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深亚微米CMOS SRAM SEE特性及加固技术研究被引量：2: 2009年; 在空间环境甚至在地面环境中,受高能粒子等多种因素的的影响,深亚微米COMS SRAM很容易发生单粒子事件(single event effects,SEE),使得COMS SRAM中的存储数据发生翻转甚至直接将器件烧毁。对深亚微米CMOS SRAM SEE特性与器件基本存储结构、数据读写速度、集成度、供电偏压等的关系进行了研究,同时从器件级和系统级两个层面对CMOSSRAM抗SEE加固方法进行了研究,最后给出了一种基于高可靠性反熔丝型FPGA硬件实现的系统级抗SEU设计,该系统可以纠正单个字(32bit)及其校验位(7bit)数据的一位错,检测两位错。该设计具有强实时、高可靠性的特点,已通过了各类空间环境试验。; 贺兴华薛挺肖山竹卢焕章; 关键词：深亚微米 COMS SRAM 单粒子效应

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国家高技术研究发展计划(2007AA1508)