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福建省自然科学基金(2007J0317)

作品数：13 被引量：50H指数：5
相关作者：赖发春林丽梅彭福川瞿燕范丽琴更多>>
相关机构：福建师范大学三明学院华侨大学更多>>
发文基金：福建省自然科学基金福建省教育厅资助项目福建省科技计划重点项目更多>>
相关领域：理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 13篇中文期刊文章

领域

  • 10篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇溅射
  • 5篇光学
  • 5篇磁控
  • 5篇磁控溅射
  • 4篇光学性
  • 4篇光学性质
  • 3篇电学
  • 3篇电学性质
  • 2篇氧化锌薄膜
  • 2篇铜箔
  • 2篇膜厚
  • 2篇纳米
  • 2篇溅射制备
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇发光
  • 2篇反应磁控溅射
  • 2篇ZNO纳米
  • 2篇表面形貌
  • 2篇磁控溅射制备

机构

  • 12篇福建师范大学
  • 3篇三明学院
  • 1篇华侨大学
  • 1篇西南科技大学

作者

  • 11篇林丽梅
  • 11篇赖发春
  • 5篇瞿燕
  • 5篇彭福川
  • 3篇郑明志
  • 3篇范丽琴
  • 3篇吕佩伟
  • 3篇庄彬平
  • 3篇裴瑜
  • 3篇肖荣辉
  • 2篇郑卫峰
  • 2篇林明豹
  • 1篇黄志高
  • 1篇饶军
  • 1篇郑冬梅
  • 1篇林林
  • 1篇卓红
  • 1篇盖荣权
  • 1篇詹仁辉
  • 1篇吴小春

传媒

  • 6篇福建师范大学...
  • 2篇光电子．激光
  • 1篇陶瓷学报
  • 1篇Chines...
  • 1篇漳州师范学院...
  • 1篇福建师大福清...
  • 1篇闽江学院学报

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2011
  • 6篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2008
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
反应磁控溅射Cu_2O薄膜的结构和电学性质
2010年
用X射线衍射仪检测薄膜的结构;用分光光度计测量薄膜的透射率和反射率,采用拟合正入射透射谱数据的方法计算薄膜的厚度;用Van der Pauw方法测量薄膜表面电阻和霍尔迁移率,并计算出电阻率和载流子浓度.结果表明,生成单相Cu2O薄膜的氧气流量范围很小,在氧气流量为5-7sccm范围,薄膜主要成分为Cu2O,其中氧氩流量比为6∶25时,生成单相多晶结构的Cu2O薄膜,其表面电阻0.68MΩ/□,电阻率58.29Ω.cm,霍尔迁移率4.73cm2·V-1·s-1,载流子浓度3×1016cm-3.
肖荣辉林丽梅郑明志彭福川郑冬梅
关键词：CU2O反应磁控溅射电学性质
氧分压对射频磁控溅射制备氧化锌薄膜光电学性质的影响被引量：6
2011年
利用射频磁控溅射在石英基片上沉积ZnO薄膜.为了研究氧分压对ZnO薄膜的结构和光电学性质的影响,在氧分压0.00,2.54,5.06,7.57 mPa的条件下制备了4个样品.样品的微结构、表面形貌和光电学性质分别用X射线衍射仪、原子力显微镜、分光光度计和Van der Pauw方法进行测量.结果表明,所有样品的主要衍射峰为(002)峰,随氧分压的增加,(002)峰的强度降低,且出现了(101)面的衍射峰.氧分压的升高,薄膜的表面粗糙度和载流子浓度减小,迁移率增大,电阻率从氧分压为0时的0.2Ωcm增加到7.57 mPa时的1 400Ωcm.所有样品在可见光区的平均透过率都大于83%,薄膜的折射率随氧分压的增加而增大,而消光系数和光学带隙则减小.
彭福川林丽梅郑卫峰盖荣权赖发春
关键词：氧化锌薄膜射频磁控溅射氧分压
In_2O_3和ZnO混合薄膜的化学腐蚀特性研究被引量：2
2010年
利用直流磁控溅射在未加热的BK-7玻璃基片上沉积In2O3与ZnO混合(IZO)薄膜,通过原子力显微镜(AFM)、分光光度计和四探针法研究IZO薄膜在HCl溶液中不同腐蚀时间前后的表面形貌以及光电性质的变化。结果表明:随着腐蚀时间的增加,薄膜的表面均方根粗糙度(RMS)和方块电阻(Rs)都呈现先增后减再增的现象;而薄膜的光学透射率则是先减后增再减。由于ZnO比In2O3更容易在HCl溶液中进行腐蚀,使得样品经腐蚀后出现孔洞结构,孔宽与孔深都随着腐蚀时间的增加而增大,这种具有纳米孔洞结构的透明导电薄膜在未来的光电子器件有潜在应用。
吕佩伟胡海龙裴瑜林丽梅赖发春
关键词：化学腐蚀表面形貌
低压高温退火对Ag掺杂ZnO薄膜性质的影响被引量：9
2011年
采用电子束蒸发在n-Si(100)衬底上沉积Ag掺ZnO(ZnO:Ag)薄膜,随后在200 Pa的O2气氛下分别在500、600、700和800℃退火4 h。用X射线衍射(XRD)仪、荧光光谱仪以及Van der Pauw方法测量ZnO:Ag薄膜的结构和光电学性质。结果表明,ZnO:Ag薄膜为多晶结构,且随着退火温度的升高,样品的结晶性能不断提高,晶粒尺寸从500℃的12.37 nm增加到800℃的32.36 nm;光致发光(PL)谱的紫外发射峰随着退火温度的增加向短波方向移动;薄膜的载流子浓度随退火温度升高而单调增加,电阻率则降低;迁移率的变化较为复杂,500℃退火的样品迁移率达到最大值58.80 cm2/Vs,800℃样品的最低为3.16 cm2/Vs。
彭福川吕佩伟林林林丽梅瞿燕赖发春
关键词：电子束蒸发退火
铜膜厚度对铜膜结构和光电学性质的影响被引量：4
2010年
采用热蒸发方法在玻璃基片上沉积100 nm以内不同厚度的铜薄膜.利用X射线衍射仪、原子力显微镜和分光光度计分别检测薄膜的结构、表面形貌和光学性质,用Van der Pauw方法测量薄膜的电学性质.结果表明,可以将薄膜按厚度划分为区（0-11.5 nm）的岛状膜、区（11.5-32 nm）的网状膜和区（〉32.0 nm）的连续膜.薄膜的表面粗糙度随膜厚的增加,在、区时增加,区时减小.薄膜电阻在区时无法测量,在区随膜厚的增加急剧下降,而在区时随膜厚增加缓慢减小.薄膜的光学吸收与其表面粗糙度密切相关,其变化规律与表面粗糙度的变化相一致.
肖荣辉郑卫峰郑明志彭福川赖发春
关键词：铜薄膜膜厚光学性质电学性质
多孔阳极氧化钛反射光学性质的研究
2010年
利用直流磁控溅射沉积钛膜,以硫酸为电解液进行不同时间的阳极氧化,获得多孔阳极氧化钛(PATO)薄膜.用X射线衍射仪、扫描子显微镜、原子力显微镜分别表征PATO薄膜的结构和形貌特征,用分光光度计测量样品的反射光谱.结果表明,制得的氧化钛薄膜是多晶的Ti10O18;样品的表面有明显的孔洞结构,且粗糙度随着氧化时间的增加而增大.随着氧化时间从10min增加到40,60,90,120min,样品的颜色相应地由蓝色逐渐过渡到黄色、橙色、紫红色和淡紫色.氧化时间为120min的PATO薄膜的在可见光区的折射率低于2.0,孔隙率约为0.32;粗糙的表面及薄膜内部的孔洞增强了光的散射,导致其消光系数大于0.1.
卓红林丽梅吴小春瞿燕赖发春
关键词：阳极氧化反射率光学常数
基片温度和氧气流量对磁控溅射制备ITO薄膜光电学性质的影响被引量：6
2009年
利用直流磁控溅射技术在BK-7基片上沉积掺锡氧化铟(ITO)透明导电薄膜.研究不同基片温度和氧气流量对薄膜的结构、电学和光学性质的影响,分析光电学性质改变的机理.结果表明,随着氧气流量的增加,载流子浓度(N)不断下降,电阻率(ρ)不断增大,但迁移率(μ)先增大后减小,在氧气流量为0.5cm3/min(1Pa)时有最大值.随着基片温度的上升,N逐渐增加,ρ不断降低,而μ则先增加后减小,在基片温度为200℃时为极大值.所有样品在可见光区的平均光学透过率都大于80%,薄膜的折射率和消光系数从拟合透射光谱数据获得;在1 500 nm光学波长处,折射率随载流子浓度的增加而减小,较好符合线性关系;消光系数随载流子浓度的增大而增加,不符合线性关系.
裴瑜林丽梅范丽琴瞿燕赖发春
关键词：ITO磁控溅射
铜箔衬底上制备ZnO纳米带和空心微米球被引量：2
2010年
采用低温热蒸发法在铜箔衬底上制备了大量ZnO纳米带、空心微米球和“海胆”状球．采用XRD、激光拉曼光谱仪、SEM和荧光光谱仪分别对ZnO纳米结构的微结构、形貌和光致发光性质进行研究．分析表明，纳米带的宽度大约为500 nm且长度超过10μm，而空心微米球的直径为5～10μm；ZnO纳米结构的发光主要是较强的蓝绿缺陷态发光，以及弱的紫外带隙态发光．铜衬底上ZnO纳米结构的制备使得ZnO纳米结构和导电衬底之间具有良好黏着性和电接触性．
庄彬平赖发春林丽梅林明豹瞿燕黄志高
关键词：氧化锌纳米带空心微球铜箔光致发光光谱扫描电子显微镜
氧气流量对反应磁控溅射铜氧化物薄膜结构和光学性质的影响被引量：2
2010年
反应磁控溅射方法在玻璃基片上沉积铜氧化物薄膜,研究氧气流量对薄膜结构和光学性质的影响.用X射线衍射仪检测薄膜的结构,分光光度计测量薄膜的透射和反射光谱,采用拟合正入射透射光谱数据的方法计算薄膜的折射率、消光系数及厚度.结果表明,薄膜沉积过程中,随着氧气流量的增加,铜氧化生成物从Cu2O逐步过渡到Cu4O3,最后为CuO;当氧氩流量比为6:25时,生成单相多晶结构的Cu2O薄膜,薄膜的折射率和消光系数随波长增加而减小,带隙为2.49 eV;不同氧气流量条件下制备的Cu2O,CuO薄膜的折射率和消光系数随氧流量的增加而增加.
肖荣辉林丽梅郑明志彭福川赖发春
关键词：铜氧化物磁控溅射光学性质
铜箔上热蒸发沉积ZnO纳米线及其特性
2008年
在水平放置的管式炉内，采用热蒸发Zn粉的方法，在铜箔上制备了大量的ZnO纳米线。利用x射线衍射仪、激光拉曼光谱仪、扫描电子显微镜以及荧光光谱仪分别对ZnO纳米线的微结构、形貌及光学性能进行研究。结果表明，合成的ZnO纳米线为六角结构，且具有良好的结晶性能，纳米线的长度在10-50μm之间，直径在80-150nm之间，生长机制为气相一固相生长机制。荧光光谱表明ZnO纳米线光致发光的主峰为位于387nm的带隙态发光。
庄彬平林明豹沈燕芬吕佩伟林丽梅赖发春
关键词：ZNO纳米线热蒸发
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