国家重点基础研究发展计划(2012CB934204)
- 作品数：6 被引量：35H指数：2
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- 相关领域：电子电信电气工程理学机械工程更多>>
- 电致荧光成像表征串联电阻分布
- 2013年
- 本文介绍了一种利用电致荧光成像表征太阳能电池串联电阻分布的方法。太阳能电池的电致荧光强度Фi与外加电压U呈现指数关系,而U-n·(1+Rsi/Rpi)·UT·ln(Фi)和Фi呈现直线关系,其斜率与串联电阻值相关,我们通过拟合二者的直线关系和一些计算得到了串联电阻的分布,我们在一片单晶硅电池上测试并拟合,证实了这种方法的可靠性,此外,我们的拟合结果中还包含了复合分布以及漏电分布。
- 叶舟韩培德邢宇鹏梁鹏范玉洁胡少旭
- 关键词：串联电阻
- GaAs/Si直接键合用GaAs表面化学活化技术被引量：1
- 2014年
- 研究了GaAs/Si疏水性直接键合技术中GaAs表面化学活化关键工艺,对比分析了不同体积分数的HF和HCl溶液作为表面活性处理剂时对GaAs表面进行活化处理的结果。发现用HCl和H2O溶液处理GaAs晶片得到的表面均方根粗糙度要优于用HF处理得到的结果,并且将处理过的GaAs晶片与Si片进行直接键合,发现用HCl进行表面活化的GaAs晶片与Si片键合的成功率要高于用HF进行表面活化的GaAs和Si键合。在200,300和400℃条件下,采用HCl和H2O体积比为1∶10的溶液处理的GaAs晶片与Si片都成功键合,并且200℃条件下键合后的界面质量较好。
- 马静刘雯杨添舒时彦朋杨富华王晓东
- 关键词：直接键合清洗工艺原子力显微镜
- GaN基SBD功率器件研究进展被引量：6
- 2014年
- 作为第三代宽禁带半导体器件,GaN基肖特基势垒二极管(SBD)功率器件具有耐高温、耐高压和导通电阻小等优良特性,在功率器件方面具有显著的优势。概述了基于功率应用的GaN SBD功率器件的研究进展。根据器件结构,介绍了基于材料特性的GaN SBD和基于AlGaN/GaN异质结界面特性的GaN异质结SBD。根据器件结构对开启电压的影响,对不同阳极结构器件进行了详细的介绍。阐述了不同的肖特基金属的电学特性和热稳定性。分析了表面处理,包括表面清洗、表面等离子体处理和表面钝化对器件漏电流的影响。介绍了终端保护技术,尤其是场板技术对击穿电压的影响。最后探讨了GaN基SBD功率器件未来的发展趋势。
- 李迪贾利芳何志樊中朝王晓东杨富华
- 关键词：氮化镓功率器件等离子体处理
- 光伏电池MPPT扰动观察法的研究现状被引量：26
- 2012年
- 为了提高太阳电池的利用率并降低系统成本,需要采用最大功率跟踪(MPPT)控制策略使光伏阵列获得最大功率输出。在众多的MPPT控制方法中,扰动观察法由于原理简单、易于实现而成为MPPT控制中应用和研究最为广泛的方法之一。但传统的扰动观察法在稳态下由于其固定的扰动步长会在最大功率点(MPP)附近形成振荡,并且当外界环境发生快速变化时会出现误判断的现象。为了克服以上不足,研究者们提出了很多改进方案。文章对这些改进方案进行了综述,这些改进方案主要包括以下三类:变步长的改进方法、改进的新方法以及与其他方法结合的扰动观察法。
- 宋亮王晓东刘雯徐锐杨富华
- 关键词：光伏系统最大功率跟踪扰动观察法变步长
- 新型硅薄膜太阳能电池混合陷光结构被引量：2
- 2014年
- 针对应用于薄膜太阳能电池的一种混合陷光结构进行了分析研究,该结构由位于电池正面的电介质颗粒和位于电池背面的金属颗粒构成.运用有限时域差分法模拟分析了正面电介质颗粒与背面金属颗粒对光吸收增强的不同作用范围.运用电场图分析了其对光吸收增强的机制,包括两种颗粒的散射作用和金属纳米颗粒的表面等离子体近场增强作用.分别优化了正面电介质颗粒和背面金属颗粒的材料、大小等参量,获得了一种优化后的混合陷光结构.实验表明带有这种混合陷光结构的电池短路电流密度相对于参考电池提高了30.3%,该方法为提高薄膜太阳能电池效率提供了新思路.
- 时彦朋王晓东刘雯杨添舒杨富华
- 关键词：太阳能电池时域有限差分法金属颗粒光吸收
- 光束诱导电压成像研究
- 2013年
- 在光束诱导电流(Light Beam Induced Current,简称LBIC)成像技术的基础上,我们从理论和实验上分析了光束诱导电压(Light Beam Induced Voltage,简称LBIV)成像的机理。通过建立光束诱导电压成像的理论模型,认为光束诱导电压成像的测量值是一个平衡电压值,而不是光照区域的局域开路电压,我们在一块复合分布不均匀的单晶硅太阳能电池上验证了这个结论。这为改进光束诱导成像技术奠定了基础。
- 叶舟韩培德邢宇鹏梁鹏范玉洁胡少旭毛雪高利鹏李辛毅
- 关键词：LBIC短路电流开路电压
