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北京工业大学博士启动基金(X0002013201103)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：吴武臣汪金辉刘文斌更多>>
相关机构：北京工业大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金北京工业大学博士启动基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇读写
  • 1篇双阈值
  • 1篇随机存取
  • 1篇随机存取存储...
  • 1篇阈值
  • 1篇静态随机存取...
  • 1篇功耗
  • 1篇SRAM单元
  • 1篇存储器
  • 1篇存取

机构

  • 1篇北京工业大学

作者

  • 1篇刘文斌
  • 1篇汪金辉
  • 1篇吴武臣

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
45nm工艺下8管双阈值SRAM单元的研究
2012年
比较分析了8管SRAM单元在不同双阈值组合情形下的性能,为不同需求的设计者提供了在静态噪声容限(SNM)、漏功耗和延迟之间做出合理权衡的参考。仿真结果表明,组合C8具有最大的SNM,高阈值晶体管Mnl可以有效抑制漏电流。最后,分析了不同组合下的读写延迟时间,并给出了延迟差异的原因。
刘文斌汪金辉吴武臣
关键词：静态随机存取存储器
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共1页<1>
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