国家重点实验室开放基金(KF1303)
- 作品数：8 被引量：23H指数：3
- 相关作者：关小军张向宇王进曾庆凯潘忠奔更多>>
- 相关机构：山东大学山东交通学院中国人民解放军更多>>
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- 相关领域：理学金属学及工艺更多>>
- 低温退火温度对硅晶圆内V-O_(2)对介观演变影响的仿真被引量：1
- 2021年
- 为了揭示低温退火温度对硅晶圆内V-O_(2)对介观演变的影响,基于所建相场模型及其应用程序,对2个不同温度下退火的硅晶圆中V-O_(2)对演变过程进行了仿真.结果表明:当低温退火温度降低时,V-O_(2)对变化速率减慢、数量减少,这与相应的空位相对浓度演变及其均匀化过程有关.
- 关小军关宇昕王善文
- 关键词：仿真硅晶圆低温退火
- 硅单晶圆片中V-O2对演变的相场仿真模型被引量：3
- 2019年
- 为了开展低温退火过程硅单晶圆片中V-O2对演变的仿真研究,基于相场理论创建了仿真模型,首次完成了介观的V-O2对存在状态及其数量演变的模拟.结果表明:随着退火时间延长,V-O2对数量增加直至饱和且点缺陷相对浓度分布由非平衡态转变为平衡态;这两个演变规律符合实际且产生机理清晰,证实了该模型的合理性及其使用价值.
- 关小军关宇昕王善文
- 关键词：仿真
- 直拉硅单晶中双空洞长大动力学的相场模拟被引量：3
- 2015年
- 为了研究硅单晶直拉法生长过程中双空洞的长大动力学以及空洞间的相互作用机理,采用已建立的空洞演化的相场模型及其应用程序,模拟研究了直拉硅单晶生长过程中双空洞演化和相关因素的影响规律。结果表明:所建相场模型能够有效地模拟基体中空位扩散和双空洞长大的过程;双空洞长大趋势随着模拟时间和初始空位浓度的增强而加强;随着空洞初始中心间距的增加和初始空位浓度的减小,双空洞长大由相互融合模式转变为独立长大模式。
- 关小军王进张向宇曾庆凯
- 关键词：硅单晶相场模拟长大动力学
- 硅/氧浓度初始分布对硅晶圆内V-O_(2)对演变影响的仿真
- 2021年
- 为了揭示自间隙硅原子相对浓度和间隙氧原子相对浓度的初始分布状态对低温退火期间硅晶圆内V-O_(2)对介观演变的影响,应用原有相场仿真模型及其改进模型,仿真了两个不同的点缺陷相对浓度初始分布状态下退火的硅晶圆内V-O_(2)对演变过程.结果表明:在文章的仿真条件下,均匀分布的硅原子相对浓度未影响V-O_(2)对演变,这与不考虑硅原子存在的情况相同;与均匀分布状态相比,初始的氧原子相对浓度随机均匀分布状态使得V-O_(2)对生成速度减慢.
- 关小军关宇昕王善文
- 关键词：仿真硅晶圆
- 初始空位浓度对硅晶圆中V-O2对演变影响的仿真被引量：2
- 2020年
- 为了揭示初始空位浓度对低温退火的硅晶圆内V-O2对演变的影响,基于所建相场模型及其应用程序,对随机均匀分布的3个初始空位浓度条件下硅晶圆内V-O2对演变进行了模拟研究.结果表明:随着初始空位浓度平均值的减小,V-O2对数量相应减少且变化速率减慢,这与相应的空位浓度演变及其均匀化过程有关;初始空位浓度平均值过低时,V-O2对不能产生.
- 关小军关宇昕王善文
- 关键词：仿真硅晶圆
- 拉速对?400mm直拉硅单晶中空洞分布影响的数值模拟被引量：1
- 2015年
- 为了研究拉速对?400mm直拉硅单晶中空洞演变的影响,应用CGSim软件模拟了3种拉速下晶体中空洞演变过程。模拟结果表明,(1)3种拉晶速度下具有相同的空洞分布规律,即随着径向半径增加,晶体心部的空洞密度增大而平均直径减小,该变化趋势随轴向位置远离固液界面而减弱;晶体边缘的空洞密度和平均直径随径向半径增加而减小,直至形成无空洞区,无空洞区域随轴向位置远离固液界面而缩小;(2)随着拉晶速度加快,晶体心部的空洞密度及其平均尺寸相应增大,对应的变化区域基本上向边缘整体平移。
- 于新友关小军曾庆凯王进张向宇
- 关键词：直拉法硅单晶拉速数值模拟
- 热屏位置影响直拉单晶硅熔体和固液界面的模拟被引量：4
- 2015年
- 为了研究热屏位置对于直拉单晶硅的熔体和固液界面的影响,采用CGSim有限元软件对200 mm直拉单晶硅生长过程进行了模拟,结果表明,随着热屏底端位置上升(或径向内移),熔体自由表面及其邻近区域的温度下降;随着热屏底端位置径向内移,位于两个大涡胞之间的较小涡胞强度增大且移向熔体液面深处;热屏位置上升或径向外移均会使固液界面上凸程度增大,这主要归因于晶体热场的相应变化。
- 关小军张向宇潘忠奔王进曾庆凯
- 关键词：直拉单晶硅流场温场固液界面
- 热屏位置对直拉硅单晶V/G、点缺陷和热应力影响的模拟被引量：13
- 2014年
- 为了研究热屏位置对200 mm直拉硅单晶V/G、原生点缺陷浓度场以及热应力场的影响,使用CGSim有限元模拟软件进行了系统模拟。结果表明:热屏位置对硅单晶的V/G和原生点缺陷浓度的径向分布规律没有影响;较热屏至晶体侧表面距离相比,其底端至熔体表面距离的影响更大,即随着它的增加,V/G值沿径向普遍增大且由内向外变化程度增强,晶体心部高浓度空位区扩大,最大热应力减小。合理控制热屏底端至熔体表面的距离可有效改善晶体质量。
- 张向宇关小军潘忠奔张怀金曾庆凯王进
- 关键词：直拉硅单晶热应力
