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中央高校基本科研业务费专项资金(BUPT2009RC0409)

作品数:1 被引量:2H指数:1
相关作者:郭经纬王琦任晓敏黄辉叶显更多>>
相关机构:北京邮电大学更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇谐振腔增强型
  • 2篇量子效率
  • 2篇光电
  • 1篇电子学
  • 1篇氧化物
  • 1篇液固
  • 1篇增强型
  • 1篇砷化镓
  • 1篇探测器
  • 1篇气相沉积
  • 1篇谐振腔
  • 1篇谐振腔增强型...
  • 1篇谐振腔增强型...
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米线
  • 1篇金属
  • 1篇金属氧化物
  • 1篇矩阵法分析
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积

机构

  • 4篇北京邮电大学

作者

  • 4篇黄永清
  • 4篇黄辉
  • 4篇任晓敏
  • 3篇郭经纬
  • 3篇王伟
  • 2篇张霞
  • 2篇叶显
  • 2篇王琦
  • 1篇谢三先
  • 1篇段晓峰
  • 1篇段小峰
  • 1篇刘庆

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇中国光学学会...

年份

  • 1篇2011
  • 3篇2010
1 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
基于双吸收结构的谐振腔增强型光探测器
为了实现对传统谐振腔增强型(RCE)光探测器的优化,本文提出了一种具有双吸收结构的RCE光探测器,并从理论上分析了该光探测器的量子效率和高速响应特性,进而将其与传统的RCE光探测器进行了比较。结果表明,双吸收结构RCE光...
王伟黄永清段晓峰蔡世伟郭经纬黄辉任晓敏
关键词:光电子学量子效率
文献传递
InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线异质结构的生长研究被引量:2
2011年
利用金辅助金属有机化学气相沉淀法(MOCVD)在GaAs(111)B衬底上分别制备了InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs(0≤x≤1)纳米线异质结构.实验结果显示,直接生长在GaAs纳米线上的InAs纳米线生长方向杂乱或者沿着GaAs纳米线侧壁向衬底方向生长,生长的含有InxGa1-xAs组分渐变缓冲段的InAs/InxGa1-xAs/GaAs三段式纳米线异质结构在轴向上串接生长而形成双异质结构.通过插入三元化合物InxGa1-xAs渐变缓冲段可以有效的克服界面能差异和晶格失配带来的负面影响,提高纳米线的晶体质量和生长可控性.
叶显黄辉任晓敏郭经纬黄永清王琦张霞
关键词:INXGA1-XAS
新型双吸收层谐振腔增强型光电探测器量子效率的传输矩阵法分析
随着光纤通信技术的发展,高量子效率、高速响应光电探测器在长距离高速光纤通信系统中的作用尤显突出。本文利用传输矩阵法对新型双吸收层光电探测器(RCE-PINIP)的量子效率进行了理论计算,然后用Mathcad软件对其进行了...
谢三先黄永清刘庆段小峰王伟黄辉任晓敏
关键词:量子效率
文献传递
温度对基于金辅助金属氧化物化学气相沉积生长的GaAs纳米线影响
近年来,由于纳米线所具有的新颖的物理特性,使其在电子学和光学等领域有着广阔的应用前景,引起了广泛关注。利用金辅助的金属氧化物化学气相沉积法在气-液-固生长机制下GaAs(111)B衬底上生长了GaAs纳米线。研究了三个生...
郭经纬黄辉叶显任晓敏蔡世伟王伟王琦黄永清张霞
关键词:纳米线砷化镓
文献传递
共1页<1>
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