四川省应用基础研究计划项目(JY0290681)
- 作品数：9 被引量：53H指数：4
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- 发文基金：四川省应用基础研究计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信机械工程更多>>
- Si(100)衬底对ZnO纳米线阵列生长方向的控制作用
- 2007年
- 采用热分解ZnO粉末法,以Au为催化剂,在Si(100)衬底上外延生长了ZnO纳米线阵列。用扫描电子显微镜(SEM)分析表明:ZnO纳米线的直径在100nm左右,长度约3μm,与衬底表面的夹角约为70.5°,纳米线具有四个特定的倾斜方向A,B,C,D。X射线衍射(XRD)图谱上只有ZnO(0002)衍射峰,说明ZnO纳米线沿C轴择优生长。结合Si与ZnO的晶格结构特征,理论研究得出ZnO纳米线与Si基片的晶格匹配关系为:[0001]_(ZnO)∥[114]_(Si),[0001]_(ZnO)∥[■■4]_(Si),[0001]_(ZnO)∥[1■4]_(Si),[0001]_(ZnO)∥[■14]_(Si),失配度为1.54%。得出了Si(100)衬底对ZnO纳米线生长方向具有控制作用的结论。
- 唐斌邓宏税正伟张强郝昕
- 关键词：ZNO纳米线
- 蓝宝石衬底上水平生长ZnO纳米线及紫外敏感性能研究被引量：1
- 2007年
- 在无催化剂条件下,采用化学气相沉积(CVD)方法在蓝宝石(110)衬底上制备了ZnO纳米线.X射线衍射(XRD)图谱上只有ZnO的(100)衍射峰和(110)衍射峰.扫描电子显微镜分析表明,ZnO纳米线在蓝宝石衬底上水平生长.在样品上蒸镀了金叉指电极,以256nm的紫外光作为光源,测试了样品的紫外光敏感性能,研究表明水平生长的ZnO纳米线对紫外光具有较快的响应,在5V偏压下,光电流与暗电流比为30;当波长为354nm时光响应度达到最大值为0·56A/W.
- 邓宏唐斌程和韦敏陈金菊
- 关键词：ZNO纳米线I-V特性光响应度
- Sol-Gel法制备ZnO:Cd薄膜及结构特性研究被引量：3
- 2007年
- 采用Sol—Gel法，结合旋转涂覆技术在Si（100）衬底上制备了ZnO：Cd薄膜，并对其在600～800℃热处理。X-射线衍射仪（XRD）结果表明，ZnO：Cd薄膜具有与ZnO同样的六角纤锌矿结构，且随着热处理温度的升高，（002）衍射峰的强度逐渐增强。峰半高宽（FWHM，ZnO（002））不断减小，并沿c轴择优取向生长；Cd掺杂后，未出现CdO或其他镉化物等杂质相，但在（002）峰-峰顶出现了分叉（多峰）现象。随着退火温度的升高，多峰消失，但这方面的报道甚少。扫描式电子显微镜（SEM）显示ZnO：Cd晶粒粒径分布情况及表面形貌特征。以石英为基片的透射光谱实验计算表明，ZnO：Cd薄膜的禁带宽度平均为3．10eV；800℃，x（Cd）=8％样品的禁带宽度为2．80eV，比纯ZnO晶体禁带宽度（3．30eV）明显减小，这说明适度掺镉可降低薄膜的光学禁带宽度。
- 陈瀚邓宏
- 关键词：透射光谱
- AZO透明导电薄膜的结构与光电性能被引量：12
- 2007年
- 采用射频溅射工艺制备了Zn1-xAlxO透明导电薄膜。通过XRD、UV透射和电学性能测试等分析手段,研究了Al浓度对薄膜的组织结构和光电性能的影响规律。结果表明:薄膜具有c轴择优取向,随着Al浓度的增加,(002)衍射峰向高角度移动,峰强度逐渐减弱,x(Al)为15%掺杂极限浓度。x(Al)为2%时,薄膜电阻率是3.4×10–4Ω.cm。随着掺杂量x(Al)从0增加到20%,薄膜的禁带宽度从3.34 eV增加到4.0 eV。
- 李金丽邓宏刘财坤
- 关键词：无机非金属材料AZO薄膜光电性能
- CVD法制备高质量ZnO纳米线及生长机理被引量：14
- 2007年
- 以金做催化剂,采用化学气相沉积(CVD)方法在Si(100)衬底上生长了整齐紧密排列的ZnO纳米线。XRD图谱上只有ZnO的(002)衍射峰,说明ZnO纳米线沿[001]择优生长;扫描电子显微镜分析表明:ZnO纳米线整齐排列在Si(100)衬底上,直径在100nm左右,平均长度为4μm。研究发现ZnO纳米线的生长机理与传统的V-L-S机理有所不同:生长过程中,在Si(100)衬底上先生长了大约500nm厚的ZnO薄膜,而ZnO纳米线生长在薄膜之上。
- 唐斌邓宏税正伟陈金菊韦敏
- 关键词：ZNO纳米线ZNO薄膜CVD
- Al浓度对AZO薄膜结构和光电性能的影响被引量：10
- 2007年
- 采用射频溅射方法在Si基片上制备出AZO掺杂薄膜,对薄膜进行了XRD和AFM分析,并对其电性能作了研究。结果表明,掺杂量低于15%(原子分数)时,AZO薄膜结构为纤锌矿结构,呈c轴方向择优生长,没有Al2O3相出现。薄膜的可见光透过率均在80%以上,其最高电阻率出现在掺杂量为30%(原子分数),为1.3×107Ω.cm。
- 李金丽邓宏刘财坤袁庆亮韦敏
- 关键词：AZO薄膜X射线衍射AFM电阻率
- 掺AlZnO纳米线阵列的光致发光特性研究被引量：10
- 2007年
- 采用化学气相沉积方法,以金做催化剂,在Si(100)衬底上制备了掺AlZnO纳米线阵列.扫描电子显微镜(SEM)表征发现ZnO纳米线的直径在30nm左右.X射线衍射(XRD)图谱上只存在ZnO的(002)衍射峰,说明ZnO纳米线沿c轴择优取向.掺AlZnO纳米线阵列的室温光致发光(PL)谱中出现了3个带边激子发射峰:373nm,375nm,389nm.运用激子理论推算出掺AlZnO纳米线的禁带宽度为3.343eV,束缚激子结合能为0.156eV;纯ZnO纳米线阵列PL谱中3个带边激子发射峰为377nm,379nm,389nm.其禁带宽度为3.301eV,束缚激子结合能为0.113eV.通过比较发现掺Al增大了ZnO纳米线的禁带宽度.
- 唐斌邓宏税正伟韦敏陈金菊郝昕
- 关键词：光致发光激子ZNO纳米线阵列
- ZnO纳米棒在Si衬底上外延生长研究被引量：4
- 2007年
- 运用热蒸发ZnO粉末法,以金做催化剂,分别在Si(100)和Si(111)两种基片上外延生长了ZnO纳米棒(样品分别标为1#和2#)。通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析,结合ZnO与Si的晶格结构特征,从理论上得出了两个样品的晶格匹配关系。1#样品:[0001]ZnO∥[114]Si,[0001]ZnO∥[1-1-4]Si,[0001]ZnO∥[11-4]Si,[0001]ZnO∥[1-14]Si,失配度为1.54%;2#样品:[0001]ZnO∥[111]Si,[21-1-0]ZnO∥[11-0]Si,[1-21-0]ZnO∥[1-01]Si,[1-1-20]ZnO∥[011-]Si,失配度为18.12%。研究表明Si衬底对ZnO纳米棒生长方向具有调控作用。
- 唐斌邓宏张强税正伟陈建勇赵春兰
- 关键词：ZNO纳米棒晶格常数
- Sol-gel法制备ZnO:Cd薄膜及性能研究
- 2007年
- 采用Sol-gel法使用旋转涂覆技术在Si(100)基片上生长了ZnO:Cd薄膜。XRD结果表明:ZnO:Cd薄膜具有与ZnO一样的六角纤锌矿结构,随热处理温度的升高,(002)衍射峰强度逐增,FWHM减小,并沿c轴择优取向生长;透射光谱实验表明:以石英为基底,适度掺镉可降低薄膜的禁带宽度Eg,特别是在800℃、8%Cd条件下,Eg=2.80eV,与纯ZnO的禁带宽度3.30eV相比,明显降低了光学禁带;光致发光谱(PL)实验表明:在吸收边附近均有较强的紫外发射峰,且随热处理温度升高呈规律的变化;电阻率测定表明:掺镉使薄膜导电性增强。
- 陈瀚邓宏
- 关键词：光致发光SOL-GEL法旋涂
