广州市教育局科技计划项目(01-2)
- 作品数：4 被引量：19H指数：2
- 相关作者：周方桥朱道云丁志文陈志雄傅刚更多>>
- 相关机构：广州大学中山大学中国电子科技集团公司第七研究所更多>>
- 发文基金：广州市教育局科技计划项目博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程更多>>
- TiO_2系压敏陶瓷施主掺杂研究被引量：2
- 2006年
- 研究了Ta2O5和Nb2O5掺杂对TiO2系压敏陶瓷电性能的影响。采用电子陶瓷制备工艺,制备了两组TiO2系压敏陶瓷,借助热电子发射理论,分析了样品的I-V特性及介电频谱特性。结果发现,Ta2O5掺杂的样品具有最低的压敏电压(E10mA=5.03 V.mm–1)和最大的视在介电常数(εra=1.5×105)。
- 朱道云周方桥庄严
- 关键词：电子技术TIO2压敏陶瓷压敏电压
- 低压TiO_2系压敏陶瓷的伏安特性实验分析被引量：1
- 2010年
- 采用耗尽层近似理论,分析了低压TiO2系压敏陶瓷在直流偏压下的伏安特性,并对ZnO、TiO2和SrTiO3系三种压敏陶瓷的伏安特性进行了测试、分析和比较。结果表明,在晶界势垒不太高(一般为零点几电子伏)及晶界电场强度不太大(约106V/m量级)的情况下,TiO2系压敏陶瓷晶界的电子传输机制不同于ZnO系压敏陶瓷,而与SrTiO3系压敏陶瓷的导电机制相似,属于肖特基热电子发射机制。
- 朱道云周方桥丁志文
- 关键词：伏安特性热电子发射肖特基势垒
- SrO-Nb_2O_5-TiO_2系压敏陶瓷中Nb^(5+)和Sr^(2+)的研究被引量：15
- 2002年
- 用显微观察分析、I-V特性及复阻抗频谱的测量,研究了不同Nb5+和Sr2+掺量的SrO-Nb2O5-TiO2系半导体压敏陶瓷材料的微观结构和相关电学性质;讨论了掺杂Nb5+和Sr2+的分布和作用;Nb5+固溶在TiO2中取代Ti4+并使晶粒成为半导化,同时也有助于晶粒生长;而 Sr2+主要分布在晶粒边界处,对表面受主态及材料相关电学性能有重要影响;在大气气氛中热处理后的实验结果表明:处理温度在800℃以上时,能显著提高压敏电压,但只有适当的热处理温度。才能使非线性系数有所改善.
- 周方桥李莉傅刚陈志雄庄严
- 关键词：压敏陶瓷铌(V)氧化锶氧化铌
- 影响TiO_2压敏电阻器电性能的因素探讨被引量：1
- 2004年
- 通过理论分析和实验经验总结 ,讨论了微观结构、掺杂及烧结工艺对 Ti O2 压敏电阻器电性能的影响 。
- 丁志文朱道云牛丽霞梁鸿东
- 关键词：TIO2压敏电阻器电性能陶瓷
