公共文化服务平台

共 1 条记录，以下是 1-1

全选清除导出

排序方式：

Er离子注入的富硅SiO_2 MOS-LED的可见和红外电致发光特性被引量：1: 2011年; 通过Er离子和Si离子注入并结合高温退火制备了Er掺杂的富硅SiO2薄膜以及ITO/SiON/富硅SiO2∶Er/Si MOS结构电致发光器件。研究了富Si浓度的变化对Er3+离子掺杂的电致发光器件的发光性能和传导特性的影响。发现不同Si含量对Er3+离子的不同能级的电致发光会产生不同作用。在富Si量小于5%的条件下,主要由Si离子注入产生氧空位缺陷发光中心(Si-ODC),它们和Er3+离子的高能级之间存在着共振能量传递,增强了Er3+离子的522 nm绿色发光峰强度。在富Si含量大于5%时,过量的Si在退火时形成了纳米硅微晶,电子在纳米硅微晶之间的隧穿改变了载流子输运机制,降低了过热电子的平均能量,导致Er3+离子的所有发光峰的猝灭。; 刘海旭孙甲明孟凡杰侯琼琼; 关键词：电致发光离子注入

全选清除导出

共1页<1>

教育部“新世纪优秀人才支持计划”(07-0459)