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教育部重点实验室开放基金(11-450060445347)

作品数:2 被引量:10H指数:2
相关作者:贾素秋刘斐李胜杰陈华刘国军更多>>
相关机构:长春工业大学吉林大学更多>>
发文基金:教育部重点实验室开放基金国家级大学生创新创业训练计划吉林省科技发展计划基金更多>>
相关领域:一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇晶须
  • 1篇稻草
  • 1篇稻壳
  • 1篇稻壳制备
  • 1篇碳化硅
  • 1篇碳化硅晶须
  • 1篇气-液
  • 1篇SIC晶须

机构

  • 2篇长春工业大学
  • 1篇吉林大学

作者

  • 2篇贾素秋
  • 1篇刘国军
  • 1篇陈华
  • 1篇刘斐
  • 1篇李胜杰

传媒

  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
稻壳制备碳化硅晶须被引量:7
2014年
通过稻壳先炭化再高温合成两步法制备出碳化硅晶须,考察温度、催化剂、合成气氛和时间对碳化硅晶须形成的影响。采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射对合成的碳化硅晶须进行表征,分析碳化硅晶须形成机理。结果表明:SiC晶须的形成温度不低于1 200℃,在合适的温度范围内,温度越高,SiC晶须的产量越高;1 400℃为适宜的加热温度。在真空条件下无碳化硅晶须生成,通Ar保护和加入催化剂能促进碳化硅晶须的形成和长大。控制时间在2h左右,随着合成时间的延长,碳化硅晶须量增加。碳化硅晶须为竹节状直晶、光滑直晶和弯晶,其中直晶居多,组成为β-SiC。由稻壳制备碳化硅晶须的形成机理制为在催化剂作用下的气-液-固和气-固机理。
古卫俊贾素秋邱敬东刘斐
关键词:稻壳碳化硅晶须
稻草制备SiC晶须被引量:3
2013年
以废弃的稻草为原料,在1300~1400℃的氩气保护条件下制备SiC晶须。研究反应温度、反应时间、催化剂对SiC晶须制备的影响和反应机理。结果表明,SiC晶须在1350℃时生长最好;SiC晶须温度控制在1350℃左右为宜,采用先高温成核再低温保温的加热方式,反应时间控制在2h;碳化硅晶须主要以β型为主,同时含有少量α型SiC晶须。晶须以竹节状居多,晶须直径为10~200nm之间,长径比>10。用Fe粉和H3BO3作催化剂所生成的晶须较多,但其长径比较小。反应机理主要是VLS机理,以废弃稻草为原料制备SiC晶须为稻草应用提供了一种新的途径。
李胜杰刘国军陈华贾素秋
关键词:稻草SIC晶须
共1页<1>
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