北京市优秀人才培养资助(20041D0501513)
- 作品数：6 被引量：21H指数：3
- 相关作者：王波严辉宋雪梅李驰平李彤更多>>
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- 发文基金：北京市优秀人才培养资助国家自然科学基金北京市科技新星计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>
- ZnO薄膜p型掺杂的研究进展被引量：6
- 2007年
- ZnO薄膜作为一种多功能半导体材料,近年来一直受到广泛关注。然而,如何制备高质量的p型ZnO薄膜是实现其实用化的关键。概括了p型掺杂困难的原因,并指出Ⅲ-Ⅴ族元素共掺杂可能是p型掺杂的最好方法。简单回顾了ZnO薄膜p型掺杂的研究现状,并对今后的发展趋势进行了展望。
- 李驰平张铭宋雪梅王波李彤严辉
- 关键词：ZNO薄膜P型掺杂
- 热蒸发沉积法制备多足状ZnO及其生长机理的研究被引量：1
- 2007年
- 利用热蒸发沉积方法，使用高纯Zn粉为原料（ 〉99．99％），在常压下，成功制备了多针状的znO微结构。当沉积气氛为纯氧气时，多针ZnO单支的直径尺寸在2μm左右，通过调整Ar和O2的比例，发现当蒸发源温度为800℃，气体流量控制在Ar：O2=0．5L／min：0．1L／min的时候，所制备的多足状ZnO的单支直径减小为400nm,采用XRD和SEM对样品进行了表征，并对形成这种多针状ZnO的生长机理进行了详细的讨论。
- 谭天刘毅宋雪梅王波严辉
- 关键词：热蒸发
- 新一代栅介质材料——高K材料被引量：10
- 2006年
- 介绍了微电子工业的发展趋势和Si O2作为CMOS栅介质减薄所带来的问题,从而引出对高K材料的需求,简单介绍了作为栅极介质的各种高介电常数材料的性能的比较及制备高K薄膜的主要方法,总结了一些高K材料的研究现状,论述了目前有待进一步解决的问题,并展望了高K材料的发展趋势。
- 李驰平王波宋雪梅严辉
- 关键词：高K材料介质材料高介电常数材料微电子工业SIO2
- 热氧化法制备透明超疏水ZnO薄膜
- 高透明性的无机超疏水薄膜材料具有广阔的应用前景．采用磁控溅射法制备出表面具有纳米结构的金属 Zn 前驱体薄膜,并利用在低气压5Pa,温度350℃热氧化方法对其采取了处理,获得了接触角为151°, 可见光透过率达80％以上...
- 刘毅谭天宋雪梅李耳王波严辉
- 关键词：超疏水溅射热氧化
- 文献传递
- 热蒸发沉积法制备多足状ZnO及其生长机理的研究
- 利用热蒸发沉积方法,使用高纯 Zn 粉为原料 (＞99．99％),在常压下,成功制备了多针状的 ZnO 微结构．当沉积气氛为纯氧气时,多钟 ZnO 单支的直径尺寸在2μm 左右,通过调整 Ar 和 O的比例,发现当蒸发源...
- 谭天刘毅宋雪梅王波严辉
- 关键词：热蒸发
- 文献传递
- 热氧化法制备透明超疏水ZnO薄膜
- 2007年
- 高透明性的无机超疏水薄膜材料具有广阔的应用前景，采用磁控溅射法制备出表面具有纳米结构的金属Zn前驱体薄膜，并利用在低气压5Pa，温度350℃热氧化方法对其采取了处理，获得了接触角为151°，可见光透过率达80％以上的超疏水ZnO薄膜。SEM表明薄膜由100nm短棒状的ZnO堆积而成，通过XRD，IR的测量与分析，进一步讨论了沉积条件及热氧化处理对超疏水透明ZnO薄膜形成机理。
- 刘毅谭天宋雪梅李耳王波严辉
- 关键词：超疏水ZNO薄膜溅射热氧化
- 磁控反应溅射制备择优取向氮化铝薄膜被引量：4
- 2005年
- 以氮气为反应气体,采用磁控反应溅射方法制备了择优取向的氮化铝薄膜.通过XRD测试发现,靶基距、溅射气压影响薄膜的择优取向:大的靶基距及高的溅射气压利于(100)面择优取向,小的靶基距和低的溅射气压利于(002)面择优取向.通过对沉积速率的分析发现,高的沉积速率利于(002)面择优取向,低的沉积速率利于(100)面择优取向.研究结果表明:沉积速率影响了核在衬底表面的生长方向,从而影响了各晶面的生长速度,最终决定薄膜的择优取向.
- 邢涛王波陈轶平李国星严辉
- 关键词：氮化铝薄膜溅射气压沉积速率
- SrMnO_3阻挡层对La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3/Si异质结整流特性的改善
- 2006年
- 对用磁控溅射方法在硅基上直接沉积La0.8Sr0.2MnO3和引入SrMnO3(SMO)阻挡层后沉积La0.8Sr0.2MnO3进行了比较。对薄膜结构用X射线衍射试验表征,并分析了薄膜取向生长的原因。卢瑟福背散射实验结果表明,SMO阻挡层的引入显著地削弱了LSMO和Si界面层处的元素互扩散。电学测试表明LSMO/SMO/Si结构比LSMO/Si结构具有更好的p-n结整流特性,而且随SMO缓冲层的增厚,整流特性反而削弱。
- 李彤李驰平王波宋雪梅张铭严辉
- 关键词：阻挡层整流特性
