江西省教育厅科学技术研究项目(GJJ13722)
- 作品数：7 被引量：12H指数：3
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- 相关领域：一般工业技术电气工程更多>>
- Ga、K双掺杂对N型Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)材料热电性能的影响
- 2015年
- 采用真空熔炼及热压方法制备了Ga和K双掺杂N型Bi2Te2.7Se0.3热电材料。XRD分析结果表明,Ga和K已经完全固溶到Bi2Te2.7Se0.3晶体结构中,形成了单相固溶体合金。SEM分析表明,材料组织致密且有层状结构特征。通过Ga和K部分替代Bi,在300~500 K的大部分温度范围内,Ga和K双掺杂对提高Bi2Te2.7Se0.3的Seebeck系数产生了积极的作用,同时双掺杂样品的电导率也得到明显的提高。Ga和K双掺杂样品的热导率都大于未掺杂的Bi2Te2.7Se0.3,Ga0.02Bi1.94K0.04Te2.7Se0.3合金在500 K获得ZT最大值为1.05。
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- 关键词：双掺杂显微结构热电性能
- Ga、K双掺杂P型Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3材料的制备及热电性能被引量：3
- 2015年
- 采用真空熔炼和热压方法制备了Ga和K双掺杂Bi0.5Sb1.5Te3热电材料。XRD结果表明,Ga0.02Bi0.5Sb1.48-x Kx Te3块体材料的XRD图谱与Bi0.5Sb1.5Te3的XRD图谱对应一致,但双掺杂样品的衍射峰略微向左偏移。热压块体材料中存在明显的（00l）晶面择优取向。SEM形貌表明材料组织致密且有层状结构特征。Ga和K双掺杂可使Bi0.5Sb1.5Te3在室温附近的Seebeck系数有一定的提高,而双掺杂样品的电导率均得到了不同程度的提高,其中Ga0.02Bi0.5Sb1.42K0.06Te3样品的电导率得到较明显的改善。在300~500 K测量温度范围内,所有双掺杂样品的热导率高于Bi0.5Sb1.5Te3的热导率,在300 K附近双掺杂样品的ZT值得到提高,其中Ga0.02Bi0.5Sb1.42K0.06Te3样品在300 K时ZT值达到1.5。
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- 关键词：双掺杂真空熔炼热电性能
- K、Al共掺杂Bi_2 Te_(2.7) Se_(0.3)热电材料的制备及性能研究被引量：3
- 2014年
- 采用真空熔炼和热压烧结技术制备了 K 和Al 共掺杂 Bi2 Te2．7 Se0．3热电材料.利用 X 射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）对样品的物相结构和表面形貌进行了表征. XRD 分析结果表明,K0．04 Bi1．96-x Alx Te2．7 Se0．3块体材料的 XRD 图谱与 Bi2 Te2．7 Se0．3的 XRD 图谱对应一致,SEM 形貌表明材料组织致密且有层状结构特征.K0．04 Bi1．92-Al0．04 Te2．7 Se0．3合金提高了材料的 Seebeck 系数,K0．04 Bi1．88 Al0．08 Te2．7 Se0．3和 K0．04 Bi1．84 Al0．12 Te2．7 Se0．3大幅度提高了材料的电导率,通过 K 和 Al 部分替代 Bi,使材料的热导率有不同程度的减小,在300~500 K 温度范围内,K 和 Al共掺杂均较大幅度地提高了 Bi2 Te2．7 Se0．3的热电优值.
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- 关键词：共掺杂热导率热电性能
- Na、Ga共掺杂对n型Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)电热输运性能的影响被引量：1
- 2015年
- 采用真空熔炼及热压烧结方法制备了Na和Ga共掺杂n型Bi2Te2.7Se0.3热电材料。XRD结果表明,Na0.04Bi1.96-xGaxTe2.7Se0.3块体材料的XRD图谱与Bi2Te2.7Se0.3的图谱对应一致。通过EDAX技术对Na0.04Bi1.96-xGaxTe2.7Se0.3块体材料的成分进行了分析,无氧化现象。在298~523K温度范围内,在垂直于热压方向对样品的电热输运性能进行了测试分析,结果表明Na和Ga共掺杂可以有效地提高Bi2Te2.7Se0.3的载流子浓度,从而使电导率得到明显改善,但同时Seebeck系数有不同程度的损失。由于晶格热导率减小,Na掺杂及共掺杂样品Na0.04Bi1.96-xGaxTe2.7Se0.3（x=0.04）均使热导率降低。当Na掺杂浓度为0.04时,随着Ga掺杂浓度的增加,热导率呈现递增的现象,Na和Ga共掺杂样品Na0.04Bi1.96-xGaxTe2.7Se0.3（x=0.04）的热电优值获得了较明显的提高,在398K时的最大ZT值为0.75。
- 段兴凯胡孔刚丁时锋满达虎金海霞
- 关键词：共掺杂
- 温差电材料Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3双掺杂调控及热电性能研究被引量：1
- 2015年
- 采用真空熔炼及热压方法制备Ga和Na共掺杂Bi0.5Sb1.5Te3热电材料。利用X射线衍射（XRD）技术对样品的物相结构进行了表征。在300~500K测量温度范围内,共掺杂样品的Seebeck系数均低于Bi0.5Sb1.5Te3的Seebeck系数,并随着Ga掺杂量的增加,Seebeck系数逐渐减小。共掺杂使样品的载流子浓度增加,从而有效地提高了材料的电导率。所有共掺杂样品的热导率都大于Bi0.5Sb1.5Te3的热导率,在Na掺杂浓度不变的情况下,随着Ga掺杂浓度的增加,热导率逐步增加,Na0.04Bi0.5Sb1.46-xGaxTe3（x=0.12）样品具有高电导率的同时,Seebeck系数和热导率的损失不是很大,材料的热电性能得到了改善,在300~475K测量温度范围内的热电性能优值与Bi0.5Sb1.5Te3相比较均有所提高,325K时的最大ZT值为1.4。
- 段兴凯胡孔刚丁时锋满达虎金海霞
- 关键词：双掺杂
- Na和Al双掺杂P型Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3热电材料的制备及性能研究被引量：4
- 2013年
- 采用真空熔炼及热压烧结技术制备了Na和Al双掺杂P型Bi0．5Sb1．5Te3热电材料。利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）对样品的物相结构和表面形貌进行了表征。XRD分析结果表明，Na0．04Bi0．5Sb1．46-xAlxTe3块体材料的XRD图谱与块体材料Bi0．5Sb1．5Te3的图谱完全对应，所有块体材料的衍射峰均与衍射卡JCPDS49-1713对应，这表明Na和Al元素已经完全固溶到Bi0．5sbl．5Te3晶体结构中，形成了单相固溶体合金。SEM形貌表明材料组织致密且有层状结构特征。Na和Al双掺杂提高了Bi0．5Sb1．5Te3在室温附近的Seebeck系数。在Na掺杂量为0．04时，同时Al掺杂量由x=0．04增加至0．12，电导率逐渐降低，在实验掺杂浓度范围内，Na和Al双掺杂会使P型Bi0．5Sb1．5Te3材料的电导率受到较大的损失。在300-500K时，通过Na和Al部分替代Sb，Nao．04Bi0．5Sb1．42Al0．04Te3和Na0．04Bi0．5Sb1．38Al0．08Te3样品的热导率均有不同程度地减小，在300K时双掺杂样品Na0．04Bi0．5Sb1．42A10．04Te3的最大ZT值达到1．45。
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- 关键词：双掺杂热电性能
- K、Al共掺杂Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3热电材料的制备及性能被引量：2
- 2013年
- 采用真空熔炼及热压方法制备了K和Al共掺杂P型Bi0.5Sb1.5Te3热电材料。XRD分析结果表明,K0.04Bi0.5Sb1.5-x Alx Te3块体材料的XRD图谱与Bi0.5Sb1.5Te3的图谱完全对应,SEM形貌分析表明材料具有一定的层状结构和微孔。K和Al共掺杂提高了Bi0.5Sb1.5Te3在室温附近的Seebeck系数。除了K0.04Bi0.5Sb1.34Al0.12Te3样品的300K和400K以上的高温区,以及共掺杂样品的500K高温附近之外,K和Al共掺杂均使Bi0.5Sb1.5Te3材料的电导率降低。在300~500K温度范围内,K0.04Bi0.5Sb1.42Al0.04Te3样品的热导率均小于Bi0.5Sb1.5Te3的热导率。在300~350K温度范围内,K0.04Bi0.5Sb1.42Al0.04Te3样品的热电优值较Bi0.5Sb1.5Te3有较大幅度的提高。
- 段兴凯胡孔刚满达虎丁时锋林伟明金海霞
- 关键词：共掺杂显微结构热电性能
