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聚合物发光二极管中的负电容效应被引量：5: 2008年; 采用交流阻抗谱技术,研究了以共轭聚合物(poly[2-methoxy,5-(2′-ethylhexoxy)-1,4-phenylenevinylene])(MEH-PPV)为发光层,以带有胺基的聚芴共聚物poly[(9,9-bis(3′-(N,N-dimethylamino)propyl)-2,7-fluorene)-alt-2,7-(9,9-dioctylfluorene)](PF-NR2)为电子传输层的发光二极管的交流响应特性.对于结构为ITO/PEDOT/MEH-PPV/PF-NR2/Al的发光器件,交流阻抗谱中出现了负电容效应(negative capacitance),根据对其Cole-Cole图的分析,MEH-PPV/PF-NR2界面的交流响应可用一个RLL并联电路来模拟,实验结果表明,PF-NR2层既是电子传输层同时又充当了空穴阻挡层的作用,并给出了解释这种以PF-NR2/Al为阴极的器件效率提高的微观机理.; 黄文波曾文进王藜彭俊彪; 关键词：聚合物发光二极管交流阻抗谱

含噻吩单元的硅芴共聚物的合成及其蓝色电致发光性能被引量：8: 2007年; 将少量（摩尔分数为1%～3%）含噻吩的窄带隙单体和宽带隙硅芴单体进行共聚,合成了聚{9,9-二己基-3,6-硅芴-co-[2,5-二（2-甲基苯撑-4-基）-噻吩]}和聚{9,9-二己基-3,6-硅芴-co-[2,5-二（2-苯撑-4-基）-噻吩]}两类硅芴共聚物,通过紫外-可见吸收光谱、光致发光光谱,并制作聚合物发光二极管器件测试电致发光光谱等手段,系统表征了两类硅芴共聚物材料的性能.实验结果表明,噻吩的加入形成了新的蓝色发光中心,并且实现了从硅芴链段到含噻吩发光中心的有效能量转移.通过增加发光中心结构的空间位阻来减小其共轭程度,可以使聚合物的PL和EL光谱发生较大蓝移.最终得到了效率为0.46%和色坐标（CIE）为（0.19,0.16）的蓝光LED器件.; 蒋希田仁玉莫越奇曹镛; 关键词：聚合物发光二极管噻吩电致发光

修饰阴极界面提高聚合物白光二极管发光效率被引量：8: 2009年; 利用聚合物的不同溶解性,研究用旋涂方法制备双层高分子白光二极管(WPLED),采用器件结构为:ITO/PEDOT(50nm)/PVK:PFO-BT:PFO-DBT(40nm)/PFO(40nm)/Ba(4nm)/Al(120nm),当相对比例为PVK:PFO-BT:PFO-DBT=1∶4%:3%时,得到标准白光,最大电流效率为2.4cd/A,最大亮度为3215cd/m2,色坐标为(0.33,0.34).用水溶性的聚电介质层修饰阴极界面,器件效率可以进一步提高到5.28cd/A,色度坐标仍保持在(0.34,0.36),同时器件表现出较好的光谱稳定性.; 邹建华陶洪吴宏滨彭俊彪; 关键词：聚合物发光二极管白光

CsF/Al阴极对提高芴基饱和红光器件性能的研究被引量：7: 2007年; 从聚合物/电极界面修饰的角度对基于饱和红光聚合物PFO-SeBT(9,9-二辛基芴与4,7-二硒吩-2,1,3-苯并噻二唑的无规共聚物)的发光二极管的性能进行了改进,通过采用CsF/Al阴极并优化CsF的厚度以及在PFO-SeBT1/阳极界面插入聚乙烯基咔唑(PVK)层,使器件的最大电致发光外量子效率达到1.79%,比采用低功函数的金属Ba/Al阴极器件的效率提高了两倍多.器件的性能得以改善的原因是CsF/Al阴极能有效提高电子注入能力以及PVK层对电子的阻挡作用.; 田仁玉阳仁强彭俊彪曹镛; 关键词：聚合物发光二极管电子注入

高效蓝紫光器件的实现:苯撑与硅芴共聚物同聚硅芴共混被引量：2: 2006年; 以苯撑与硅芴共聚物(PSiF6-PPP)同聚硅芴(PSiFC6C6)的共混物做发光层,制备了高效的蓝紫光聚合物发光二极管,研究了共混比例对器件性能的影响.发现当PSiF6-PPP与PSiFC6C6的质量比为1︰3时器件性能最优,在发光亮度为105cd/m2时,器件的外量子效率可以达到1.96%,电致发光光谱的峰值位于397nm,半高宽为67nm.分析表明,PSiFC6C6向PSiF6-PPP的能量转移以及共混后电子和空穴注入的均衡,是使器件性能明显提升的主要原因.; 田仁玉莫越奇彭俊彪; 关键词：聚合物发光二极管共混

高分子发光二极管载流子注入过程研究被引量：9: 2007年; 采用交流阻抗谱,电容-电压,电容-频率等实验方法,研究了共轭高分子MEH-PPV(poly[2-methoxy,5-(2-ethylhexoxy)-1,4-phenylene vinylene])发光二极管的载流子注入过程.对于结构为ITO/PEDOT/MEH-PPV/Ba/Al的发光器件,实验结果表明,电极界面是欧姆接触的,载流子的注入是非平衡的,器件薄膜中存在陷阱容易俘获注入电荷,形成空间电荷区,陷阱密度约为3.75×1016cm-3.; 黄文波彭俊彪; 关键词：交流阻抗谱载流子注入

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教育部科学技术研究重点项目(104208)