International Foundation for Science(50588201)
- 作品数：1 被引量：5H指数：1
- 相关作者：余洲张艳霞闫勇黄涛赵勇更多>>
- 相关机构：新南威尔士大学西南交通大学更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家重点基础研究发展计划International Foundation for Science更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 直流溅射工艺参数对Mo薄膜结构及电性能的影响被引量：5
- 2012年
- 采用直流磁控溅射法在SLG衬底上沉积Mo薄膜,对不同溅射功率和溅射工作气压下沉积的薄膜进行X射线衍射、SEM(扫描电子显微镜)、电阻率测试,讨论了工艺参数对沉积Mo薄膜相结构、表面微观形貌、薄膜沉积速率和电学性能的影响。结果表明,随着溅射功率的增加,薄膜的结晶性能变好,沉积速率提高,在沉积功率范围内薄膜均匀致密,表面无空隙,电阻率较低;随着溅射工作气压增加,薄膜结晶性能变差,沉积速率先增加后降低,在沉积工作气压范围内,薄膜致密;随气压降低,电阻率急剧减小。因此,较高的溅射功率和较低的工作气压沉积的Mo薄膜更适合作CIGS薄膜太阳电池的BC层(背接触层)。
- 黄涛闫勇黄稳张艳霞晏传鹏刘连张勇赵勇余洲
- 关键词：MO薄膜直流磁控溅射电阻率
