国家自然科学基金(51002131)
- 作品数：5 被引量：15H指数：3
- 相关作者：吕建国叶志镇陈凌翔汪鑫陈丹更多>>
- 相关机构：浙江大学上海大学上海市计量测试技术研究院更多>>
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 透明导电GZO/Cu/GZO多层薄膜的室温生长及性能研究被引量：1
- 2011年
- 研究Ga掺杂ZnO(GZO)和Cu薄膜形成的GZO/Cu/GZO多层薄膜体系,以期提高透明导电薄膜的综合性能。GZO/Cu/GZO多层薄膜由直流磁控溅射技术在室温下制备,研究Cu层厚度对多层薄膜结构、电学和光学性能的影响。结果表明GZO/Cu/GZO多层薄膜具有较好的结晶性能。随着Cu层厚度的增加,多层薄膜的可见光透射率有所降低,同时电学性能大幅度提升。在Cu层厚度为7.5 nm时,GZO/Cu/GZO多层薄膜获得最优的光电综合性能指标,且相对于单层GZO薄膜ΦTC因子从7.65×10-5Ω-1增加到1.48×10-3Ω-1。
- 别勋王钰萍吕建国叶志镇
- 关键词：ZNO透明导电磁控溅射
- 立方相MgZnO纳米线的制备和表征
- 2012年
- 利用热蒸发方法,在硅衬底上制备出立方MgZnO纳米线。以Mg粉为源材料,所制备的为立方相MgO纳米线。以Mg粉和Zn粉混合物为源材料,可以制备出立方相MgZnO纳米线,Zn含量7%,直径200～300nm,具有单晶结构;同时产物中还包括六方相ZnO纳米线,直径30nm左右。MgZnO纳米线中Zn含量远低于源材料中的Zn含量,这可能是ZnO和Zn的蒸汽压远大于MgO和Mg的缘故。
- 陈永王峰李德辉陈凌翔吕建国叶志镇
- 关键词：纳米线热蒸发
- AZO薄膜用于GaN基LED透明电极的性能研究被引量：5
- 2013年
- 采用脉冲激光沉积法制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜,研究了不同沉积氧压下薄膜的光电性能。当沉积压强为0.1 Pa时,AZO薄膜光电性能最优。将该薄膜用于GaN基LED透明电极作为电流扩展层,在20 mA正向电流下观察到了520 nm处很强的芯片发光峰,但芯片工作电压较高,约为10 V,芯片亮度随正向电流的增大而增强。二次离子质谱测试表明,AZO薄膜与GaN层界面处两种材料导电性能的变化以及钝化层的形成是导致芯片工作电压偏高的原因。
- 陈丹吕建国黄靖云金豫浙张昊翔叶志镇
- 关键词：AZO薄膜GAN基LED透明电极脉冲激光沉积
- 室温生长ZnO薄膜晶体管的紫外响应特性被引量：4
- 2013年
- 在室温下采用射频磁控溅射法制备了以ZnO薄膜为沟道层的薄膜晶体管(TFTs).研究表明ZnO薄膜在紫外区具有较高的吸收率,并且ZnO-TFTs对紫外光照射较为敏感.因此,进一步深入研究了ZnO-TFTs紫外光照下的输出和转移特性,结果表明,紫外光照将引起较为明显的光响应电流,且经过光照的器件在光源移除7天后,ZnO沟道层中仍能观察到残余电导现象,其原因可以归结为紫外光辐射在ZnO沟道层中引入了一定数量的氧空位施主态缺陷.
- 吴萍张杰李喜峰陈凌翔汪雷吕建国
- 关键词：ZNO薄膜晶体管
- 高度均一ZnO纳米梭的水热法制备及其性能被引量：5
- 2011年
- 以六亚甲基四胺和硝酸锌为原料,采用水热法在90℃条件下反应24 h,于Si衬底上制备出一维ZnO纳米梭材料。采用场发射扫描电镜、X射线衍射仪和高分辨透射电镜等方法对样品形貌和晶体结构进行了表征。结果表明,所得ZnO纳米梭形貌一致、尺寸均匀,为六方纤锌矿型结构,具有良好的结晶性能。对ZnO纳米梭的光致发光性能的研究表明,该纳米梭具有很强的紫外发光峰,缺陷发光很弱,说明其结晶质量良好。本文还对ZnO纳米梭的水热反应机理和形核长大机制进行了探讨。
- 阚保涛汪鑫叶春丽吕建国叶志镇
- 关键词：水热法光学性能
