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国家自然科学基金(11174018)

作品数:3 被引量:0H指数:0
相关作者:冉广照陶利王维李宏强王冲更多>>
相关机构:北京大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信机械工程更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 2篇发光
  • 1篇等离激元
  • 1篇有机发光
  • 1篇有机发光二极...
  • 1篇喹啉
  • 1篇羟基
  • 1篇羟基喹啉
  • 1篇消耗功率
  • 1篇金属
  • 1篇近红外
  • 1篇近红外发光
  • 1篇基片
  • 1篇功率
  • 1篇光电
  • 1篇光电子
  • 1篇硅基
  • 1篇硅基片
  • 1篇红外
  • 1篇二极管
  • 1篇发光二极管

机构

  • 2篇北京大学

作者

  • 1篇王冲
  • 1篇李宏强
  • 1篇王维
  • 1篇陶利
  • 1篇冉广照

传媒

  • 1篇北京大学学报...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇Fronti...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
有机发光二极管中ADN掺杂ErQ的1.54μm电致发光(英文)
2014年
自行设计了基于8-羟基喹啉铒(ErQ)为发射层(EMLs)和二硝酰胺铵(ADN)为蓝光主体材料的近红外有机发光二级管.器件的基本结构为(p-Si/NPB/EML/Bphen/Bphen:Cs2CO3/Sm/Au),设计并比较了三套不同发射层结构(ErQ/ADN为双层结构器件,(ErQ/ADN)×3为多层结构器件,ErQ:ADN为掺杂结构器件)的器件.三组器件在一定的偏压下,均可发出1.54μm的光,对应三价铒离子4I13/2→4I15/2的跃迁.其中,ADN:ErQ(1∶1)掺杂结构的近红外电致发光强度是ADN/ErQ双层结构中的三倍.此外,不同掺杂浓度的ADN:ErQ复合膜做了以下表征:吸收谱、光致发光谱和荧光寿命谱.实验结果证实了在近红外电致发光过程中存在从ADN主体分子到ErQ发射分子的高效率的能量转移.
屈海京陶利王维冉广照
关键词:近红外发光ERBIUMTRIS
金属-有机-金属电激发表面等离激元器件
2013年
在p型硅衬底上,制备了金属有机金属(metal-organic-metal,MOM)电激发表面等离激元器件。器件结构是p-Si/Au/V2O5/NPB/Alq3:DCM/Sm/Au,掺杂DCM的Alq3为发光层。高倍显微镜下,器件侧面发光图像显示,绝大部分光被限制在双金层结构波导中传播。采用微区共焦拉曼光谱仪,分别测量了侧面出射的非偏振模式、TM模式和TE模式电致发光谱。TM模式强度约为TE模式强度的2倍。分析认为,具有TM偏振特性的表面等离激元(surface plasmon polariton,SPP)在侧面电致发光中起重要作用。发光体的能量耗散谱表明SPP模式能量约占总能量65%。利用时域有限差分法(finite-different time-domain,FDTD)对简化结构进行模拟,得到了泄漏模和SPP模式的二维电场强度分布。
李宏强王冲
关键词:有机发光二极管表面等离激元
On-chip silicon light source: from photonics to plasmonics
2012年
实际的硅 photonic 相连现在在实际的硅光来源的实现以后变得可能,在由结合的 IIIV 半导体和硅的混合集成起一个基本作用的地方。Photonic 相连实质地驱散更少的力量并且比那些提供显著地更大的信息带宽电子相连;然而,一个新兴的问题是在 photonic 和电子部件之间的尺寸失配什么时候在一个薄片上综合。因此,出现 plasmonic 来源与深深地亚波长尺寸作为为在薄片上的基于 Si 的轻来源互连的下一代在强烈调查下面。在这份报纸,我们将在这个话题上考察一些最近的成就。
Guangzhao RANHongqiang LIChong WANG
关键词:硅基片光电子消耗功率
共1页<1>
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