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教育部重点实验室开放基金(K040117)

作品数：2 被引量：5H指数：2
相关作者：汪洋刘艳辉陈旭波更多>>
相关机构：浙江大学兰州交通大学更多>>
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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇FES
  • 1篇电学性能
  • 1篇硫化
  • 1篇禁带
  • 1篇禁带宽度
  • 1篇晶粒
  • 1篇晶粒尺寸
  • 1篇光吸收
  • 1篇光吸收特性
  • 1篇FE
  • 1篇尺寸

机构

  • 2篇兰州交通大学
  • 2篇浙江大学

作者

  • 2篇刘艳辉
  • 2篇汪洋
  • 1篇陈旭波

传媒

  • 1篇太阳能学报
  • 1篇无机材料学报

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
晶粒尺寸对FeS_2薄膜微应变及光吸收特性的影响被引量：3
2007年
采用不同厚度的Fe膜在673K热硫化20h制备出具有不同晶粒尺寸的FeS2薄膜,分析并测定了薄膜组织结构、微应变及光吸收性能．结果表明,Fe膜硫化形成的FeS2薄膜厚度在120-550nm范围内变化时,可导致平均晶粒尺寸在40-80nm之间变化．FeS2晶粒尺寸的变化造成了晶体面缺陷密度的变化,可引起微观内应力水平、缺陷能级分布和晶界势垒高度的变化,进而使得薄膜的微应变、点阵畸变度、光吸收系数及禁带宽度等物理特性随晶粒尺寸的增加而降低．
刘艳辉汪洋孟亮
关键词：晶粒尺寸禁带宽度
Fe膜硫化合成不同厚度的FeS_2薄膜组织结构与电学性能被引量：2
2006年
对热蒸镀的不同厚度纯Fe膜进行硫化处理，制备了厚度在70～600nm范围内变化的FeS2薄膜，研究了薄膜厚度对FeS2薄膜组织结构和电学性能的影响。结果表明，虽然不同厚度的FeS2薄膜晶格点阵畸变度不同，但晶粒均较为细小。较厚的薄膜表面更为平整并且组织更为均匀。随薄膜厚度增加，载流子浓度下降而迁移率上升。当膜厚超过400nm后，载流子浓度上升而迁移率下降。在膜厚约为130nm时，电导率出现极大值。
陈旭波汪洋刘艳辉孟亮
关键词：电学性能
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共1页<1>
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