教育部“新世纪优秀人才支持计划”(681231366)
- 作品数：5 被引量：14H指数：3
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- 0.18μm CMOS工艺下的新型ESD保护电路设计被引量：7
- 2009年
- 为了有效地保护0.18μm CMOS工艺下箝位器件的栅极,设计了一款新型的电源和地之间的静电保护电路.该电路在检测电路部分加了一个NMOS反馈器件,同时在检测电路的下一级使用了动态传输结构.反馈器件能够提高电路中各器件工作状态的转换速度,使得保护电路能够及时关闭,避免箝位器件栅极电流保持过长时间,保护了箝位器件的栅极.此外,该电路采用0.18μm CMOS工艺下的普通器件,节省了电路的成本.
- 刘红侠刘青山
- 关键词：静电放电保护电路
- 新型HfO_2栅介质电特性的理论分析与实验研究被引量：3
- 2008年
- 对结合NH4F表面预处理和高温退火新型工艺制作的超薄HfO2栅介质MOS电容的C-V特性进行了模拟仿真和实验研究,理论分析的界面态分布与实验结果吻合.利用高频C-V法计算了平带电压漂移量、氧化层内陷阱电荷密度和界面态密度,比较了不同工艺条件下样品的电参数.结果表明NH4F表面预处理和高温退火新型工艺可以显著降低界面态和氧化层陷阱电荷,从而降低栅极漏电流.
- 蔡乃琼刘红侠
- 关键词：C-V特性界面态氧化层陷阱
- 针对新型HfO_2栅介质改进的四元件电路模型被引量：4
- 2008年
- 针对超薄HfO2栅介质MOS电容,提出改进的四元件小信号等效电路模型,修正了双频C-V法,增加了串联寄生电阻和串联电感两个参数.结合双频测量结果计算出修正的C-V曲线,消除了高频时的频率色散现象,而且曲线更加接近理想C-V曲线.通过实验结果提取了寄生参数值并拟合出各元件值与MOS电容面积和反型层厚度的解析表达式.实验测量和理论计算表明该方法可提高通常C-V法的测量精度.
- 刘红侠蔡乃琼
- 纳米尺度全耗尽SOI MOSFET阈值电压的修正模型
- 2007年
- 针对纳米器件中出现的量子化效应,考虑了薄层全耗尽SOI MOSFET沟道反型层电子的量子化,研究了反型层量子化效应对阈值电压的影响。结果表明,沟道反型层的量子化效应导致阈值电压增大,推导并给出了纳米尺度全耗尽SOI MOSFET的阈值电压修正模型。
- 王瑾刘红侠栾苏珍
- 关键词：SOI量子效应阈值电压反型层
- 异质栅非对称Halo SOI MOSFET亚阈值电流模型被引量：2
- 2008年
- 在沟道源端一侧引入高掺杂Halo结构的异质栅SOI MOSFET,可以有效降低亚阈值电流.通过求解二维泊松方程,为该器件建立了亚阈值条件下的表面势模型.利用常规漂移-扩散理论,在表面势模型的基础上,推导出新结构器件的亚阈值电流模型.为了求解简单,文中给出了一种分段近似方法,从而得到表面势的解析表达式.结果表明,所得到的表面势解析表达式和确切解的结果高度吻合.二维器件数值模拟器ISE验证了通过表面势解析表达式得到的亚阈值电流模型,在亚阈值区二者所得结果吻合得很好.
- 栾苏珍刘红侠贾仁需王瑾
- 关键词：异质栅SOI亚阈值电流二维解析模型
