本文根据数据恢复时,本地时钟与输入数据之间的相位关系及其实现方式的不同,将高速时钟与数据恢复(CDR,Clock and Data Recovery)电路技术分为三类,也即前馈相位跟踪型,反馈相位跟踪型,以及盲过采样型。进而又分别对每一类型进行了细分并分别进行了深入的剖析和比较。最后又给出了不同应用环境下,CDR技术的选择策略,并指出了CDR技术的发展趋势。本文通过对高速CDR技术详尽而又深刻的分析比较,勾勒出了一个高速CDR技术的关系及发展演化图,使读者能够对现存的高速CDR技术及其发展趋势有一个前面而又清晰的认识。
SOI LDMOS是SOI高压集成电路的核心器件,而纵向击穿电压是制约其性能的关键。本文首先指出了常规SOI LDMOS纵向耐压低的原因;然后介绍了SOI高压器件纵向耐压理论,分析了该理论中三种改善SOI器件纵向耐压技术(超薄SOI技术、界面电荷技术、低k介质层技术)的工作原理;而后基于这三种技术,对近年来国内外在SOI纵向耐压方面所做的工作进行了分类和总结,分析了各自的优缺点;最后对未来技术的发展进行了展望。
