电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金(L08010301JX0615)
- 作品数：2 被引量：8H指数：1
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- 掺Cd对ZnO薄膜光学性能的影响被引量：7
- 2008年
- 采用溶胶-凝胶法在石英玻璃上制备了不同掺Cd浓度的ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)结果表明,所制备的薄膜具有c抽择优取向,随着Cd掺杂浓度的升高,(002)峰向低角度方向移动。UV透射曲线表明,薄膜具有明显的紫外吸收边,通过改变Cd的掺入浓度,可以使吸收边向长波方向移动并被控制在一定范围内,从而使薄膜的禁带宽度连续可调;薄膜的光致发光(PL)谱显示,ZnO薄膜的PL谱是由紫外激子发光峰和蓝光发光带组成,通过掺入Cd可使紫外带边发射的峰位向低能端方向红移,这与透射谱中吸收带边的红移相吻合,由紫外发光峰得到的光禁带宽度和由透射谱拟合得到的光禁带基本一致。对不同掺杂浓度的薄膜进行了比较,发现Cd掺入量为8%摩尔分数时ZnO薄膜具有最佳的结构性能和发光性能。
- 陈航邓宏戴丽萍陈金菊韦敏
- 关键词：溶胶-凝胶法红移
- 利用一种简单方法制备的高质量的p型ZnO薄膜及其性质被引量：1
- 2008年
- 利用化学气相沉积法(chemical vapor deposition,CVD),以Zn4(OH)2(O2CCH3)6.2H2O为固相源、ZnNO3为掺杂源制备出p型ZnO:N薄膜,采用XRD,霍耳效应和PL谱对薄膜进行分析,研究了衬底温度对膜结构、电学性质和光致发光特性的影响.结果表明,生长温度较低时,薄膜呈p型导电特性且电阻率随衬底温度的升高而下降,衬底温度为400℃时,载流子浓度达到+5.127×1017cm3?,电阻率为0.04706?.cm,迁移率为259cm2/(V.s),并且一个月后的测试表明薄膜仍呈p型导电特性.当衬底温度过高时薄膜从p型导电转为n型.
- 毛飞燕邓宏戴丽萍陈金菊袁兆林李燕
- 关键词：化学气相沉积法P型迁移率载流子浓度
