国家重点基础研究发展计划(G2000028201-1)
- 作品数：7 被引量：2H指数：1
- 相关作者：陈光华朱秀红胡跃辉阴生毅荣延栋更多>>
- 相关机构：北京工业大学西北大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 影响氢化非晶硅薄膜光衰退稳定性的因素
- 氢化非晶硅薄膜作为一种新型的光伏功能材料,已被广泛地应用于大面积太阳能电池中,成为当前重要的绿色能源。但由于存在SW效应,制约了它的进一步发展。因此人们都在致力于研究影响氢化非晶硅薄膜光衰退稳定性的因素。本文对此也进行了...
- 马占洁陈光华何斌刘国汉朱秀红张文理李志中郜志华宋雪梅邓金祥
- 文献传递
- 微波ECR CVD法制备a-Si:H膜的氢含量研究
- 应用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)方法,在较高速率下沉积了a-Si:H薄膜,用FTIR红外谱仪研究a-Si:H薄膜的结构特性与衬底温度、氢稀释比、光学带隙的对应关系,并对2000cm-1附近的特征吸收...
- 李瀛刘毅阴生毅胡跃辉宋雪梅邓金祥朱秀红陈光华
- 关键词：氢化非晶硅氢含量
- 文献传递
- MW-ECR制备的氢化非晶硅光电特性研究
- 通过对热丝辅助微波电子回旋共振(HW-MW-ECRCVD)法制备的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行暗电导与温度关系的测试,可得到暗电导激活能(Ea),并研究了Ea与a-Si:H薄膜光敏性(σph/σd)的关系;发现随着...
- 高卓胡跃辉朱秀红马占杰周怀恩陈光华
- 关键词：氢化非晶硅薄膜光敏性
- 文献传递
- 热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究
- 采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜。应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导。通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备...
- 荣延栋阴生毅胡跃辉吴越颖朱秀红周怀恩张文理邓金祥陈光华
- 关键词：非晶硅红外
- 文献传递
- Study on stability of hydrogenated amorphous silicon films被引量：2
- 2005年
- 朱秀红陈光华张文理丁毅马占洁胡跃辉何斌荣延栋
- 关键词：A-SI:H光敏性稳定性
- 采用热丝辅助MW-ECRCVD法制备高性能a-Si:H薄膜
- 氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜是硅基薄膜太阳电池的核心材料,而且作为薄膜场效应晶体管在电子摄像,大面积平板显示器等领域的应用也有很大进展。高光敏性及高稳定型的a-Si∶H薄膜的制备,始终是硅基薄膜太阳电池研究和应用中的关...
- 张文理陈光华何斌朱秀红马占洁丁毅刘国汉郜志华宋雪梅邓金祥
- 文献传递
- 微波ECR CVD法制备a-Si:H膜的氢含量研究
- 2004年
- 应用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)方法,在较高速率下沉积了a-Si:H薄膜,用FTIR红外谱仪研究a-Si:H薄膜的结构特性与衬底温度、氢稀释比、光学带隙的对应关系,并对2000cm-1附近的特征吸收峰用高斯函数进行了拟合分析,获得了沉积高质量a-Si:H薄膜的最佳工艺条件.
- 李瀛刘毅阴生毅胡跃辉宋雪梅邓金祥朱秀红陈光华
- 关键词：氢化非晶硅CVD氢含量
- 热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究
- 2004年
- 采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜.应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导.通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备非晶硅薄膜过程中,热丝的光照对薄膜的抗衰退起到了关键作用,用该系统制备非晶硅薄膜,大大降低了薄膜中的总氢含量,提高了薄膜的稳定性,同时,Si-H键合体的摇摆模发生了红移.
- 荣延栋阴生毅胡跃辉吴越颖朱秀红周怀恩张文理邓金祥陈光华
- 关键词：非晶硅红外
- 热丝辅助MW ECR CVD法高速沉积优质氢化非晶硅薄膜
- 2004年
- 我们用热丝辅助MW ECRCVD系统,在热丝温度分别为0、1350、1400、1450、1500、1600和1700℃时制备出a-Si:H薄膜.通过膜厚测定,红外光谱分析光、暗电导测量等手段,分析了其沉积速率、光敏性及光学带隙的变化规律.结果表明沉积速率和薄膜质量均得到明显的提高,沉积速率超过3nm/s,光暗电导之比提高到6×105.找到最佳辅助热丝温度为1450℃.通过对带隙值的分析,发现当带隙值在1.6～1.7范围内时,薄膜几乎都具有105以上的光暗电导之比.
- 吴越颖胡跃辉阴生毅荣延栋王青高卓李瀛宋雪梅陈光华
- 关键词：A-SI:H薄膜热丝光敏性
- a-Si:H薄膜的制备工艺对其光电特性的影响
- 2004年
- 采用MW-ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性(σp.σ d)和光致衰退测试.对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的光电特性,得出沉积温度是影响薄膜光敏性的主要因素,而适当温度的热丝辅助对于薄膜的光致衰退有一定延缓作用.
- 王青阴生毅胡跃辉朱秀红荣延栋周怀恩陈光华
- 关键词：氢化非晶硅氢含量光敏性
