北京市自然科学基金(4112006)
- 作品数：6 被引量：10H指数：2
- 相关作者：韩军邢艳辉陈翔汪加兴邓旭光更多>>
- 相关机构：北京工业大学中国科学院武警部队更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- Ag/Au与n-ZnO的欧姆接触特性的研究被引量：1
- 2014年
- 为了更好实现ZnO材料在光电器件方面的应用,研究了Ag/Au和n-ZnO薄膜的欧姆接触。通过半导体特性分析系统测出欧姆接触的I-V特性曲线和采用挖补圆盘法测试了欧姆接触的接触电阻率,研究了退火温度对接触特性的影响。利用俄歇电子能谱(AES)研究了欧姆接触的微观结构,比较了不同的金属电极的反射特性。结果表明,Ag(50nm)/Au(100nm)和n-ZnO薄膜的欧姆接触在退火温度为500℃时最好,欧姆接触电阻率仅为5.2×10-4Ω·cm-2,且其反射特性比其它金属电极好。
- 邓叶王晓东朱彦旭曹伟伟刘飞飞杜志娟于宁
- 关键词：AGAU欧姆接触
- 795nm单偏振稳定垂直腔面发射激光器的研究被引量：1
- 2019年
- 基于非对称氧化技术,引入氧化孔径横向光场损耗各向异性,使得TE/TM偏振光功率差进一步增加,TM偏振得到有效抑制,从而实现795nm垂直腔面发射激光器单偏振稳定输出。实验结果显示:当氧化孔径为7μm×5.5μm时,不同温度下偏振抑制比均在10dB以上,最高达到16.56dB;当氧化孔径为20μm×18μm时,偏振抑制比也可以达到15.96dB。最终,得到偏振抑制比为16dB、水平发散角为8.349°、垂直发散角为9.340°的单偏振稳定输出795nm垂直腔面发射激光器(VCSEL),为实现单偏振高光束质量VCSEL激光光源提供了实验基础。
- 梁津关宝璐胡丕丽张峰董晨王菲王志鹏
- 关键词：垂直腔面发射激光器单偏振
- 退火对Ge掺杂SiO2薄膜的影响
- 2013年
- 用等离子体增强化学气相淀积制备了Ge掺杂SiO2薄膜,并对薄膜进行了不同温度的退火处理。采用棱镜耦合仪、原子力显微镜和傅里叶变换红外光谱分析技术研究了不同退火温度对Ge掺杂SiO2薄膜性质的影响。通过1 100℃退火处理后,正的折射率变化量和负的体积变化量随着GeH4流量增加而增大,Ge-O-Ge键增多;而通过900℃退火处理后,折射率没有随着GeH4流量增加而增大;薄膜的表面粗糙度随着退火温度升高而降低。研究结果表明,SiO2薄膜中Ge掺杂过量,其折射率反常下降;通过1 100℃退火处理后,折射率随着GeH4流量增加而增大,折射率的增大主要是由于薄膜密实化和Ge-O-Ge键的形成。
- 汪加兴韩军邢艳辉邓旭光王逸群邢政姜春宇方运
- 关键词：折射率退火
- 980nm垂直腔面发射激光器的外延生长被引量：3
- 2015年
- 模拟了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的反射谱和量子阱增益谱,采用金属有机物化学气相沉积设备外延生长了980nm的垂直腔面发射激光器,制作了氧化孔径为14μm的内腔式氧化限制型VCSEL器件,其阈值电流为3.3mA,阈值电压为1.8V,斜率效率为0.387W/A,室温直流电流为22.8mA时,输出光功率为5mW。
- 崔明韩军邓军李建军邢艳辉陈翔朱启发
- 关键词：金属有机物化学气相沉积
- AlN成核层厚度对Si上外延GaN的影响被引量：5
- 2013年
- 采用低温AlN成核层,在Si(111)衬底上,用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长了GaN薄膜。采用高分辨X射线衍射(XRD)、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜(AFM)研究了AlN成核层的厚度对GaN外延层的影响。对AlN的测试表明,AlN的表面粗糙度(RMS)随着厚度增加而变大。对GaN的测试表明,所有GaN样品在垂直方向处于压应变状态,并且随AlN厚度增加而略有减弱。GaN的(0002)_ω扫描的峰值半宽(FWHM)随着AlN成核层厚度增加而略有升高,GaN(10-12)_ω扫描的FWHM随着厚度增加而有所下降。(10-12)_ω扫描的FWHM与GaN的刃型穿透位错密度相关,A1N成核层的厚度较大时会降低刃型穿透位错密度,并减弱c轴方向的压应变状态。
- 邓旭光韩军邢艳辉汪加兴范亚明陈翔李影智朱建军
- 关键词：GANSI衬底
- MOCVD生长双波长发光二极管
- 2014年
- 根据白光照明和可变换波长的光通信中对单芯片双波长发光二极管(LED)要求,在分析了反向偏置隧道结性质的基础上,设计了用反向偏置隧道结连接两个有源区的单芯片双波长LED,用金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)在GaAs衬底上一次外延生长了同时发射两种波长的LED,其包含一个AlGaInP量子阱有源区和一个GaInP量子阱有源区,两个有源区由隧道结连接;通过后工艺制备了双波长LED器件,在20mA电流注入下,可以同时发射626nm和639nm两种波长,光强是127mcd,正向电压是4.17V。与传统的单有源区LED进行对比表明,双波长LED有较强的光强;对比单有源区LED的2.08V正向电压,考虑到双波长LED包含隧道结和两个有源区,隧道结上的压降很小。
- 韩军崔明李建军邓军邢艳辉
- 关键词：发光二极管(LED)双波长隧道结
