留

Si(110)和Si(111)衬底上制备InGaN/GaN蓝光发光二极管被引量：1: 2014年; 分别在Si(110)和Si(111)衬底上制备了In Ga N/Ga N多量子阱结构蓝光发光二极管(LED)器件.利用高分辨X射线衍射、原子力显微镜、室温拉曼光谱和变温光致发光谱对生长的LED结构进行了结构表征.结果表明,相对于Si(111)上生长LED样品,Si(110)上生长的LED结构晶体质量较好,样品中存在较小的张应力,具有较高的内量子效率.对制备的LED芯片进行光电特性分析测试表明,两种衬底上制备的LED芯片等效串联电阻相差不大,在大电流注入下内量子效率下降较小;但是,相比于Si(111)上制备LED芯片,Si(110)上LED芯片具有较小的开启电压和更优异的发光特性.对LED器件电致发光(EL)发光峰随驱动电流的变化研究发现,由于Si(110)衬底上LED结构中阱层和垒层存在较小的应力/应变而在器件中产生较弱的量子限制斯塔克效应,致使Si(110)上LED芯片EL发光峰随驱动电流的蓝移量更小.; 刘战辉张李骊李庆芳张荣修向前谢自力单云; 关键词：硅衬底 INGAN/GAN多量子阱发光二极管

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国家自然科学基金(21203098)