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中央高校基本科研业务费专项资金(2013G1311051)

作品数：2 被引量：1H指数：1
相关作者：张军刘林徐义库更多>>
相关机构：西北工业大学长安大学德累斯顿工业大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金凝固技术国家重点实验室开放课题国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 2篇磁性能
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶生长
  • 1篇稀土
  • 1篇稀土化合物
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体生长
  • 1篇居里
  • 1篇居里温度
  • 1篇化合物
  • 1篇光辐射
  • 1篇ND
  • 1篇磁化
  • 1篇磁化强度
  • 1篇TB

机构

  • 2篇长安大学
  • 2篇西北工业大学
  • 1篇德累斯顿工业...

作者

  • 2篇徐义库
  • 2篇刘林
  • 2篇张军

传媒

  • 1篇热加工工艺
  • 1篇材料热处理学...

年份

  • 2篇2014
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
稀土硅化物Nd_2PdSi_3晶体生长及磁性能研究
2014年
采用高射频感应加热法以及光辐射加热悬浮区熔法分别制备了Nd2PdSi3多晶和单晶样品,并对比研究了它们的磁性能。研究得出多晶样品和单晶样品的磁性能完全不同。多晶样品居里温度为15.9 K,单晶样品居里温度为15.1 K;而[001]方向为Nd2PdSi3单晶的易磁化轴,单晶各向异性在0～150 K范围内明显。
徐义库刘林张军
关键词：晶体生长居里温度磁化强度
光辐射悬浮区熔法Tb_2PdSi_3单晶生长及磁性能被引量：1
2014年
采用光辐射加热悬浮区熔法以3 mm/h的生长速度成功制备了Tb2PdSi3单晶。通过分析得知,该化合物为同成分熔融化合物,熔点约为1700℃。和其它R2PdSi3型化合物(R为稀土元素)不同,在单晶基体中没有发现TbSi沉淀,分析原因可能是因为晶体中Tb含量略高于化学计量比。采用X射线Laue背散射实验对晶体的晶格结构和高完整性进行了验证,并对定向单晶的a和c方向磁化率-温度曲线进行了测定。
徐义库刘林张军LSER WolfgangFRONTZEK Matthias
关键词：单晶生长稀土化合物磁性能
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共1页<1>
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