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国家教育部博士点基金(20020013010)

作品数：8 被引量：20H指数：3
相关作者：任晓敏黄永清周守利崔海林崇英哲更多>>
相关机构：北京邮电大学浙江工业大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

文献类型

  • 8篇中文期刊文章

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 5篇HBT
  • 4篇突变
  • 2篇电流
  • 2篇重掺杂
  • 2篇光电
  • 2篇ALGAAS
  • 2篇GAAS_H...
  • 1篇电流传输
  • 1篇电阻
  • 1篇优化设计
  • 1篇增强型
  • 1篇探测器
  • 1篇特性分析
  • 1篇能级
  • 1篇能级分裂
  • 1篇自热效应
  • 1篇谐振腔
  • 1篇谐振腔增强型
  • 1篇谐振腔增强型...
  • 1篇光电集成

机构

  • 8篇北京邮电大学
  • 1篇浙江工业大学

作者

  • 8篇黄永清
  • 8篇任晓敏
  • 7篇周守利
  • 4篇崔海林
  • 3篇崇英哲
  • 2篇黄辉
  • 1篇王文娟
  • 1篇马如兵
  • 1篇李轶群

传媒

  • 2篇电子器件
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇半导体技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇半导体光电

年份

  • 2篇2007
  • 4篇2005
  • 2篇2004
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
重掺杂突变InP/InGaAs HBT界面势垒扰动对电流传输的影响被引量：1
2005年
基区重掺杂使HBT 突变结界面势垒形状及高度发生了扰动,这种扰动对电流输运特性有重要的影响。本文基于热场发射- 扩散模型,分析了基区重掺杂突变InP/InGaAs　HBT 中的电流传输特性,并同实验测试数据进行了比较。结果表明:为了精确地描述电流传输特性,基区重掺杂情况下,必须考虑突变结界面势垒形状及高度扰动所引起的电流变化。
周守利崇英哲黄永清任晓敏
关键词：HBT
考虑自热效应的重掺杂AlGaAs/GaAs HBT电流特性分析被引量：2
2004年
重掺杂使导带、价带带边同时发生了收缩 ,从而产生能带变窄效应 ( BGN)。对于因重掺杂 NPN突变 Al Ga As/Ga As HBT,而引起 BGN导带和价带突变界面势垒形状及高度都发生改变结果 ,以致对电流输出特性产生重要的影响。本文基于 Jain-Roulston禁带收缩模型及热场发射——扩散载流子输运机制 ,对考虑自热效应下的重掺杂 Al Ga As/Ga-As HBT电流特性进行了深入的研究。通过与其它计算程序常用的几种 BGN模型比较得出 :为了更好描述电流传输 ,利用 Jain-Roulston的 BGN模型 ,考虑导带。
周守利崇英哲黄永清任晓敏
关键词：自热效应
AlGaAs/GaAsHBT非等温能量平衡模型(NEB)及其数值分析被引量：3
2004年
本文探讨了包含异质结和晶格加热效应下非等温能量平衡模型(NEB),且将其用于AlGaAs/GaAsHBT的数值分析中,并在二维器件模拟器中实现。通过与用简单的模型计算得到结果比较得出:NEB模型能更好说明实验得到的结论。
周守利崇英哲黄永清任晓敏
关键词：HBT负微分电阻
用于光电集成的InP基HBT新结构被引量：8
2007年
对用于光电集成(OEIC)的InP基异质结双极性晶体管(HBT)进行了分析,提出了一种新的集电区外延结构,该结构是在单HBT(SHBT)的集电区与次集电区间加入特定厚度与掺杂浓度的p-InGaAs层和n-InP层,既适用于集成光探测器,又较好地解决了SHBT反向击穿电压低、传统双HBT(DHBT)电子堆积效应等问题,并具有外延层生长简单、集电区电子漂移速率高等优点。
崔海林任晓敏黄辉李轶群王文娟黄永清
禁带变窄效应对突变AlGaAs/GaAs HBT电流影响的研究被引量：2
2005年
重掺杂使导带、价带带边同时发生了收缩,从而产生禁带变窄效应(BGN)。对于基区重掺杂Npn突变AlGaAs/GaAsHBT,BGN引起导带和价带突变界面势垒形状及高度都发生了改变,这对基区、集电区电流产生重要的影响。文中基于Jain-Roulston禁带收缩模型及热场发射-扩散载流子输运机制,对这一现象进行了深入的研究。通过与其它计算程序常用的几种BGN模型比较得出为了更好描述电流传输,利用Jain-Roulston的BGN模型,考虑禁带变窄量在导带、价带有不同的分配,从而对电流有不同的影响是必要的。
周守利崔海林黄永清任晓敏
突变HBT准费密能级分裂与复合电流
2005年
要精确描述HBT的复合电流,必须考虑异质结界面处的准费密能级分裂。而重掺杂改变了分裂量的大小,从而使复合电流发生与之相对应的变化。本文利用更准确的考虑了重掺杂效应影响的准费密能级分裂模型,计算了各种复合电流。通过比较得出准费密能级分裂对复合电流的重要性。
周守利崔海林黄永清任晓敏
基区重掺杂突变HBT带阶的扰动对电流影响研究被引量：5
2007年
重掺杂禁带变窄效应引起异质结导带、价带带阶的扰动,从而使突变HBT异质结界面势垒的形状和高度发生了变化,这将对电流传输特性产生重要的影响.基于热场发射-扩散模型,对这一现象进行了深入的研究.得到的结论是:异质结界面势垒的扰动引起内建势的变化对电流影响的重要性远大于其引起隧道效应发生区域的变化,这是由于内建势的变化对电流的影响反映在指数项;因此对于突变HBT,精确考虑禁带变窄在导带与价带之间的分布对于器件性能的分析是非常重要的.
周守利黄辉黄永清任晓敏
关键词：HBT
谐振腔增强型光探测器的优化设计
2005年
讨论了谐振腔增强型光探测器的优化设计方法。综合分析了腔长、DBR反射镜的反射率、吸收层厚度、入光面积等关键因素对探测器性能的影响。采用特定的顺序来确定器件的各个参数,同时分析了驻波效应、生长偏差等因素的影响。
崔海林周守利马如兵黄永清任晓敏
关键词：谐振腔增强型光电探测器优化设计
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