上海市自然科学基金(11ZR1426700)
- 作品数:3 被引量:2H指数:1
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- 相关机构:华南师范大学上海师范大学中山大学更多>>
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- ZnO薄膜的本征缺陷、p型掺杂及其新型功能器件
- 2012年
- ZnO是一种宽禁带半导体材料(3.37eV),具有较高的激子结合能(60meV),室温下激子仍然存在。由于其结构特点及优异的光电性能,ZnO在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等高技术领域有着广阔的应用前景,在国内外引起极大的关注。但本征的ZnO呈n型电导,p型ZnO的获得因较强的自补偿效应,存在较大困难,限制了其应用水平。针对ZnO目前的研究、就其本征缺陷、p型掺杂以及新型功能器件等方面做一简要评述。
- 陈心满伍广亨周洪赵灵智牛巧莉
- 关键词:ZNO本征缺陷
- 纳米叶状聚苯胺超级电容器被引量:1
- 2013年
- 纳米导电聚苯胺(PANI),作为超级电容器的电极材料,有着广阔的应用前景.采用三电极体系下的恒定电流法,通过多步电化学聚合获得以导电玻璃(ITO)为基底的纳米结构导电聚苯胺薄膜.采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)对薄膜进行形貌表征.由于电极材料的纳米结构,材料的比电容在电流密度为1 A/g及10 A/g下分别为829 F/g及667 F/g.以20 A/g的电流密度对电极进行500次的恒定电流充放电测试,电极的比电容下降为95.1%,显示了较好的循环稳定性.
- 奚栋陈心满
- 关键词:超级电容器薄膜电极
- 基于阻变效应非挥发性存储器的研究概述被引量:1
- 2012年
- 随着半导体技术节点的推进,传统的半导体存储技术已经满足不了人们对便携式信息产品的要求。阻变式存储器(RRAM)作为一种新的存储技术,其器件具有结构简单、与CMOS工艺兼容、可高密度集成以及快速存储等优势,引起人们广泛的研究兴趣并成为国内外研究的热点领域。就目前RRAM器件的研究现状,从RRAM器件的基本工作原理、微观物理机制、实际应用所遭遇的挑战以及新型RRAM器件等方面进行了简要评述。
- 陈心满赵灵智牛巧利