国家自然科学基金(61075044)
- 作品数:6 被引量:12H指数:3
- 相关作者:刘丁姜雷赵跃焦尚彬尚婷更多>>
- 相关机构:西安理工大学西安建筑科技大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金国家科技重大专项陕西省自然科学基金更多>>
- 相关领域:自动化与计算机技术电子电信理学一般工业技术更多>>
- 一种检测单晶炉热场温度的新方法被引量:1
- 2014年
- 为去除单晶炉热场温度测量信号中的低频干扰、提高温度信号的估计精度,本文提出了一种基于跨维模拟退火(trans dimensional simulated annealing,TDSA)的单晶炉热场温度检测方法.该方法首先将AIC(Akaike information criterion)信号个数判断准则纳入采样机制中以便对干扰个数采样估计,进而利用所设计的基于信号频谱和轮盘赌思想的Metropolis Hastings机制对相应个数的干扰频率进行采样,最后设计了混合均匀和高斯采样机制对单晶炉热场温度进行采样估计.仿真和单晶炉工程实验结果表明,该方法在干扰个数未知的情况下,能够有效地抑制低频干扰、准确检测单晶炉热场的温度.
- 张新雨刘丁汪姣李琦
- 关键词:单晶炉低频干扰最大似然准则最小二乘法
- 基于主动滑模控制的不确定分数阶混沌(超混沌)系统的延迟同步被引量:4
- 2015年
- 针对不确定分数阶混沌(超混沌)系统的延迟同步,结合主动控制和滑模控制方法,设计了一个新型的含分数阶项的滑模控制器.基于李亚普诺夫理论和分数阶系统稳定理论,对被控系统的稳定性进行了分析.分别以分数阶Lü混沌系统和分数阶Liu混沌系统、分数阶超混沌洛伦兹系统和分数阶超混沌Chen系统的延迟同步为例进行了数值仿真,仿真结果表明了该方法的有效性和鲁棒性.
- 阎晓妹尚婷赵小国
- 关键词:滑模控制
- Research on Some Control Issues in the Czochralski Process of Solar Grade Mono-Crystal Silicon
- Czochralski(CZ) method based silicon crystal furnace is the main equipment to produce the solar cells silicon ...
- Liu DingZhang Jing
- 文献传递
- 规则递归T-S模糊模型及其辨识方法被引量:1
- 2012年
- 针对传统T-S模糊模型不能较好描述系统时变特性的问题,提出了一种基于递归策略的动态T-S模糊模型及其辨识方法.规则递归T-S模糊模型在传统T-S模糊模型基础上,增加了具有一定权重的反馈环节,该环节对当前激励强度与前一时刻激励强度进行加权和得到当前时刻新的规则激励强度,从而实现动态递归变化,有效描述了系统的动态过程.为使规则递归T-S模糊模型具有较少的规则数量和较好的泛化能力,前件参数采用一种基于规则激励强度的模糊聚类算法获得,而后件和递归环节参数则采用一种由支持向量机和粒子群优化算法组成的联合辨识方法获得.Box-Jenkins煤气炉的仿真结果表明,规则递归T-S模糊模型及其辨识方法具有较好的动态描述能力,与混合聚类方法相比,均方差降低了1.2%.
- 梁炎明刘丁
- 关键词:T-S模糊模型模糊聚类支持向量机粒子群优化
- 一种基于分数阶微分方程模型的基因调控网络构建方法被引量:1
- 2011年
- 考虑到实际生物系统的非线性特性,提出了一种基于分数阶微分方程模型构建基因调控网络的新方法,采用模型预测数据与实际数据的逼近误差为目标函数,通过人工鱼群优化算法辨识分数阶微分方程模型的阶次和参数,并引入自适应步长,保留精英个体和增加种群多样性等策略提高算法的进化能力。对真实生物实验数据的结果表明,该方法能够较准确的辨识出模型参数,得到的分数阶微分方程模型与实际数据吻合程度较高。
- 季瑞瑞刘丁
- 关键词:基因调控网络分数阶微分方程人工鱼群算法参数辨识
- 多对流耦合环境下Cz-Si固液界面形态的仿真方法及控制参数研究被引量:3
- 2012年
- 固液界面形态是各种晶体生长研究的关键,固液界面形态问题是一个移动边界问题。然而在Cz-Si系统中,移动边界问题又与对流耦合,尤其是与晶体旋转所引起的强迫对流直接耦合,构成了含有第三方耦合因素的移动边界问题。本文提出一种基于FVM的迭代法解决此问题,对多流耦合环境下的固液界面形态进行了仿真和研究,分析了晶体旋转对界面形态的影响。最终将仿真结果与采用快速提离法在实践中获得的界面形态进行对比,取得了一致性。
- 姜雷刘丁赵跃刘志尚
- 关键词:直拉硅单晶迭代法
- 水平磁场作用下Φ300mm直拉单晶硅生长三维数值模拟被引量:4
- 2013年
- 设计一种二维轴对称和三维混合的数值计算模型,对水平磁场作用下的直拉硅单晶生长进行了研究。结果表明,由于水平磁场的非轴对称性,只有在三维模型中才能获得确切的温度、速度分布。温度场、熔体中的流函数和固液界面形状在水平磁场的作用下也具有非轴对称性,这种非轴对称性随磁场强度的变化而改变。提高晶体旋转速度有利于减小固液界面形状的非轴对称性,并会改变界面形状的凹凸程度;提高坩埚旋转速度则有利于提高熔体中温度分布的均匀性,但会扩大熔体中的径向温度梯度。
- 姜雷刘丁赵跃焦尚彬
- 关键词:直拉硅单晶数值模拟