中央高校基本科研业务费专项资金(DUT11LK44)
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
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- 反应射频磁控溅射法制备HfTaO薄膜的热稳定性和光学性能
- 2012年
- 采用反应射频磁控溅射技术制备HfTaO薄膜,利用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的微结构,通过紫外-可见光分光光度计测量了薄膜的透过谱,计算了薄膜的折射率和禁带宽度,利用原子力显微镜观察了薄膜的表面形貌。结果表明,随着Ta掺入量(10%,26%,50%)的增加,HfTaO薄膜的结晶化温度分别为800、900、950℃,Ta掺入量继续增加到72%,经过950℃退火处理的HfTaO薄膜仍然保持非晶态,具有优良的热稳定性。AFM形貌分析显示非晶HfTaO薄膜表面非常平整。在550nm处薄膜折射率n随着Ta掺入量的增大而增大,n的变化区间为1.90～2.15。同时HfTaO薄膜的光学带隙Eg随着Ta掺入量的增大而逐渐减小,Eg的变化区间为4.15～5.29eV。
- 马春雨苗春雨李树林王文娟张庆瑜
- 关键词：磁控溅射光学性能热稳定性
- 射频磁控溅射制备HfLaO薄膜结构和光学性能研究
- 2011年
- 采用射频磁控溅射技术制备HfLaO薄膜,利用X射线衍射（XRD）分析了薄膜的微结构,通过紫外可见光分光光度计测量了薄膜的透过谱,计算了薄膜的折射率和禁带宽度,利用原子力显微镜观察了薄膜的表面形貌.结果表明：沉积态HfLaO（La：25%～37%）薄膜均为非晶态,随着La掺入量的增加,HfLaO薄膜的结晶化温度逐渐升高,HfLaO（La～37%）薄膜经900℃高温退火后仍为非晶态,具有优良的热稳定性,AFM形貌分析显示非晶薄膜表面非常平整.随着La掺入量的增加,HfLaO薄膜的透射率先降后增,在可见光范围薄膜均保持较高的透射率（82%以上）.HfLaO薄膜的折射率为1.77~1.87.随着La掺入量的增加,HfLaO薄膜的折射率呈先增后降的变化趋势,同时HfLaO薄膜的Eg逐渐降低,分别为5.9eV（La～17%）、5.87eV（La～25%）、5.8eV（La～33%）和5.77eV（La～37%）.
- 李智苗春雨马春雨张庆瑜
- 关键词：磁控溅射光学性能
