国家科技重大专项(2009ZX01034-002-002-001-02)
- 作品数：11 被引量：13H指数：2
- 相关作者：赖宗声张润曦谢淼任旭张书霖更多>>
- 相关机构：华东师范大学上海大学更多>>
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- 用于WCDMA发射机系统的SiGe BiCMOS上变频混频器被引量：1
- 2011年
- 设计了一种用于WCDMA发射机系统的1.95 GHz上变频混频器。电路采用传统的双平衡吉尔伯特结构,并引入电流注入和多双曲正切技术,实现了较高的转换增益和线性度。基于宏力0.18μm SiGe BiCMOS工艺,对电路进行仿真。结果显示,该双平衡有源混频器转换增益约为6 dB,1 dB输出线性度约为4 dBm,噪声在15 dB左右,表明该电路达到基本性能要求。
- 张伟刘盛富张书霖陈磊赖宗声
- 关键词：上变频混频器电流注入BICMOSWCDMA
- UHF RFID阅读器中增益可控驱动放大器的设计被引量：1
- 2011年
- 基于宏力半导体公司0.18μm SiGe HBT工艺,提出了一种应用于UHF（860~960MHz）RFID频段的增益可控驱动放大器（DA）。电路采用全差分发射极电感负反馈共射共基（Cascode）结构,其中,增益控制由三对结构相同的共射电路通过外加偏压实现,增益可控的步长为3 dB。仿真结果显示,在1.8 V电源电压下、910 MHz频段处,增益（S21）分别达到17 dB、20 dB和23 dB,噪声系数（NF）分别为3 dB、2.6 dB和2.2 dB,并且实现了良好的输入输出匹配。
- 刘盛富张伟张书霖陈磊冉峰赖宗声
- 关键词：SIGEHBT驱动放大器增益可控噪声系数
- 多模多频收发机中可编程增益放大器的设计被引量：1
- 2011年
- 设计了一种基于运算放大器和电阻反馈网络的宽带全差分可编程增益放大器。该可编程增益放大器（PGA）采用三级级联结构,实现增益为1~57 dB可变,步长为2 dB。PGA中运放采用零点补偿法扩展带宽,整个PGA带宽达30 MHz。芯片采用IBM 0.13μm标准CMOS工艺实现,电源电压为2.5 V,功耗为62 mW。
- 黄飞任旭张勇张润曦赖宗声
- 关键词：运算放大器可编程增益放大器
- 低功耗流水线ADC中多阈值比较器的设计被引量：1
- 2010年
- 采用IBM0.13μm CMOS工艺,设计了适用于80MS/s流水线结构A/D转换器的比较器。电路使用全差分动态锁存结构,在Lewis-Gray结构的基础上,保留比较器阈值和输入差分管尺寸之间的线性比例关系,改进复位和输出电路结构,降低了设计复杂度和功耗,减小了面积。通过细致的版图考虑,实现了7种不同阈值电压的比较器,失调小于13mV,最大面积为25μm×13μm,最高工作频率达500 MHz;80MS/s工作时,功耗最大仅为63μW,低于Lewis-Gray结构的比较器。
- 蒋颖丹田应洪马聪张润曦徐萍赖宗声
- 关键词：A/D转换器比较器
- 符合EPC C1 G2标准的UHF RFID阅读器数字基带ASIC实现
- 2010年
- 为了实现UHF RFID单芯片阅读器,提出了一种UHF RFID阅读器数字基带的电路结构。该数字基带基于EPC Global Class1 Gen2标准,对PIE编码、升余弦滤波器、希尔伯特滤波器、CRC5/16校验单元、FIR和IIR信道滤波器、采样电路、FM0译码、碰撞检测、控制单元等模块进行算法级、RTL级、网表级和物理级版图设计,后仿各项功能正确,符合系统要求。按照标准ASIC设计流程进行物理设计实现,并采用IBM 0.13μm 8金属的RF数模混合工艺流片。设计的RFID数字基带系统约27万门,面积为3 mm×3 mm,可应用于单芯片RFID阅读器。
- 刘静顾彬陈亦灏张润曦刘炎华蒋颖丹赖宗声
- 关键词：GEN2超高频射频识别数字基带
- 2.4GHz SiGe BiCMOS功率放大器核心电路设计被引量：1
- 2011年
- 基于宏力半导体有限公司最新的0.18μm SiGe BiCMOS 1P6M工艺,提出了一种应用于2.4-2.5 GHz频段的功率放大器,采用两级共发射极结构,优化了电路结构和元件参数,并使用片上和片外电感电容进行匹配。仿真结果表明,电路在2.4~2.5 GHz频率范围内,增益（S21）达到21 dB,输入和输出匹配（S11,S22）分别达-到17 dB和-22 dB,1 dB输出压缩点为16.7 dBm。在电源电压为3.3 V时,电路总消耗电流为275 mA。
- 苏杰张书霖陈磊赖宗声
- 关键词：SIGEBICMOS功率放大器S参数
- 一种低温度系数高驱动能力的带隙基准电路被引量：3
- 2011年
- 基于Grace 0.18μm标准CMOS工艺,设计了一种带低压差线性稳压器的低温度系数带隙基准源。仿真结果表明,在1.8 V供电下,带隙基准电路从电源电压上抽取约340μA电流,在-40℃~85℃温度范围内,输出电压为900.24 mV±0.222 mV,温度系数达到5×10-6/℃,在1kHz频率下,电源抑制比约为51 dB。电路以LDO作为输出缓冲,最大可驱动15 pF负载电容。
- 朱彤黄飞谢淼赖宗声张润曦
- 关键词：带隙基准源温度系数
- 一种0.13 μm CMOS多模信道选择滤波器的设计被引量：3
- 2011年
- 设计了一款应用于多模多频无线接收机中的新型有源电阻电容信道选择滤波器,截止频率可在0.3～10MHz之间切换,满足UHF RFID、TD-SCDMA、WLAN a/b/g等不同标准的要求。运算放大器设计采用无电容前馈补偿技术,增益带宽积提升至4.8GHz。滤波器采用5阶Leapfrog滤波器级联2阶Tow-Thomas滤波器结构,使截止频率不易受器件变化的影响,同时兼顾稳定性和可调性。电路采用IBM 0.13μm CMOS工艺流片。测试结果表明,在2.5V电源电压下选择10MHz带宽时,滤波器消耗13.56mA电流,在两倍截止频率处实现64dB的衰减,带内噪声系数为28dB,带内纹波小于0.2dB,带内输入3阶交调为11.5dBm。
- 任旭谢淼张勇赖宗声张润曦
- 关键词：前馈补偿多模多频
- 一种多频多模接收机低功耗信道选择滤波器被引量：1
- 2012年
- 基于GSMC 0.18μm RF CMOS工艺,实现了一种8阶有源RC信道选择滤波器,其截止频率在200kHz～10MHz范围内可调,能覆盖GSM,UHF RFID,TD-SCDMA,IEEE 802.11a/b/g等不同频段。提出一种增益带宽积可变的运算放大器,以优化不同模式下的功耗。正交两路信道选择滤波器的芯片尺寸为1.5mm×0.36mm。测试结果表明,在1.8V电源下,滤波器消耗8.6mA,4mA和2.6mA电流,等效输入噪声为20nV/Hz～(1/2),输入3阶交调为15dBm。
- 谢淼任旭马聪张润曦赖宗声
- 关键词：有源RC滤波器
- 一种1.8V 0.8～2.1GHz直接变频CMOS正交下变频器被引量：1
- 2011年
- 提出了一种CMOS宽带正交直接变频下变频器,片上集成了正交本振相位发生器。混频器采用三段式结构,包括跨导级、开关级和跨阻级作为输出级。跨导级采用互补型结构,在相同的功耗下获得更大的跨导。混频器核心电路未采用电感,能实现在宽频率范围内工作。芯片采用0.18μm CMOS工艺实现,整个变频器在1.8V电源电压下抽取29mA电流。仿真结果显示,在0.8～2.1GHz的频率范围内,下变频器在2MHz的中频带宽上实现了13dB的电压转换增益。双边带噪声系数为13.5dB,1/f转折频率小于300kHz。下变频器在1MHz中频处的IIP3值达7dBm。
- 胡骁蒋颖丹徐倩龙石春琦赖宗声张润曦
- 关键词：CMOS射频直接变频接收机
